X-Band GaN-HEMTs und MMICs
Die breiten Banklücken der X-Band GaN-HEMTs und MMICs von Wolfspeed/Cree erhöhen die Durchschlagfeldstärke um das Fünffache und die Leistungsdichte um einen Faktor von 10 bis 20 gegenüber vergleichbaren GaAs-basierten Geräten. GaN-Komponenten von Cree sind kleiner und haben eine geringere Kapazität für dieselbe Betriebsleistung. Dies bedeutet, dass Verstärker über eine größere Bandbreite arbeiten können und eine sehr gute Eingangs- und Ausgangsanpassung zeigen. Aufgrund der bedeutenden Vorteile der GaN HEMTs und MMICs werden ineffiziente GaAs pHEMTs und unzuverlässige Wanderfeldröhren immer weniger in X-Band-Leistungsverstärkern eingesetzt.
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