Neueste Halbleiter – Mouser Deutschland

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Arten von Halbleitern

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ROHM Semiconductor 600V Super-Junktion (SJ) MOSFETs

07.21.2026

- Kompakte Gehäuseoptionen mit niedrigem Profil, die eine hervorragende Dissipation gewährleisten.

ROHM Semiconductor Hochdichte SiC-Leistungsmodule

04.10.2026

- Die TRCDRIVE-Packung™, DOT-247- und HSDIP20-Gehäuse tragen zur leistungsstarken Leistungsumwandlung bei.

ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ mit geformten Modulen

03.17.2026

- Mit 1.200 V Nennspannung in einem 41,6 mm × 52,5 mm Gehäuse und integrierten SiC-MOSFETs der 4. Generation.

ROHM Semiconductor TLR2728YFJ-C Operationsverstärker

12.11.2025

- Rail-to-Rail-Eingang-/Ausgang- und Hochgeschwindigkeits-Dual-CMOS-Operationsverstärker.

ROHM Semiconductor LMRx802-LB Operationsverstärker

11.24.2025

- Der Operationsverstärker zeichnet sich durch geringes Rauschen, eine niedrige Eingangs-Offsetspannung und einen niedrigen Eingangsruhestrom aus.

ROHM Semiconductor RN789FM PIN-Diode

11.18.2025

- Kleines Gehäuse, geeignet für eine automatische Verstärkungsregelungsschaltung und einen Antennenverstärker/Antennendämpfungsregler.

ROHM Semiconductor BD79124MUF-C A/D-Wandler

11.18.2025

- Universeller 12-Bit-A/D-Wandler mit 8 Kanälen und sukzessiver Approximation.

ROHM Semiconductor RJ1P10BAT p-Kanal-Leistungs-MOSFET

11.18.2025

- Dieser MOSFET hat einen VDSS-Wert von -100 V und einen ID-Wert (VDS = 10 V) von ±105 A.

ROHM Semiconductor RH7G03BBJFRA p-Kanal-Leistungs-MOSFET

11.18.2025

- Dieser MOSFET hat einen VDSS-Wert von -40 V und einen ID-Wert (VDS = -10 V) von ±22 A.

ROHM Semiconductor BM2P10xJ-Z PWM-Typ DC/DC-Wandler-ICs

11.03.2025

- Verfügen über einen integrierten Schalt- MOSFET von 730 V und werden direkt vom AC-Hochspannungsnetz betrieben.

ROHM Semiconductor 750 V n-Kanal-SiC-MOSFETs

10.17.2025

- Diese Bauteile erhöhen die Schaltfrequenz und dadurch die erforderlichen Kondensatoren, Reaktoren und andere Bauelemente verringern.

ROHM Semiconductor RD3x n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen

10.16.2025

- AEC-Q101-qualifizierte MOSFETs mit niedriger Durchlassspannung, schneller Recoveryzeit und hohem Ableitvermögen.

ROHM Semiconductor BM2P06xJ-Z PWM-Typ-DC/DC-Wandler-ICs

09.26.2025

- Für kompakte und effizient isolierte AC/DC-Power-Strip -Applikationen ausgelegt.

ROHM Semiconductor BM3G115MUV-EVK-003 Evaluierungsboard

08.27.2025

- Wurde entwickelt, um die Fähigkeiten des BM3G115MUV GaN-HEMT-Leistungsschaltung-ICs zu evaluieren und zu demonstrieren.

ROHM Semiconductor BM3G107MUV-EVK-003 Evaluierungsboard

08.27.2025

- Das Board wurde entwickelt, um die Fähigkeiten des BM3G107MUV GaN HEMT Power Stage IC zu evaluieren und zu demonstrieren.

ROHM Semiconductor RQxAT P-Kanal-MOSFETs

08.21.2025

- Die Bauteile verfügen über ein Gehäuse zur Oberflächenmontage mit niedrigem On-Widerstand und sind zu 100 % Rg- und UIS-geprüft.

ROHM Semiconductor RNxMFH PIN-Dioden im Automobilstandard

08.21.2025

- Dioden im Automobilstandard mit ultrakleinem Formkörper, die für Hochfrequenzschaltungen geeignet sind.

ROHM Semiconductor RF202LB2S superschnelle Freilaufdiode

08.21.2025

- Eine superschnelle Freilaufdiode vom Typ Silizium-Epitaxie-Planar mit niedriger VF und geringen Schaltverlusten.

ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1.700-V-N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET

08.21.2025

- Ein mit einer Drain-Source-Spannung von 1.700 V (VDSS) und einem Dauersenkenstrom von 3,9 A (ID) bewerteter SiC-MOSFET.

ROHM Semiconductor RJ1x10BBG Leistungs-MOSFETs

08.21.2025

- N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand und einem Hochleistunggehäuse.

ROHM Semiconductor RN242SM PIN-Diode

08.20.2025

- Bietet eine niedrige Kapazität und ein extrem ultrakleines Gehäuse, das für Hochfrequenzschaltungen geeignet ist.

ROHM Semiconductor RH7L03 60 V N-Kanal Leistungs-MOSFET

08.19.2025

- Ein Automobilstandard-MOSFET, das für VDSS von 60 V und ID von ±35 A ausgelegt und gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.

ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

08.19.2025

- Ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Spannung VDSS von 40 V und einem Strom ID von ±12 A, das gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.

ROHM Semiconductor RH7L04 60 V N-Kanal Leistungs-MOSFETs

08.19.2025

- AEC-Q101-zugelassene MOSFETs für Fahrzeuganwendungen mit 60 V VDSS und ±40 A ID

ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA -30-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET

08.19.2025

- Ein Automobilstandard-MOSFET, das für VDSS von -30 V und ID von ±40 A ausgelegt und gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.

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Filtern nach:

Würth Elektronik WL-OCHS High-Speed Optocouplers

08.04.2026

- Designed to expand the portfolio with reliable galvanic isolation solutions.

Texas Instruments TPS25752A Evaluation Module

08.04.2026

- Supports single-port USB Type-C® and Power Delivery (PD) applications in the source-only capacity.

Texas Instruments TRF2001 ISM Band Multiprotocol & Wi-SUN RF FEM

08.04.2026

- A high-performance RF FEM for low-power wireless applications in the sub-1GHz band.

NXP Semiconductors FRDM i.MX 95 Pro Development Board

08.04.2026

- Evaluate the i.MX 95 Applications Processor in a compact 19 mm x 19 mm package.

Analog Devices Inc. MAX22915EVKIT Evaluation Kit

08.04.2026

- A proven design for evaluating the MAX22915, an 8-channel high-switch with advanced diagnostics.

Analog Devices Inc. MAX22915 Industrial Octal High-Side Switch

08.04.2026

- Built-in 7-bit ADC to monitor chip temperature, per-channel output current, or VDD supply voltage.

Texas Instruments ISO7741U Evaluation Module

08.04.2026

- Galvanically isolated, quad-channel evaluation module in an ultra-wide-SSOP package (DUW-16).

Texas Instruments TPS7H3xx4EVM-CVAL Evaluation Modules

08.04.2026

- Radiation-tolerant supervisor evaluation modules with flexible rail monitoring.

Texas Instruments ESD2CANFD24W-Q1 ESD Protection Diodes

08.04.2026

- Automotive ESD protection diodes for CAN, CAN FD, CAN SIC, and CAN XL networks.

Analog Devices Inc. MAX22215 Evaluation Board

08.04.2026

- Designed to evaluate the MAX22215 in combination with the TRINAMIC evaluation board system.

Chip Quik DFN-6 to DIP-6/10 SMT Adapters

08.03.2026

- Constructed using FR-4 material and PCB measures 25.4mm x 7.62mm x 1.6mm.

Texas Instruments BQ25640EVM Evaluation Module

08.03.2026

- Complete evaluation system for the BQ25640 IC, a switch-mode buck single-cell battery charger.

Infineon Technologies DEMO_HV_PACKAGE Evaluation Board

07.30.2026

- Explore high-voltage packages with CoolSiC™ and CoolMOS™ for efficient, reliable power performance.

onsemi NVNJWS1K6N061L N-Channel MOSFET

07.30.2026

- Features low RDS(on) and low gate threshold with integrated ESD protection.

NXP Semiconductors TJA1046 Dual High-Speed CAN Transceivers

07.30.2026

- Dual high-speed CAN transceivers with Standby mode and CAN FD support.

onsemi EMD4DXV6 Digital Transistors ( BRTs)

07.30.2026

- Designed to replace a single device and its external resistor bias network.

STMicroelectronics EVL9965C-L/EVL99BM2C-L Promotional Boards

07.30.2026

- Promotional boards for the L9965C-L/L99BM2C-L to monitor current, charge, and isolation.

STMicroelectronics EVL9965T/EVL99BM2T Promotional Boards

07.30.2026

- These promotional boards integrate the L9965T or L99BM2T BMS transceiver in a BMS system.

STMicroelectronics EVL9965A/EVL99BM218 Promotional Boards

07.30.2026

- Promotional boards for the L9965A/L99BM218 devices in battery management systems.

STMicroelectronics EVL9965P-N/EVL99BM2P-FN Promotional Boards

07.30.2026

- Provides the user with a platform to evaluate the L9965P/L99BM2P devices in a QFN package.

Chip Quik Extra-Narrow SMT-to-DIP Adapters

07.29.2026

- Designed to replace obsolete DIP ICs with newer surface-mount components.

STMicroelectronics STEVAL-PDUBV1 Power Distribution ECU

07.28.2026

- Based on the SPC58NG84E7 Chorus 6M MCU and STi2Fuse devices.

STMicroelectronics AEK-MOT-8DCMH98 Half-Bridge DC Motor Driver

07.28.2026

- Designed to drive eight configurable channels in half-bridge or four channels in full-bridge mode.

STMicroelectronics AEK-POW-PDUMINI PDU Board

07.28.2026

- Manages low-voltage power distribution in vehicles by consolidating connections in a compact design.

Infineon Technologies KIT_HB_GaN Half-bridge Daughterboards

07.27.2026

- Integrate different gate drive solutions for CoolGaN™ transistors 650V G5.

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