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Infineon Technologies 650 V Automotive-GaN-Transistoren – unten gekühlt

Infineon Technologies 650 V Automotive-GaN-Transistoren – unten gekühlt, ermöglichen einen hohen Strom, einen Spannungsdurchschlag und eine Schaltfrequenz. Die Transistoren von Infineon Technologies verfügen über die patentierte Island Technology®und GaNPX ® -Gehäuse. Das Zellenlayout von Island Technology ermöglicht Hochstrom-Chip und hohe Erträge. Das GaNPX-Gehäuse ermöglicht eine niedrige Induktivität und einen niedrigen thermischen Widerstand in einem kleinen Gehäuse. Der GS-065-060-5-B-A ist ein auf der Unterseite gekühlter TRANSISTOR, der einen niedrigen thermischen Sperrschicht-zu-Gehäuse-Widerstand für anspruchsvolle Hochleistungsapplikationen bietet. Diese Funktionen bieten zusammen eine Leistungsschaltung mit hohem Wirkungsgrad.

Merkmale

  • AEC-Q101 und AutoQual+ ™ (verbesserter AEC-Q101)
  • 650 V Anreicherungstyp-Leistungstransistor
  • Untergekühltes GaNPX-Gehäuse mit niedriger Induktivität
  • RDS (on) = 25 mΩ
  • IDS (max.) = 60 A
  • Extrem niedriger FOM
  • Einfache Gate-Drive-Anforderungen (0 V bis 6 V)
  • Transient-toleranter Gate-Drive (-20/+ 10V)
  • Hohe Schaltfrequenz (>10 MHz)
  • Schnelle und steuerbare Abfall- und Anstiegszeiten
  • Rückwärtsleitungsfähigkeit
  • Keine Sperrverzögerung
  • Kleiner 11 mm2 x 9 mm2 PCB-Footprint
  • Dual-Gate-Pads für ein optimales Board-Layout
  • RoHS-3-konform (6 + 4)

Applikationen

  • On-Board-Ladegeräte
  • Traktionsantrieb
  • DC/DC-Wandler
  • Industrielle Motorantriebe
  • Solar-Wechselrichter
  • Brückenloser Totem-Pole-PFC

Gehäuse und Schaltung

Applikations-Schaltungsdiagramm - Infineon Technologies 650 V Automotive-GaN-Transistoren – unten gekühlt

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Veröffentlichungsdatum: 2023-03-06 | Aktualisiert: 2024-08-22