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= ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor 600V Super-Junktion (SJ) MOSFETs
07.21.2026
07.21.2026
Kompakte Gehäuseoptionen mit niedrigem Profil, die eine hervorragende Dissipation gewährleisten.
ROHM Semiconductor Hochdichte SiC-Leistungsmodule
04.10.2026
04.10.2026
Die TRCDRIVE-Packung™, DOT-247- und HSDIP20-Gehäuse tragen zur leistungsstarken Leistungsumwandlung bei.
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ mit geformten Modulen
03.17.2026
03.17.2026
Mit 1.200 V Nennspannung in einem 41,6 mm × 52,5 mm Gehäuse und integrierten SiC-MOSFETs der 4. Generation.
ROHM Semiconductor TLR2728YFJ-C Operationsverstärker
12.11.2025
12.11.2025
Rail-to-Rail-Eingang-/Ausgang- und Hochgeschwindigkeits-Dual-CMOS-Operationsverstärker.
ROHM Semiconductor LMRx802-LB Operationsverstärker
11.24.2025
11.24.2025
Der Operationsverstärker zeichnet sich durch geringes Rauschen, eine niedrige Eingangs-Offsetspannung und einen niedrigen Eingangsruhestrom aus.
ROHM Semiconductor RN789FM PIN-Diode
11.18.2025
11.18.2025
Kleines Gehäuse, geeignet für eine automatische Verstärkungsregelungsschaltung und einen Antennenverstärker/Antennendämpfungsregler.
ROHM Semiconductor BD79124MUF-C A/D-Wandler
11.18.2025
11.18.2025
Universeller 12-Bit-A/D-Wandler mit 8 Kanälen und sukzessiver Approximation.
ROHM Semiconductor RJ1P10BAT p-Kanal-Leistungs-MOSFET
11.18.2025
11.18.2025
Dieser MOSFET hat einen VDSS-Wert von -100 V und einen ID-Wert (VDS = 10 V) von ±105 A.
ROHM Semiconductor RH7G03BBJFRA p-Kanal-Leistungs-MOSFET
11.18.2025
11.18.2025
Dieser MOSFET hat einen VDSS-Wert von -40 V und einen ID-Wert (VDS = -10 V) von ±22 A.
ROHM Semiconductor BM2P10xJ-Z PWM-Typ DC/DC-Wandler-ICs
11.03.2025
11.03.2025
Verfügen über einen integrierten Schalt- MOSFET von 730 V und werden direkt vom AC-Hochspannungsnetz betrieben.
ROHM Semiconductor 750 V n-Kanal-SiC-MOSFETs
10.17.2025
10.17.2025
Diese Bauteile erhöhen die Schaltfrequenz und dadurch die erforderlichen Kondensatoren, Reaktoren und andere Bauelemente verringern.
ROHM Semiconductor RD3x n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen
10.16.2025
10.16.2025
AEC-Q101-qualifizierte MOSFETs mit niedriger Durchlassspannung, schneller Recoveryzeit und hohem Ableitvermögen.
ROHM Semiconductor BM2P06xJ-Z PWM-Typ-DC/DC-Wandler-ICs
09.26.2025
09.26.2025
Für kompakte und effizient isolierte AC/DC-Power-Strip -Applikationen ausgelegt.
ROHM Semiconductor BM3G115MUV-EVK-003 Evaluierungsboard
08.27.2025
08.27.2025
Wurde entwickelt, um die Fähigkeiten des BM3G115MUV GaN-HEMT-Leistungsschaltung-ICs zu evaluieren und zu demonstrieren.
ROHM Semiconductor BM3G107MUV-EVK-003 Evaluierungsboard
08.27.2025
08.27.2025
Das Board wurde entwickelt, um die Fähigkeiten des BM3G107MUV GaN HEMT Power Stage IC zu evaluieren und zu demonstrieren.
ROHM Semiconductor RQxAT P-Kanal-MOSFETs
08.21.2025
08.21.2025
Die Bauteile verfügen über ein Gehäuse zur Oberflächenmontage mit niedrigem On-Widerstand und sind zu 100 % Rg- und UIS-geprüft.
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1.700-V-N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET
08.21.2025
08.21.2025
Ein mit einer Drain-Source-Spannung von 1.700 V (VDSS) und einem Dauersenkenstrom von 3,9 A (ID) bewerteter SiC-MOSFET.
ROHM Semiconductor RNxMFH PIN-Dioden im Automobilstandard
08.21.2025
08.21.2025
Dioden im Automobilstandard mit ultrakleinem Formkörper, die für Hochfrequenzschaltungen geeignet sind.
ROHM Semiconductor RF202LB2S superschnelle Freilaufdiode
08.21.2025
08.21.2025
Eine superschnelle Freilaufdiode vom Typ Silizium-Epitaxie-Planar mit niedriger VF und geringen Schaltverlusten.
ROHM Semiconductor RJ1x10BBG Leistungs-MOSFETs
08.21.2025
08.21.2025
N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand und einem Hochleistunggehäuse.
ROHM Semiconductor RN242SM PIN-Diode
08.20.2025
08.20.2025
Bietet eine niedrige Kapazität und ein extrem ultrakleines Gehäuse, das für Hochfrequenzschaltungen geeignet ist.
ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Spannung VDSS von 40 V und einem Strom ID von ±12 A, das gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
ROHM Semiconductor RQ5G040AT -40-V-P-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
MOSFETs mit einer Drain-Source-Spannung (VDSS) von -40 V und einem Dauersenkenstrom (ID) von ±4,0 A.
ROHM Semiconductor RH7G04 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs
08.19.2025
08.19.2025
Bei diesen Bauteile handelt es sich um gemäß AEC-Q101 zugelassene MOSFETs mit 40 V VDSS und ±40 A IDim Automobilstandard.
ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Spannung VDSS von 100 V und einem Strom ID von ±40 A, das gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
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Infineon Technologies EVAL_GD_BDS_GAN Evaluation Board
08.06.2026
08.06.2026
Gate driver evaluation board for CoolGaN™ bidirectional switch designs.
Infineon Technologies PSOC™ Control C1 Microcontrollers
08.06.2026
08.06.2026
32-bit control MCUs with Arm® Cortex®-M0 CPU and MATH coprocessor.
Infineon Technologies CoolGaN™ BDS Evaluation Boards
08.06.2026
08.06.2026
Compact daughter boards for evaluating 40V GaN bidirectional switches.
Texas Instruments TPS7H3xx4EVM-CVAL Evaluation Modules
08.04.2026
08.04.2026
Radiation-tolerant supervisor evaluation modules with flexible rail monitoring.
Analog Devices Inc. MAX22915EVKIT Evaluationskit
08.04.2026
08.04.2026
Bewährtes Design zur Evaluierung des MAX22915, eines 8-Kanal-High-Side-Schalters mit erweiterten Diagnosefunktionen.
Texas Instruments ISO7741U Evaluierungsmodul
08.04.2026
08.04.2026
Galvanisch getrenntes Vierkanal-Evaluierungsmodul in einem Ultra-Wide-SSOP-Gehäuse (DUW-16).
Texas Instruments TRF2001 ISM Band Multiprotocol & Wi-SUN RF FEM
08.04.2026
08.04.2026
A high-performance RF FEM for low-power wireless applications in the sub-1GHz band.
Analog Devices Inc. MAX22215 Evaluationsboard
08.04.2026
08.04.2026
Zur Evaluierung des MAX22215 in Kombination mit dem Trinamic-Evaluierungsboardsystem vorgesehen.
NXP Semiconductors FRDM i.MX 95 Pro Development Board
08.04.2026
08.04.2026
Evaluiert den i.MX 95 Applikationsprozessor in einem kompakten Gehäuse von 19 mm x 19 mm.
Texas Instruments TPS25752A Evaluierungsmodul
08.04.2026
08.04.2026
Unterstützt Single-Port-USB Type-C® und Power Delivery-Applikationen (PD) im Source-Only-Modus.
Texas Instruments ESD2CANFD24W-Q1 ESD Protection Diodes
08.04.2026
08.04.2026
Automotive ESD protection diodes for CAN, CAN FD, CAN SIC, and CAN XL networks.
Würth Elektronik WL-OCHS Hochgeschwindigkeits-Optokoppler
08.04.2026
08.04.2026
Bieten eine sehr hohe Übertragungsgeschwindigkeit im MHz- bis MBit/s-Bereich.
Analog Devices Inc. MAX22915 Oktaler Industrie-High-Side-Schalter
08.04.2026
08.04.2026
Eingebauter 7-Bit-ADC zur Überwachung der Chip-Temperatur des Ausgangsstroms pro Kanal oder der VDD-Versorgungsspannung.
Chip Quik DFN-6 to DIP-6/10 SMT Adapters
08.03.2026
08.03.2026
Constructed using FR-4 material and PCB measures 25.4mm x 7.62mm x 1.6mm.
Texas Instruments BQ25640EVM Evaluierungsmodul
08.03.2026
08.03.2026
Komplettes Evaluierungssystem für den BQ25640 IC, ein Schaltmodus-Abwärtswandler-Einzellen-Ladegerät.
Infineon Technologies DEMO_HV_PACKAGE Evaluierungsboard
07.30.2026
07.30.2026
Entdecken Sie Hochspannungs-Bauelemente mit CoolSiC™ und CoolMOS™ für ein effizientes, zuverlässiges Betriebsverhalten.
STMicroelectronics EVL9965T/EVL99BM2T Promotionsboards
07.30.2026
07.30.2026
Diese Promotionsboards integrieren den L9965T oder L99BM2T BMS-Transceiver in ein BMS-System.
onsemi EMD4DXV6 Digitaltransistoren (BRT)
07.30.2026
07.30.2026
Für den Ersatz eines einzelnen Bauteils und sein externes Widerstands-Bias-Netzwerk konzipiert.
STMicroelectronics EVL9965P-N/EVL99BM2P-FN Promotionsboards
07.30.2026
07.30.2026
Bietet dem Benutzer eine Plattform zur Evaluierung der L9965P/L99BM2P Bauteile in einem QFN-Gehäuse.
STMicroelectronics EVL9965A/EVL99BM218 Promotionsboards
07.30.2026
07.30.2026
Promotionsboards für die L9965A/L99BM218 Bauteile in Batteriemanagementsystemen.
onsemi NVNJWS1K6N061L N-Kanal-MOSFET
07.30.2026
07.30.2026
Verfügt über einen niedrigen RDS(on) und einen niedrige Gate-Schwellenwert mit integriertem ESD-Schutz.
NXP Semiconductors TJA1046 Duale Hochgeschwindigkeits-CAN-Transceiver
07.30.2026
07.30.2026
Zwei Hochgeschwindigkeits-CAN-Transceiver mit Standby-Modus und CAN-FD-Unterstützung.
STMicroelectronics EVL9965C-L/EVL99BM2C-L Promotionsboards
07.30.2026
07.30.2026
Promotionsboards für L9965C-L/L99BM2C-L zur Überwachung von Strom, elektrischer Ladung und Isolierung.
Chip Quik Extra-Narrow SMT-to-DIP Adapters
07.29.2026
07.29.2026
Designed to replace obsolete DIP ICs with newer surface-mount components.
STMicroelectronics AEK-MOT-8DCMH98 Halbbrücken-DC-Motortreiber
07.28.2026
07.28.2026
Konzipiert für die Ansteuerung von acht konfigurierbaren Kanälen im Halbbrückenmodus oder von vier Kanälen im Vollbrückenmodus.
Ansicht: 1 - 25 von 8245
