PowerSaver Halbleiter

Arten von Halbleitern
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Ergebnisse: 158
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Menge RoHS

ISSI SRAM 8Mb LowPwr/Pwr Saver Async 1Mbx8 45ns
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547Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1


ISSI SRAM 8Mb LowPwr/Pwr Saver Async 512Kx16 45ns
Datenblatt
886Auf Lager
270erwartet ab 15.01.2027
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM 512M, 3.3V, 133Mhz 16Mx32 Mobile SDR
Datenblatt
584Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI IS61WV102416DBLL-10BLI
ISSI SRAM 16Mb High-Speed Async 1Mbx16 10ns
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785Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
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112Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS
Datenblatt
222Auf Lager
234erwartet ab 07.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI SRAM 256K 32Kx8 45ns Async SRAM 3.3v
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146Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI SRAM 2Mb 256Kx8 55ns Async SRAM
Datenblatt
80Auf Lager
702erwartet ab 17.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI SRAM 8Mb LowPwr/Pwr Saver Async 512Kx16 45ns
Datenblatt
14Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM 256M, 2.5V, 133Mhz 8Mx32 Mobile SDR
Datenblatt
161Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM 256M, 1.8V, 133Mhz 16Mx16 Mobile SDR
Datenblatt
25Auf Lager
2.436Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM 256M, 3.3V, 166Mhz 16Mx16 Mobile SDR
Datenblatt
1.392Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM 256M, 1.8V, 166Mhz 16Mx16 Mobile SDR
Datenblatt
1.007Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM 512Mb 1.8V 200Mhz Mobile DDR
Datenblatt
300erwartet ab 24.08.2027
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM 512M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR SDRAM
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265Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 96
Mult.: 96

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v-1.98v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v-1.98v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v-3.6v,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v-3.6v,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500