Infineon Technologies OptiMOS™ 7 40 V Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen
Infineon Technologies OptiMOS™ 7 40-V-Automotive-Leistungs-MOSFETs sind Hochstrom-MOSFETs mit niedrigem RDS(on) und optimiertem Schaltverhalten. Diese N-Kanal- Fahrzeug MOSFETs bieten Hochleistungsdichte, geringe Leitungsverluste und Hochstromdichte. Die OptiMOS™ 7 MOSFETs sind in einem fortschrittlichen unbedrahteten 3 mm x 3 mm Gehäuse mit Cu-Clip für einen niedrigen Gehäuse-Ron und eine minimale Streuinduktivität verfügbar. Diese MOSFETs sind 100 % Avalanche-getestet und RoHs-konform. Die OptiMOS™ 7 MOSFETs eignen sich hervorragend für Applikationen, wie z. B. Leistungsverteilung, Fensterheber, Powersitz, EPS mit hoher Redundanz und Karosseriesteuerungsmodule.
Merkmale
- Hohe Leistung und Stromdichte
- Lead-Frame-Gehäuse mit hoher Wärmekapazität
- Reduzierte Leitungsverluste
- Optimiertes Schaltverhalten
- 60A Stromkapazität
- RDS(on) -Bereich: 1,2 mΩ bis 4,9 mΩ
- 40 V VDS (max.)
- 60 A ID (bei 25 °C) (max.)
- 3 mm x 3 mm kleiner Footprint
- JEDEC-Industriestandard-Gehäuse PG-TSDSON-8
- 100 % Avalanche-getestet
- RoHS-konform
- AEC-Q101-qualifiziert
Applikationen
- Stromverteilung
- Karosseriesteuerungsmodule
- Fensterheber
- Hebebühne
- Elektrisch verstellbare Sitze
- Elektrische Feststellbremse
- EPS mit hoher Redundanz
- Kleine BLDC-Antriebe
Gehäuseabmessungen
OptiMOS™ 7 Fahrzeug Leistungs-MOSFETs
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Veröffentlichungsdatum: 2025-04-24
| Aktualisiert: 2026-01-15