LMG3100R0x GaN-FETs mit integrierten Treibern
Die Galliumnitrid (GaN)-FETs LMG3100R0x von Texas Instruments verfügen über integrierte Treiber und sind GaN-FETs mit 1,7 mΩ und Treiber mit High-Side-Pegelwandler und Bootstrap. Zwei LGM3100-Bauteile können zu einer Halbbrücke zusammengeschlossen werden, ohne dass ein externer Pegelwandler erforderlich ist. Die GaN-FET- und Treiberkomponenten verfügen über einen integrierten Unterspannungsschutz (UVLO) für die Versorgungsschiene sowie eine interne Bootstrap-Spannungsbegrenzung, um eine Überspannung der Versorgungsspannung (>5,4 V) zu verhindern. Das Bauteil LMG3100R0x von Texas Instruments bietet einen niedrigen Stromverbrauch und eine verbesserte Benutzeroberfläche. Das Bauteil LMG3100R017 ist eine hervorragende Lösung für Applikationen mit hoher Frequenz und Effizienz, einschließlich Auf-/Abwärtswandler, LLC-Wandler, Solarumrichter, Telekommunikation, Motorantriebe, Elektrowerkzeuge und Audioverstärker der Klasse D.
