DRAM

DRAM
DRAM von branchenführenden Herstellern sind bei Mouser Electronics erhältlich. Mouser ist ein autorisierter Distributor für viele verschiedene Hersteller von DRAM einschließlich Alliance Memory, ISSI, & Lattice. Sehen Sie unten unsere große Auswahl an DRAM.
Ergebnisse: 2.636
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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Typ
Speichergröße
Datenbus-Weite
Maximale Taktfrequenz
Verpackung/Gehäuse
Organisation
Zugangszeit
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 256Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96, Ind. Temp.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2.090
Mult.: 2.090

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit 933 MHz FPGA-96 256 M x 16 1.283 V 1.575 V - 40 C + 95 C DDR3(L) Tray
Zentel Japan DRAM DDR3 4Gb, 256Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2.090
Mult.: 2.090

SDRAM - DDR3 4 Gbit 16 bit 1.066 GHz FPGA-96 256 M x 16 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C DDR3 Tray
Zentel Japan DRAM DDR3 4Gb, 256Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96, Ind. Temp.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 2.090
Mult.: 2.090

SDRAM - DDR3 4 Gbit 16 bit 1.066 GHz FPGA-96 256 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C DDR3 Tray
Zentel Japan DRAM DDR3L 4Gb, 256Mx16, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-96
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2.090
Mult.: 2.090

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit 1.066 GHz FPGA-96 256 M x 16 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C DDR3L Tray
Zentel Japan DRAM DDR3L 8Gb, 1024Mx8 (1CS, 1ZQ), 1600 at CL11, 1.35V, FBGA-78, Ind. Temp.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2.200
Mult.: 2.200

Tray
Zentel Japan DRAM DDR3L 8Gb, 512Mx16 (1CS, 1ZQ), 1600 at CL11, 1.35V, FBGA-96
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1.900
Mult.: 1.900

SDRAM - DDR3L 8 Gbit 16 bit 800 MHz FPGA-96 512 M x 16 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C DDR3L Tray
Zentel Japan DRAM DDR3L 8Gb, 512Mx16 (1CS, 1ZQ), 1600 at CL11, 1.35V, FBGA-96, Ind. Temp.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1.900
Mult.: 1.900

Tray
ISSI DRAM 16G, 1.35V, DDR3L, 1Gx16,1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000
SDRAM - DDR3L 16 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 1 G x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IS43TR16K01S2L Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

SDRAM - LPDDR4 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 1.06 V 1.17 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

SDRAM - LPDDR4 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 1.06 V 1.17 V - 40 C + 105 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 105 C Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 105 C Reel
ISSI DRAM 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +115C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 190
Mult.: 190
SDRAM - DDR3 2 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 128 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 105 C IS46TR16128C
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

SDRAM - LPDDR4 16 bit 1.6 GHz BGA-200 256 M x 16 1.06 V 1.17 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

SDRAM - LPDDR4 16 bit 1.6 GHz BGA-200 256 M x 16 1.06 V 1.17 V - 40 C + 105 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

SDRAM - LPDDR4X 16 bit 1.6 GHz BGA-200 256 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

SDRAM - LPDDR4X 16 bit 1.6 GHz BGA-200 256 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

SDRAM - LPDDR4X 16 bit 1.6 GHz BGA-200 256 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 105 C Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

SDRAM - LPDDR4X 16 bit 1.6 GHz BGA-200 256 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 105 C Reel
ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

SDRAM - LPDDR4X 16 bit 1.6 GHz BGA-200 256 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s at 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500
SDRAM - DDR4 4 Gbit 16 bit BGA-96 256 M x 16 1.14 V 1.26 V 0 C + 95 C IS43QR16256B Reel
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s at 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

SDRAM - DDR4 4 Gbit 16 bit BGA-96 256 M x 16 1.14 V 1.26 V - 40 C + 95 C IS43QR16256B Reel