Tube EEPROM

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Speichergröße
Schnittstellen-Typ
Maximale Taktfrequenz
Organisation
Verpackung/Gehäuse
Zugangszeit
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Montageart
Datenspeicherung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Qualifikation
Verpackung
Microchip Technology EEPROM 4K - 512 x 8 1.8V to 5.5V supply
Datenblatt
1.165Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

4 kbit 2-Wire, I2C 1 MHz 512 x 8 SOIC-Narrow-8 550 ns 1.8 V 5.5 V SMD/SMT 100 Year - 40 C + 85 C Tube

Microchip Technology EEPROM MAC-64 SEEPROM 2K I2C1MHz 8-TSSOP
Datenblatt
149Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

2 kbit 2-Wire, I2C 1 MHz 256 x 8 TSSOP-8 550 ns 1.7 V 5.5 V SMD/SMT 100 Year - 40 C + 85 C Tube
Microchip Technology EEPROM MAC-64 SEEPROM 2K I2C1MHz 8-SOIC-N
Datenblatt
514Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

2 kbit 2-Wire, I2C 1 MHz 256 x 8 SOIC-Narrow-8 550 ns 1.7 V 5.5 V SMD/SMT 100 Year - 40 C + 85 C Tube
Microchip Technology EEPROM 1K (128 X 8) SPI, 1.8V
Datenblatt
1.572Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

1 kbit 3-Wire, SPI 20 MHz 128 x 8 SOIC-Narrow-8 80 ns 1.8 V 5.5 V SMD/SMT 100 Year - 40 C + 85 C AT25010B Tube
Microchip Technology EEPROM 1K (128 X 8) SPI, 1.8V
Datenblatt
350Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

1 kbit 3-Wire, SPI 20 MHz 128 x 8 TSSOP-8 80 ns 1.8 V 5.5 V SMD/SMT 100 Year - 40 C + 85 C AT25010B Tube
Microchip Technology EEPROM 4K (512 X 8) SPI, 1.8V
Datenblatt
2.083Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

4 kbit 3-Wire, SPI 20 MHz 512 x 8 SOIC-Narrow-8 80 ns 1.8 V 5.5 V SMD/SMT 100 Year - 40 C + 85 C AT25040B Tube
Microchip Technology EEPROM 128K Density SPI 16,384 x 8 Organ
Datenblatt
1.353Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

128 kbit 3-Wire, SPI 20 MHz 16 k x 8 TSSOP-8 80 ns 1.8 V 5.5 V SMD/SMT 100 Year - 40 C + 85 C AT25128B Tube

Microchip Technology EEPROM SERIAL EEPROM 16K (2K X 8) SPI 1.8V
Datenblatt
922Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

16 kbit 3-Wire, SPI 20 MHz 2 k x 8 TSSOP-8 80 ns 1.8 V 5.5 V SMD/SMT 100 Year - 40 C + 85 C AT25160B Tube
Microchip Technology EEPROM 1.8V
Datenblatt
878Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

512 kbit SPI 20 MHz 64 k x 8 SOIC-8 80 ns 1.8 V 5.5 V SMD/SMT 100 Year - 40 C + 85 C Tube
Microchip Technology EEPROM 64K Density SPI 8,192 x 8 Organ
Datenblatt
1.507Auf Lager
2.100Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

64 kbit 3-Wire, SPI 20 MHz 8 k x 8 SOIC-Narrow-8 80 ns 1.8 V 5.5 V SMD/SMT 100 Year - 40 C + 85 C AT25640B Tube
Microchip Technology EEPROM 64K Density SPI 8,192 x 8 Organ
Datenblatt
475Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

64 kbit 3-Wire, SPI 5 MHz 8 k x 8 TSSOP-8 80 ns 1.8 V 5.5 V SMD/SMT 100 Year - 40 C + 85 C AT25640B Tube
Microchip Technology EEPROM 1.7-5.5V, 20MHz, Ind Temp, 8-SOIC-W
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236Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

1 Mbit 3-Wire, SPI 20 MHz 128 k x 8 SOIJ-8 80 ns 1.7 V 5.5 V SMD/SMT 100 Year - 40 C + 85 C C/F Tube

Microchip Technology EEPROM 256K 2.7V - 3.6V SDP- 200NS IND TEMP
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37Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

256 kbit Parallel 5 MHz 32 k x 8 PLCC-32 200 ns 2.7 V 3.6 V SMD/SMT 10 Year - 40 C + 85 C AT28BV256 Tube

Microchip Technology EEPROM 256K 2.7V - 3.6V SDP- 200NS IND TEMP
Datenblatt
5Auf Lager
81erwartet ab 19.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

256 kbit Parallel 5 MHz 32 k x 8 SOIC-28 200 ns 2.7 V 3.6 V SMD/SMT 10 Year - 40 C + 85 C AT28BV256 Tube

Microchip Technology EEPROM 200NS IND TEMP PKG- 200NS IND TEMP
Datenblatt
160Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

64 kbit Parallel 5 MHz 8 k x 8 PLCC-32 200 ns 2.7 V 3.6 V SMD/SMT 10 Year - 40 C + 85 C AT28BV64B Tube

Microchip Technology EEPROM 256K 32K x 8 150 ns 4.5V-5.5V
Datenblatt
49Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

256 kbit Parallel 5 MHz 32 k x 8 PLCC-32 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 40 C + 85 C AT28C256 Tube

Microchip Technology EEPROM 256K 11MIL GRIND 150NS IND TEMP
Datenblatt
75Auf Lager
162erwartet ab 19.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1

256 kbit Parallel 5 MHz 32 k x 8 SOIC-28 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 40 C + 85 C AT28C256 Tube

Microchip Technology EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP- 150NS IND TEMP
Datenblatt
105Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

256 kbit Parallel 5 MHz 32 k x 8 PLCC-32 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 40 C + 85 C AT28C256 Tube

Microchip Technology EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP- 150NS IND TEMP
Datenblatt
77Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

256 kbit Parallel 5 MHz 32 k x 8 SOIC-28 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 40 C + 85 C AT28C256 Tube

Microchip Technology EEPROM 256K FAST PROG SDP- 150NS IND TEMP
Datenblatt
57Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

256 kbit Parallel 5 MHz 32 k x 8 PLCC-32 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 40 C + 85 C AT28C256 Tube

Microchip Technology EEPROM 256K 5V SDP 70NS IND TEMP
Datenblatt
49Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

256 kbit Parallel 5 MHz 32 k x 8 SOIC-28 70 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 40 C + 85 C AT28HC256 Tube

Microchip Technology EEPROM 256K 5V SDP - 120NS IND TEMP
Datenblatt
50Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

256 kbit Parallel 5 MHz 32 k x 8 PLCC-32 120 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 40 C + 85 C AT28HC256 Tube

Microchip Technology EEPROM 256K 5V SDP - 90NS IND TEMP
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86Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

256 kbit Parallel 5 MHz 32 k x 8 PLCC-32 90 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 40 C + 85 C AT28HC256 Tube

Microchip Technology EEPROM Parallel EEPROM 5V-120NS, 883c, GR
Datenblatt
59Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

256 kbit Parallel 5 MHz 32 k x 8 PLCC-32 120 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 40 C + 85 C AT28HC256 Tube

Microchip Technology EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP - 90NS IND TEMP
Datenblatt
51Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

256 kbit Parallel 5 MHz 32 k x 8 PLCC-32 90 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 40 C + 85 C AT28HC256 Tube