Infineon Technologies StrongIRFET™ 2 Leistungs-MOSFETs mit 30 V

Infineon Technologies StrongIRFET™ 2 Leistungs-MOSFETs von 30 V sind für niedrige und hohe Schaltfrequenzen optimiert und bieten somit eine hohe Designflexibilität. Diese Bauteile bieten eine hohe Leistungseffizienz für eine verbesserte Gesamtsystemleistung bei gleichzeitig hervorragender Robustheit. Durch den erhöhten Nennstrom wird eine höhere Strombelastbarkeit ermöglicht, wodurch die Notwendigkeit entfällt, mehrere Bauteile parallel zu schalten. Dies führt zu geringeren BOM-Kosten und Einsparungen beim Board. Applikationen umfasst Schaltnetzteile (SMPS), Motorantriebe batteriebetriebene Geräte Batteriemanagement, Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS), leichte Elektrofahrzeuge, Elektrowerkzeuge, Gartenwerkzeuge, Adapter und Verbraucherapplikationen.

Merkmale

  • Optimiert für eine breite Palette von Anwendungen
  • N-Kanal, Logikpegel
  • Ideal für hohe und niedrige Schaltfrequenzen
  • Industriestandard-Gehäuse mit Durchgangsbohrung PG‑TO252‑3
  • Hohe Strombelastbarkeit
  • 100% lawinengeprüft
  • bis +175 °C ausgelegt
  • Bleifreie Verbleiung
  • RoHS-konform
  • Halogen-frei nach IEC61249-2-21

Applikationen

  • UPS
  • Adapter
  • Motorantriebe
  • Batteriemanagement
  • Leichte Elektrofahrzeuge
  • Energieverwaltung (SMPS)
  • Batteriebetriebene Anwendungen

Technische Daten

  • 30 V Drain-Source-Durchbruchsspannung
  • 20 V Gate-Source-Spannung
  • 2,35 V Gate-Source-Schwellenspannung
  • 71 A bis 143 A kontinuierlicher Drainstrombereich
  • 2,05 mΩ bis 4,7 mΩ Bereich des On-Drain-Source-Widerstands
  • 6,4 ns zu 11 ns Abfallzeitbereich
  • 10 ns bis 24 ns Anstiegszeitbereich
  • 11 ns bis 20 ns Typische Einschaltverzögerungszeit
  • 10 ns bis 25 ns Typische Ausschaltverzögerungszeit
  • 45 S zu 100 S minimaler Transkonduktanzbereich
  • 65 W bis 136 W Verlustleistungsbereich
  • -55 °C bis +175 °C Betriebstemperaturbereich
Veröffentlichungsdatum: 2024-11-05 | Aktualisiert: 2025-09-24