EPCOS / TDK B82804A Serien Gate-Drive-Transformator

EPCOS B82804A Serien Gate-Drive-Transformatoren werden genutzt, um Gate-Drive-Schaltkreise zu MOSFETs und IGBTs zu koppeln bei Schaltfrequenzen im Bereich von 150KHz durch verschiedene MHz. Dank eines miniaturisierten EP5 Core misst der Transformator 8.1 x 6.7 x 5.4 mm, was zu einer erheblichen Platzersparnis auf der Leiterplatte führt. EPCOS B82804A Serien Gate-Drive-Transformatoren weisen geringe Streuinduktivitäten auf und die Parasitärkapazität zwischen den Winden beträgt nur 25 bis 95 pF. Kurzfristige Spannungsfestigkeit ist bis 1500 VDC für alle Arten von B82804A Serien Gate-Drive-Transformator getestet. Sie sind für Umgebungstemperaturen von bis zu 85ºC und Betriebstemperatur von bis zu 125ºC entwickelt. Anwendungen umfassen Halb- und Vollbrücken-Konverter wie in Frequenzumwandlern oder Wechselrichtern. 

Merkmale

  • 5.4mm max height
  • 8.1 x 6.7mm footprint
  • Low leakage inductance
  • Low inter-winding capacitance
  • High SRF value
  • High isolation between primary and secondary side

Applikationen

  • Gate drive transformers
  • General purpose (non-automotive)
  • Isolated AC/DC, DC/DC converters
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Teilnummer Induktivität Beschreibung
B82804A0264A210 264 uH Impulstransformatoren 264uH, 2 Outputs Turns Ratio: 1:1:1
B82804A0474A125 473 uH Impulstransformatoren 473uH Turns Ratio: 2.5:1
B82804A0304A225 300 uH Impulstransformatoren 300uH, 2 Outputs Turns Ratio: 2.5:1:1
B82804A0324A220 317 uH Impulstransformatoren 317uH, 2 Outputs Turns Ratio: 2:1:1
B82804A0694A115 690 uH Impulstransformatoren 690uH Turns Ratio: 1.5:1
Veröffentlichungsdatum: 2012-01-19 | Aktualisiert: 2023-07-18