ISSI Speicher-ICs

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS Produkt
Produkt-Typ
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Speichergröße
Schnittstellen-Typ

ISSI DRAM 64Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS Nicht auf Lager
Min.: 2.500
Mult.: 2.500

DRAM SMD/SMT TFBGA-24 64 Mbit

ISSI DRAM 64Mb, QUADRAM, 2.7V-3.6V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS Nicht auf Lager
Min.: 2.500
Mult.: 2.500

DRAM SMD/SMT TFBGA-24 64 Mbit

ISSI SRAM 128Mb, HyperRAM, 16Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS, Automotive
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

SRAM SMD/SMT TFBGA-24 128 Mb
ISSI SRAM 4Mb,Flow-Through,Sync with ECC,256K x 18,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb,Flow-Through,Sync with ECC,256K x 18,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb,Flow-Through,Sync,256K x 36,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 72
Mult.: 72

SRAM SMD/SMT TQFP-100 9 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb,Flow-Through,Sync,256K x 36,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

SRAM SMD/SMT TQFP-100 9 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb,Flow-Through,Sync,512K x 18,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, 3CE, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

SRAM SMD/SMT QFP-100 9 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb,Pipeline,Sync with ECC,128K x 36,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb, 3.3v, 200Mhz 128K x 36 Sync SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb,Pipeline,Sync with ECC,128K x 36,200Mhz,3.3v I/O,165 Ball BGA, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

SRAM SMD/SMT FBGA-165 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb,Pipeline,Sync with ECC,256K x 18,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb, 3.3v, 200Mhz 256K x 18 Sync SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb,Pipeline,Sync,256K x 36,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP,3CE, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

SRAM SMD/SMT TQFP-100 9 Mbit Parallel
ISSI SRAM 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,1Mb x 18,7.5ns,3.3v/2.5v - I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800
SRAM SMD/SMT TQFP-100 18 Mbit
ISSI SRAM 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,1Mb x 18,7.5ns,3.3v/2.5v - I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 72
Mult.: 72
SRAM SMD/SMT TQFP-100 18 Mbit
ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Flow-Through,Sync with ECC,128K x 36,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit
ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Flow-Through,Sync with ECC,256K x 18,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit
ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Flow-Through,Sync with ECC,256K x 18,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit
ISSI SRAM 8Mb,"No-Wait"/Flow-Through,Sync,512K x 18,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 72
Mult.: 72

SRAM
ISSI SRAM 8Mb,"No-Wait"/Flow-Through,Sync,512K x 18,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

SRAM
ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync with ECC,128K x 36,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit
ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync with ECC,128K x 36,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit
ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync with ECC,256K x 18,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync with ECC,256K x 18,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit Parallel