Infineon Technologies BGA5x1BN6 Rauscharme Verstärker

Zur Infineon Technologies BGA5x1BN6 Verstärker-Produktfamilie gehören rauscharme Verstärker mit hoher Verstärkung von +18 dBm, die Nieder- (600 bis 1.000 MHz), Mittel- (1.805 bis 2.200 MHz) und Hoch- (2.300 bis 2.690 MHz) Frequenzbereiche abdecken. Basierend auf der B9HF Silizium-Germanium-Technologie von Infineon Technologies, werden die BGA5x1BN6 Verstärker von einer Versorgungsspannung von 1,5 V bis 3,6 V betrieben und bieten eine Einzelleistungs-Zweistufen-Steuerung. Der Verstärker bietet eine ausgezeichnete rauscharme Leistung und wettbewerbsfähige Einfügungsdämpfungswerte. Entwickler können den Aus-Zustandmodus des BGA5x1BN6 einfach durch das Ausschalten des VCC aktivieren. Die BGA5x1BN6 Verstärker sind in einem extrem kleinen bleifreien Gehäuse von nur 0,7 x 1,1 mm2 verfügbar und eignen sich daher für Smartphones, die auf dem LTE- oder GSM-Netzwerk laufen.

Merkmale

  • Mehrstufen-Steuerung: Bypass- und hoher Verstärkungs-Modus
  • Sehr kleines bleifreies TSNP-6-2- und/oder TSNP-6-10-Gehäuse
  • Geringe externe Komponentenanzahl
  • Größe: 0,7 x 1,1 mm2

Applikationen

  • Smartphones mit
    • LTE
    • GSM

Blockdiagramm

Blockdiagramm - Infineon Technologies BGA5x1BN6 Rauscharme Verstärker
Veröffentlichungsdatum: 2018-06-26 | Aktualisiert: 2023-05-12