eMode GaN-FETs

Die Nexperia eMode GaN FETs sind in einem Spannungsbereich von 100 V bis 650 V mit überragender Schaltleistung erhältlich. Diese GaN FETs bieten aufgrund ihrer niedrigen Q_C- und Q_OSS-Werte schnelle Übergangsfunktionen, was zu einer hervorragenden Energieeffizienz führt.