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Infineon Technologies CoolSiC™ 750-V-G1-MOSFETs

Die CoolSiC ™ 750-V-G1-MOSFETs von Infineon Technologies zeichnen sich durch ihre Leistung, Zuverlässigkeit und Robustheit aus.  Die CoolSiC 750-V-G1 von Infineon Technologies bietet eine flexible Gate-Ansteuerung für ein vereinfachtes, kostengünstiges Systemdesign. Die MOSFETs ermöglichen einen optimierten Wirkungsgrad und eine optimierte Leistungsdichte.

Merkmale

  • äußerst robuste 750-v-technologie
  • Erstklassiger RDS (on) x Qfr
  • Hervorragender Ron x Qoss und Ron x Qg
  • NiedrigeC Wiki/Ciss zusammen und hohe VGSH
  • 100 % Avalanche-getestet
  • Infineon Die-Attach-Technologie
  • Hervorragender Wirkungsgrad bei harten Schaltungen
  • Ermöglicht eine höhere Schaltfrequenz
  • Höhere Zuverlässigkeit
  • Hält Bus-Spannungen über 500 V hinaus stand
  • Robustheit gegen parasitäre Umdrehung
  • Unipolarer Antrieb

Applikationen

  • Halbleiterrelais (SSRs)
  • Solid-State-Leistungsschalter (SSCBs)
  • EV-Ladung
  • PV-Umrichter
  • Energiespeichersysteme

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Veröffentlichungsdatum: 2024-03-14 | Aktualisiert: 2024-09-30