32 bit Speicher-ICs

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS Produkt-Typ Montageart Verpackung/Gehäuse Speichergröße Schnittstellen-Typ
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

DRAM SMD/SMT FBGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

DRAM SMD/SMT FBGA-200 8 Gbit
ISSI DRAM 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

DRAM SMD/SMT FBGA-200 8 Gbit
ISSI DRAM 512M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 32Mx16, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

DRAM SMD/SMT FBGA-134 512 Mbit
ISSI DRAM LPDDR2,512M,RoHs 400MHz,16Mx32,IT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-134 512 Mbit
ISSI DRAM 256M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 8Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

DRAM SMD/SMT FBGA-134 256 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

DRAM SMD/SMT BGA-90 64 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 64 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 64 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

DRAM SMD/SMT BGA-90 64 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

DRAM SMD/SMT BGA-90 64 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 64 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 64 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 240
Mult.: 240

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit