InterFET Neueste Diskrete Halbleiter

Arten von diskreten Halbleitern
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InterFET IFN160 50 V n-Kanal-JFETs mit niedriger Ciss
InterFET IFN160 50 V n-Kanal-JFETs mit niedriger Ciss
10.28.2024
Verfügen über einen niedrigen Gate-Ableitstrom, eine niedrige Grenzspannung und eine niedrige Eingangskapazität (Ciss).
InterFET IFN201 und IFN202 40-V-n-Kanal-JFETs mit niedriger Ciss
InterFET IFN201 und IFN202 40-V-n-Kanal-JFETs mit niedriger Ciss
10.28.2024
Feature low gate leakage, low input capacitance (Ciss), and high radiation tolerance.
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ROHM Semiconductor ESDxxVFM Transient Voltage Suppressors
ROHM Semiconductor ESDxxVFM Transient Voltage Suppressors
10.23.2026
These are high-reliability, small-mold devices with a silicon epitaxial planar structure.
ROHM Semiconductor RS4P063BPHZG Wide-SOA N-Channel Power MOSFET
ROHM Semiconductor RS4P063BPHZG Wide-SOA N-Channel Power MOSFET
10.23.2026
Features an expanded Safe Operating Area that helps suppress secondary breakdown.
ROHM Semiconductor RGA50TxX2HR Automotive Field Stop Trench IGBTs
ROHM Semiconductor RGA50TxX2HR Automotive Field Stop Trench IGBTs
10.22.2026
These devices feature low switching and conduction losses.
ROHM Semiconductor RGA50TxX2EHR Automotive Field Stop Trench IGBTs
ROHM Semiconductor RGA50TxX2EHR Automotive Field Stop Trench IGBTs
10.22.2026
These devices feature low switching and conduction losses.
Diodes Incorporated DMN2005K N-Ch E-Mode Field-Effect Transistor
Diodes Incorporated DMN2005K N-Ch E-Mode Field-Effect Transistor
10.19.2026
Features low on-resistance, a very low gate threshold voltage, and fast switching performance.
Qorvo QPD1000A GaN - Transistor mit angepasster Eingangsspannung
Qorvo QPD1000A GaN - Transistor mit angepasster Eingangsspannung
10.14.2026
50Ω Eingangsangepasste diskrete GaN-auf-SiC HEMT, die von 30MHz-1215MHz an einer 28V Versorgungsspannung betrieben werden.
Qorvo QPD2562L GaN-HF-Leistungstransistor
Qorvo QPD2562L GaN-HF-Leistungstransistor
10.06.2026
Ein diskreter 200 W bis 300 W GaN-on-SiC-HEMT, der von 2,5 GHz bis 2,9 GHz und von 2,9 GHz bis 3,3 GHz arbeitet.
Qorvo QPD1426/QPD1426L GaN-HF-Leistungstransistoren
Qorvo QPD1426/QPD1426L GaN-HF-Leistungstransistoren
10.06.2026
220 W diskrete GaN-on-SiC HEMT, die im Frequenzbereich von 1,2 GHz bis 1,4 GHz arbeiten.
Littelfuse LTKAK1.5-L TVS Diode
Littelfuse LTKAK1.5-L TVS Diode
10.05.2026
Bietet eine Klemmenspannung, die niedriger als bei alternativen Technologien wie beispielsweise MOVs und GDTs ist.
Littelfuse AK6-FB Axial bedrahtete TVS-Dioden
Littelfuse AK6-FB Axial bedrahtete TVS-Dioden
10.05.2026
Speziell für den Schutz von AC- und DC-Leitungen in extrem anspruchsvollen Überspannungsumgebungen konzipiert.
Littelfuse AK8-FB Axial bedrahtete TVS- Dioden
Littelfuse AK8-FB Axial bedrahtete TVS- Dioden
10.05.2026
Speziell für den Schutz von AC- und DC-Leitungen in extrem anspruchsvollen Überspannungsumgebungen konzipiert.
Infineon Technologies HybridPACK™ HD CoolSiC™ MOSFET-Modul
Infineon Technologies HybridPACK™ HD CoolSiC™ MOSFET-Modul
10.02.2026
1400-V-CoolSiC-MOSFET-Modul für Antriebswechselrichter in elektrischen Nutzfahrzeugen.
Littelfuse SP4315-01WTG TVS-Diodenarray
Littelfuse SP4315-01WTG TVS-Diodenarray
10.01.2026
Extrem niedrige Kapazität, bidirektionales Design und Schutz elektronischer Geräte vor zerstörerischen ESD
Littelfuse DSxARP Schottky-Barrieredioden aus Silizium für die Kfz-Industrie
Littelfuse DSxARP Schottky-Barrieredioden aus Silizium für die Kfz-Industrie
09.22.2026
Bietet niedrigen Durchlassspannungsabfall und eine stabile elektrische Leistung.
IXYS IXBOD2 Durchbruch-Diodenmodule
IXYS IXBOD2 Durchbruch-Diodenmodule
09.22.2026
Bietet schnellen und verlässlichen Überspannungsschutz in anspruchsvollen Leistungs-Elektronikanwendungen.
onsemi NVMTS1D1N08X N‐Kanal-Leistungs-MOSFETs
onsemi NVMTS1D1N08X N‐Kanal-Leistungs-MOSFETs
09.17.2026
80-V-MOSFETs für Fahrzeuge mit niedrigem On-Widerstand und Soft-Recovery-Body-Diode.
Vishay SQD50P04-09L 40-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET für die Kfz-Industrie
Vishay SQD50P04-09L 40-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET für die Kfz-Industrie
09.16.2026
Dieses Bauteil eignet sich ideal für Anwendungen in den Bereichen Kfz-Technik, Stromverteilung und industrielle Leistungssteuerung.
STMicroelectronics TVS221SC-1T2 Unidirektionale TVS für eine einzelne Leitung
STMicroelectronics TVS221SC-1T2 Unidirektionale TVS für eine einzelne Leitung
09.15.2026
Zum Schutz von Stromleitungen oder anderen I/Os mit niedriger Geschwindigkeit gegen ESD und kleinen Spannungsstößen konzipiert.
MACOM MLP7102-0503 PIN Diode
MACOM MLP7102-0503 PIN Diode
09.14.2026
Designed for use in passive or active limiters from 100MHz to beyond 20GHz frequency range.
onsemi ESDM1021 ESD-Schutzdiode
onsemi ESDM1021 ESD-Schutzdiode
09.14.2026
Kompakte bidirektionale 2V-ESD-Diode für GPIO und Niederspannungs-Stromleitungsschutz.
Littelfuse AK10-FB Axial bedrahtete TVS- Dioden
Littelfuse AK10-FB Axial bedrahtete TVS- Dioden
09.10.2026
Speziell für den Schutz von AC- und DC-Leitungen in extrem anspruchsvollen Überspannungsumgebungen konzipiert.
Littelfuse AK1-A Axial bedrahtete TVS-Dioden
Littelfuse AK1-A Axial bedrahtete TVS-Dioden
09.10.2026
Speziell für den Schutz von AC- und DC-Leitungen in extrem anspruchsvollen Überspannungsumgebungen konzipiert.
Littelfuse TP7.0SMD-XC Automotive-TVS-Diode
Littelfuse TP7.0SMD-XC Automotive-TVS-Diode
09.10.2026
Schützt empfindliche elektronische Geräte vor durch Blitzschlag verursachte transiente Spannung.
Littelfuse AK3-A Axial bedrahtete TVS-Dioden
Littelfuse AK3-A Axial bedrahtete TVS-Dioden
09.10.2026
Speziell für den Schutz von AC- und DC-Leitungen in extrem anspruchsvollen Überspannungsumgebungen konzipiert.
Littelfuse AK3-FB Axial bedrahtete TVS- Dioden
Littelfuse AK3-FB Axial bedrahtete TVS- Dioden
09.10.2026
Speziell für den Schutz von AC- und DC-Leitungen in extrem anspruchsvollen Überspannungsumgebungen konzipiert.
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