256 kbit Speicher-ICs

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Menge RoHS Produkt
Produkt-Typ
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Speichergröße
Schnittstellen-Typ

ABLIC EEPROM SERIAL EEPROM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 4.000
Mult.: 4.000
: 4.000

EEPROM SMD/SMT TSSOP-8 256 kbit SPI
Infineon Technologies NVRAM 256Kb 35ns 32K x 8 nvSRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

NVRAM SMD/SMT FBGA-48 256 kbit
Infineon Technologies NVRAM 256Kb 3V 3.4Mhz 32K x 8 SPI nvSRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

NVRAM SOIC-16 256 kbit I2C
Infineon Technologies NVRAM 256Kb 3V 40Mhz 32K x 8 SPI nvSRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

NVRAM SOIC-16 256 kbit SPI
Infineon Technologies NVRAM 256Kb 1.95V 35ns nvSRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2.990
Mult.: 2.990

NVRAM SMD/SMT FBGA-48 256 kbit Parallel
onsemi EEPROM LOW VOLTAGE 256KB SPI SER CMOS EEPROM (ONC18EE PHASE 2) IN SOIC8
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000
EEPROM SMD/SMT SOIC-8 256 kbit SPI

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM,CMOS,HIGH SPEED,32LD PLCC,IND.,120NS, PB FREE
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
: 750

EEPROM PLCC-32 256 kbit Parallel

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM,CMOS,HIGH SPEED,32LD PLCC,IND.,150NS, PB FREE
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

EEPROM PLCC-32 256 kbit Parallel

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM CMOS HI SPD 32LD 150NS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
: 750

EEPROM PLCC-32 256 kbit Parallel

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM,CMOS,HIGHSPEED,32LD PLCC,IND.,90NS, PB FREE
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 240
Mult.: 240

EEPROM PLCC-32 256 kbit Parallel

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM,CMOS,HIGHSPEED,32LD PLCC,IND.,90NS, PB FREE,T
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
: 750

EEPROM PLCC-32 256 kbit Parallel

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM,CMOS,HIGHSPEED,32LD PLCC,120NS, PB FREE
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 240
Mult.: 240

EEPROM PLCC-32 256 kbit Parallel

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM,CMOS,HIGHSPEED,32LD PLCC,120NS, PB FREE, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
: 750

EEPROM PLCC-32 256 kbit Parallel

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM,CMOS,HIGH SPEED,32LD PLCC,COM.,150NS, PB FREE
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 90
Mult.: 90

EEPROM PLCC-32 256 kbit Parallel

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM CMOS HI SPD 32LD 150NS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
: 750

EEPROM PLCC-32 256 kbit Parallel

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM,CMOS,HIGHSPEED,32LD PLCC,90NS, PB FREE
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 30
Mult.: 30

EEPROM PLCC-32 256 kbit Parallel

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM,CMOS,HIGHSPEED,32LD PLCC,90NS, PB FREE, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
: 750

EEPROM PLCC-32 256 kbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 16K X 16K
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
: 750

SRAM SMD/SMT TQFP-100 256 kbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 16K X 16K
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
: 750

SRAM SMD/SMT TQFP-100 256 kbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 16K X 16K
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 90
Mult.: 45

SRAM SMD/SMT TQFP-100 256 kbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 16Kx16,3.3V DUAL- PORT RAM w/INT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
: 750

SRAM SMD/SMT TQFP-100 256 kbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 16Kx16,3.3V DUAL- PORT RAM w/INT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
: 750

SRAM SMD/SMT TQFP-100 256 kbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 16Kx16,3.3V DUAL- PORT RAM w/INT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 90
Mult.: 45

SRAM SMD/SMT TQFP-100 256 kbit Parallel
Renesas Electronics SRAM 16Kx16,3.3V DUAL- PORT RAM w/INT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
: 750

SRAM SMD/SMT TQFP-100 256 kbit Parallel
Renesas / Dialog NOR-Flash 256 Kbit, Wide Vcc (1.65V to 3.6V), -40C to 85C, SOIC-N 150mil (Tube), Single, Dual SPI NOR flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 7.840
Mult.: 98

NOR Flash SMD/SMT SOIC-Narrow-8 256 kbit SPI