• MR25H128A / MR25H256A
  Serieller SPI-MRAM
• Paralleler
  256 KB-MRAM
• Paralleler
  1MB-MRAM
• Paralleler
  4MB-MRAM
  
• Paralleler
  16MB-MRAM
• Serieller
  MRAM
  

Produktliste anzeigen Weitere Ressourcen MR25H128A Datenblatt MR25H256A Datenblatt MR25H128A / MR25H256A serieller SPI-MRAM Die seriellen SPI-MRAM-Bausteine MR25H128A und MR25H256A von Everspin ermöglichen zufällige Lese- und Schreibvorgänge im Speicher ohne Verzögerung zwischen den Schreibvorgängen. Diese MRAM-Bausteine eignen sich ideal für Applikationen, die Daten und Programme schnell mit einer kleinen Anzahl von E/A-Pins speichern und abrufen müssen. Der MR25H128A ist ein 128 Kb-Baustein, der in 16.384 Wörter von jeweils 8 Bit organisiert ist. Der MR25H128A bietet serielles EEPROM und serielles Flash-kompatibles Lese-/Schreib-Timing ohne Schreibverzögerungen und unbegrenzte Lese-/Schreibbeständigkeit. Der MR25H256A ist ein 262.144-Bit-Baustein, der in 32.768 Wörter von jeweils 8 Bit organisiert ist. Der MR25H256A bietet serielles EEPROM und serielles Flash-kompatibles Lese-/Schreib-Timing ohne Schreibverzögerungen und unbegrenzte Lese-/Schreibbeständigkeit.

Merkmale Keine Schreibverzögerungen Unbegrenzte Schreibbeständigkeit Länger als 20 Jahre Datenspeicherung Automatischer Datenschutz bei Leistungsverlust Blockierschreibschutz Schnelle, einfache SPI-Schnittstelle mit bis zu 40 MHz Taktrate Leistungsversorgungsbereich: 2,7 bis 3,6 V Schlafmodus mit niedrigem Stromverbrauch Industrie- und Automobiltemperaturen Erhältlich in einem 8-poligen RoHS-konformen DFN-Small-Flag-Gehäuse. Direkter Ersatz für serielle EEPROMs, Flash, FeRAMs Industrietaugliche und AEC-Q100 Klasse 1- und Klasse 3-Optionen Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe MSL-3

MR25H128A Blockdiagramm

MR25H256A Blockdiagramm

Everspin Technologies Paralleler 256KB-MRAM

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Weitere Ressourcen

• MR256A08B Datenblatt
• MR256D08B Datenblatt

Der Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) MR256A08B / MR256D08B von Everspin Technologies ist als 262.144-Bit Baustein ausgelegt und in 32.768 Wörter von jeweils 8 Bit organisiert. Die MR256A08B / MR256D08B sind die ideale Speicherlösung für Applikationen, die kritische Daten und Programme schnell speichern und abrufen müssen.

Die Daten werden für mehr als 20 Jahre nichtflüchtig aufrechterhalten und automatisch vor Stromausfall durch Niederspannungs-Sperrschaltkreise geschützt, um Schäden durch Spannung die nicht im angegebenen Bereich liegen, zu vermeiden. 

MR256A08B Merkmale ? Datenblatt 32K x 8 MRAM 3,3 V Stromversorgung Schnelle Lese-/Schreibzyklen von 35 ns Unbegrenzte Lese- und Schreibbeständigkeit SRAM-kompatibles Timing Native Nicht-Flüchtigkeit Die Daten werden bei der angegebenen Temperatur für mehr als 20 Jahre nichtflüchtig aufrechterhalten Gehäuse kompatibel mit ähnlichen Niedrigstrom-SRAM und anderen nicht-flüchtigen RAM-Produkten: TSOP2 - kleiner Footprint, 400-mil, Kleinformat, 33-polig, Kunststoff BGA-48-Pin 32-polige SOIC-Gehäuse Temperaturbereich: kommerziell: 0 °C bis +70 °C industriell: -40 bis +85 C

MR256D08B Merkmale Datenblatt Dual-Versorgung 32 K x 8 MRAM +3,3 V Stromversorgung E/A-Spannungsbereich unterstützt breite +1,65 bis +3,6 Voltschnittstellen Schnelle Lese-/Schreibzyklen von 45 ns SRAM-kompatibles Timing Unbegrenzte Lese- und Schreibbeständigkeit Die Daten werden bei der angegebenen Temperatur für mehr als 20 Jahre nichtflüchtig aufrechterhalten BGA-Gehäuse - 48-Pin, 8 mm x 8 mm mit 0,75 mm Kugelzentren  Kommerzieller Temperaturbereich: 0 °C bis +70 °C

Teile-Nr.	Gehäusetyp
MR256A08BCSO35	32-SOIC
MR256A08BCSO35R	32-SOIC, T&R
MR256A08BSO35	32-SOIC
MR256A08BSO35R	32-SOIC, T&R
MR256A08BCYS35	44-TSOP
MR256A08BCYS35R	44-TSOP, T&R
MR256A08BYS35	44-TSOP
MR256A08BYS35R	44-TSOP, T&R
MR256A08BCMA35	48-BGA
MR256A08BCMA35R	48-BGA, T&R
MR256A08BMA35	48-BGA
MR256A08BMA35R	48-BGA, T&R
MR256D08BMA45	48-BGA
MR256D08BMA45R	48-BGA, T&R

MR256A08BF Blockdiagramm

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MR256D08B Blockdiagramm


 

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Weitere Ressourcen

• MR0A08B Datenblatt
• MR0D08B Datenblatt
• MR0A16A Datenblatt
• Produktänderungshinweis

Everspin Technologies Paralleler 1 MB-MRAM

Die MR0A08B, MR0D08B und MR0A16A sind Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)-Bausteine mit 1.048.576-Bit von Everspin Technologies. Die MRAM-Bausteine von Everspin sind in einer Vielzahl von Spezifikationen erhältlich, z. B. duale Versorgung, serielle SPI und sind in 131.072 Wörter von jeweils 8 Bit oder 65.536 Wörter von jeweils 16 Bit organisiert. Diese MRAM-Bausteine bieten schnelle Lese-/Schreib-Zyklen von 35 ns oder 45 ns ohne Schreibverzögerungen und unbegrenzter Haltbarkeit (d. h. unbegrenzt viele Lese- und Schreibzugriffe).

MR0A08B Merkmale Datenblatt Dual-Versorgung organisiert in 131.072 Wörter von jeweils 8 Bit Schnelle Lese-/Schreibzyklen von 35 ns SRAM-kompatibes Timing, nutzt die vorhandenen SRAM-Regler ohne Umgestaltung Unbegrenzte Haltbarkeit / unbegrenzt viele Lese- und Schreibzugriffe Die Daten werden bei der angegebenen Temperatur für mehr als 20 Jahre nichtflüchtig aufrechterhalten Ein Speicher ersetzt Flash, SRAM, EEPROM und BBSRAM in Systemen für einfachere und effizientere Konstruktionen Ersetzt batteriegestützte SRAM-Lösungen mit MRAM, eliminiert eine Batteriemontage und verbessert die Zuverlässigkeit 3,3 Volt Stromversorgung Automatischer Datenschutz bei Leistungsverlust

MR0D08B Merkmale Datenblatt Dual-Versorgung organisiert in 131.072 Wörter von jeweils 8 Bit Schnelles Lese-/Schreib-Timing von 45 ns mit unbegrenzter Haltbarkeit SRAM-kompatibles Timing Die Daten werden bei der angegebenen Temperatur für mehr als 20 Jahre nichtflüchtig aufrechterhalten Ein Speicher ersetzt Flash SRAM, EEPROM und BBSRAM in Systemen für einfachere und effizientere Konstruktionen +3,3 Volt Stromversorgung E/A-Spannungsbereich unterstützt breite +1,65 bis +3,6 Volt Schnittstellen Verbessert die Zuverlässigkeit durch Austausch von batteriegestütztem SRAM

MR0A16A Merkmale Datenblatt Schnelle Lese-/Schreibzyklen von 35 ns In 65.536 Wörter von jweils 16 Bits organisiert SRAM-kompatibes Timing und Pinbelegung nutzt die vorhandenen SRAM-Regler ohne Umgestaltung Unbegrenzte Haltbarkeit / unbegrenzt viele Lese- und Schreibzugriffe Die Daten werden bei der angegebenen Temperatur für mehr als 20 Jahre nichtflüchtig aufrechterhalten Ein Speicher ersetzt Flash, SRAM, EEPROM und BBRAM in Systemen für einfachere und effizientere Konstruktionen Ersetzt batteriegestützte SRAM-Lösungen mit MRAM und eliminiert eine Batteriemontage sowie Zuverlässigkeits- und Haftungsprobleme. 3,3 Volt Stromversorgung Automatischer Datenschutz bei Leistungsverlust

Teile-Nr.	Gehäusetyp
MR0A08BCYS35	44-TSOP
MR0A08BSO35	32-SOIC
MR0A08BMA35	48-BGA
MR0A08BCMA35	48-BGA
MR0A08BYS35	44-TSOP
MR0A08BYS35R	44-TSOP, T&R
MR0A08BCYS35R	44-TSOP, T&R
MR0A08BSO35R	32-SOIC, T&R
MR0A08BMA35R	48-BGA, T&R
MR0A08BCMA35R	48-BGA, T&R
MR0D08BMA45	48-BGA
MR0D08BMA45R	48-BGA, T&R
MR0A16ACYS35	44-TSOP
MR0A16AYS35	44-TSOP
MR0A16AMA35	48-BGA
MR0A16ACMA35	48-BGA
MR0A16AVYS35	44-TSOP
MR0A16AVMA35	48-BGA
MR0A16AYS35R	44-TSOP
MR0A16ACYS35R	44-TSOP, T&R
MR0A16AVYS35R	44-TSOP, T&R
MR0A16AMA35R	48-BGA, T&R
MR0A16ACMA35R	48-BGA, T&R
MR0A16AVMA35R	48-BGA, T&R

MR0A08B Blockdiagramm

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MR0D08B Blockdiagramm

 

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MR0A16A Blockdiagramm

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Weitere Ressourcen

• Produktänderungshinweis
• MR2A08A 8-Bit-Datenblatt
• MR2A16A 16-Bit Datenblatt
• 
  

Die parallelen 4 MB-MRAM-Bausteine MR2A08A und MR2A16A von Everspin Technologies bieten SRAM-kompatibles 35 ns Lese-/Schreib-Timing mit unbegrenzter Haltbarkeit. Der 4.194.304-Bit-Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)-Baustein MR2A08A von Everspin Technologies ist in 524.288 Wörter von jeweils 8 Bits organisiert.

Der MR2A16A von Everspin ist ein 4.194.304-Bit MRAM-Baustein und in 262.144 Wörter von jeweils 16 Bits organisiert. Die Daten werden für mehr als 20 Jahre nichtflüchtig aufrechterhalten Die Daten sind automatisch vor Stromausfall durch Niederspannungs-Sperrschaltkreise geschützt, um Schäden durch Spannung, die nicht im angegebenen Bereich liegt, zu vermeiden. Die MR2A08A und MR2A08A sind die ideale Speicherlösung für Applikationen, die kritische Daten und Programme schnell speichern und abrufen müssen.

Die MR2A08A und MR2A16A sind in 44-poligen, kleinformatigen 400-mil-TSO-Typ-II-Kunststoff-Gehäusen mit kleinem Footprint oder in 8 mm x 8 mm, 48-Pin-Ball Grid Array (BGA)-Gehäusen mit 0,75 mm Kugelzentren erhältlich. Diese Gehäuse sind kompatibel mit ähnlichen Niedrigstrom-SRAM und anderen nicht-flüchtigen RAM-Produkten:

Die MR2A08A und MR2A16A bieten eine äußerst zuverlässige Datenspeicherung über einen breiten Temperaturbereich. Diese Produkte sind für den Betrieb im kommerziellen Temperaturbereich von (0 bis +70 °C), industriellen Temperaturbereich (-40 bis +85 °C) und erweiterten Temperaturbereich (-40 °C bis +105 °C) vorgesehen.

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Produktänderungshinweis
MR4A16B 16-Bit Datenblatt

MR4A16B Blockdiagramm

MR4A08B 8-Bit Datenblatt

MR4A08B Blockdiagramm

Everspin Technologies Paralleler 16 MB-MRAM

Die parallelen 16 Mb-MRAM-Bausteine MR4A08B und MR4A16B von Everspin Technologies bieten SRAM-kompatibles 35 ns Lese-/Schreib-Timing mit unbegrenzter Haltbarkeit. Der MR4A08B von Everspin Technologies ist ein 16.777.216 Bit Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)-Baustein, der in 2.097.152 Wörter von jeweils 8 Bits organisiert ist.

Der MR4A16B von Everspin Technologies ist in 1.048.576 Wörtern von jeweils 16 Bits organisiert. Bei beiden MRAM-Bausteine werden die Daten für mehr als 20 Jahre nichtflüchtig aufrechterhalten. Die Daten sind automatisch vor Stromausfall durch Niederspannungs-Sperrschaltkreise geschützt, um Schäden durch Spannung, die nicht im angegebenen Bereich liegt, zu vermeiden.

Der MR4A08B ist in einem 44-poligen, kleinformatigen 400-mil-TSO-Typ-II-Kunststoff-Gehäuse mit kleinem Footprint oder in einem 10 mm x 10 mm, 48-Pin-Ball Grid Array (BGA)-Gehäuse mit 0,75 mm Kugelzentren erhältlich. Der MR4A16B ist in einem 48-Pin-Ball Grid Array (BGA)-Gehäuse mit kleinem Footprint und in einem dünnen kleinformatigem 54-Pin-Gehäuse (TSOPII) erhältlich.

Beide Produkte bieten eine äußerst zuverlässige Datenspeicherung über einen breiten Temperaturbereich. Diese Produkte sind für den Betrieb im kommerziellen Temperaturbereich von (0 bis +70 °C), industriellen Temperaturbereich (-40 bis +85 °C) und Automobil-Temperaturbereich (-40 °C bis +125 °C) vorgesehen.

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Everspin Technologies Serieller SPI-MRAM

Die seriellen SPI-MRAM MR25H256 / MR25H10 / MR25H40 von Everspin Technologies bieten kompatiblen seriellen EEPROM und serielles Flash-kompatibles Lese-/Schreib-Timing ohne Schreibverzögerungen und grenzenlose Lese-/Schreib-Haltbarkeit. Im Gegensatz zu anderen seriellen Speichern, entstehen zufällige Lese- und Schreibvorgänge im Speicher ohne Verzögerung zwischen den Schreibvorgängen.

Diese MRAM-Bausteine von Everspin eignen sich ideal für Applikationen, die Daten und Programme schnell mit einer kleinen Anzahl von E/A-Pins speichern und abrufen müssen. Die seriellen MRAM-Bausteine sind in einem 5 mm x 6 mm großen 8-poligen DFN-Gehäuse oder einen 5 mm x 6 mm großen 8-poligen DFN-Small Flag-Gehäuse erhältlich. Beide sind kompatibel mit seriellem EEPROM, Flash und FeRAM-Produkten.

Der MR25H40 bietet eine äußerst zuverlässige Datenspeicherung über einen breiten Temperaturbereich. Das Produkt ist für den Betrieb im industriellen Temperaturbereich (-40 bis +85 °C) und AEC-Q100-zertifizierten Betriebstemperaturbereich (-40 °C bis +125 °C) vorgesehen.