Infineon Technologies CoolMOS™ 7 Superjunction-MOSFETs

Infineon bietet ein umfassendes Portfolio an Gate-Treiber-ICs – EiceDRIVER™, das für zahlreiche Applikationen und diverse Schalttypen, wie MOSFET, Kelvin-Source-MOSFETs und GaN-HEMTs optimiert ist.

Infineon CoolMOS C7-MOSFETs sind für eine Leistungsfähigkeit mit einem Wirkungsgrad auf Rekordniveau ausgelegt und bieten erhebliche Effizienzgewinne über den gesamten Lastbereich in hart schaltenden Applikationen gegenüber den CoolMOS-Vorgänger-Baureihen und Konkurrenzprodukten.Mit einer sehr niedrigen R_DS(on)/Gehäuse und den geringen Schaltverlusten, die den Wirkungsgrad über den gesamten Lastbereich erhöhen, sind C7-MOSFETs mit ihrer Technologie einen Schritt voraus. Die C7-MOSFETs sind optimiert für die Blindleistungskompensation (CCM PFC), TTF (Two Transistor Forward) und Solarverstärkung in Applikationen wie z. B. Solar, Server, Telekommunikation und UPS.

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Infineon CoolMOS C7-MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ C7-Gold (G7) MOSFETs sind im neuen SMD-TO-Leadless-Gehäuse (TOLL) mit Kelvin-Source-Fähigkeit untergebracht. Die G7-MOSFETs kombinieren eine verbesserte 600V- und 650V-CoolMOS-G7-Technologie, 4-Pin-Kelvin-Source-Fähigkeit und die verbesserten thermischen Eigenschaften des TO-Leadless-Gehäuses. Dadurch wird eine SMD-Lösung für hart schaltende Hochstrom-Topologien, wie Blindleistungskompensation (PFC) bis zu 3 kW, ermöglicht. Für die 600V-CoolMOS-G7, können MOSFETs für resonante Schaltkreise, wie z. B. High-End-LLC, verwendet werden.

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Infineon CoolMOS G7-MOSFETs

Infineon CoolMOS CFD7 MOSFETs verfügen übe eine Hochspannungs-Superjunction-MOSFET-Technologie mit einer integrierten schnellen Body-Diode. Die CFD7 MOSFETs sind eine ideale Wahl für Resonanz-Topologien in Hochleistungs-SNT-Applikationen, wie Server, Telekommunikation und EV-Ladestationen. Das CFD7 kommt mit einer reduzierten Gate-Ladung (Qg), einem verbesserten Ausschaltverhalten und einer Sperrverzögerungsladung (Qrr), die bis zu 69 % niedriger ist als bei vergleichbaren MOSFETs. Außerdem bieten die CFD7 eine der niedrigsten Sperrverzögerungszeiten (trr) auf dem Markt. Diese Eigenschaften verleihen den CoolMOS CFD7 einen hohen Wirkungsgrad mit erstklassiger Zuverlässigkeit in weich schaltenden Topologien. Zu den Applikationen gehören LLC- und ZVS-phasenverschobene Vollbrücke. Darüber hinaus ermöglicht der CoolMOS™ CFD7 dank seiner höheren Leistungsdichte eine optimierte R_DS(on).

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Infineon CoolMOS CFD7-MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ P7-MOSFETs bieten ein erstklassiges Preis-/Leistungsverhältnis mit ausgezeichneter Benutzerfreundlichkeit zur Bewältigung von Herausforderungen in verschiedenen Applikationen. Die 700 V und 800 V CoolMOS P7-Leistungs-MOSFETs wurden für Flyback-basierte, stromsparende SNT-Applikationen, einschließlich Adapter und Ladegerät, Beleuchtung, Audio-SNT, AUX und Industrieleistung ausgelegt.Die 600 V CoolMOS P7-Leistungs-MOSFETs zielen nicht nur auf stromsparende, sondern auch auf Hochleistungs-SNT-Applikationen wie z. B. Solar-Wechselrichter, Server und ferngesteuerte EV-Ladestationen ab. Die P7-MOSFETs sind für harte und weiche Schalttopologien vollständig optimiert. 

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Infineon CoolMOS P7-MOSFETs

Infineon Power and Sensing Selection Guide