IXSxNxL2Kx Siliciumcarbid (SiC) MOSFETs

IXYS IXSxNxL2Kx Siliciumcarbid(SiC)-MOSFETs haben eine hohe Sperrspannung bei niedrigem Einschaltwiderstand [RDS(ON)]. Der Einschaltwiderstand liegt zwischen 25 mΩ und 160 mΩ, und der Dauersenkenstrom (ID) liegt zwischen 20 A und 111 A. Diese Bauteile bieten Hochgeschwindigkeitsschaltungen mit geringer Kapazität und verfügen über eine ultraschnelle intrinsische Body-Diode. Diese sind mit einer Drain-Source-Spannung (VDSS) von 650 V oder 1.200 V verfügbar. Die IXYS IXSxNxL2Kx MOSFETs aus Siliciumcarbid (SiC) werden in drei Gehäusen angeboten (TO-263-7L, TOLL-8 und TO-247-4L).

Ergebnisse: 13
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Montageart Verpackung/Gehäuse Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus
IXYS SiC-MOSFETs 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L 900Auf Lager
Cut-Tape
11,16 €
6,32 €
6,24 €
5,91 €
Reel
5,91 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7L 1 Channel 650 V 111 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFETs SiC MOSFET in TO263 894Auf Lager
Cut-Tape
6,72 €
4,55 €
3,32 €
Reel
2,99 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 20 A 208 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFETs SiC MOSFET in TO263-7L 870Auf Lager
Cut-Tape
7,67 €
4,19 €
3,85 €
3,57 €
Reel
3,57 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFETs SiC MOSFET in TO263-7L 900Auf Lager
Cut-Tape
9,29 €
5,16 €
4,91 €
4,59 €
Reel
4,59 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFETs 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L 813Auf Lager
Cut-Tape
10,25 €
6,75 €
6,10 €
5,55 €
Reel
5,08 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7L 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFETs 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL 2.084Auf Lager
Cut-Tape
11,16 €
6,32 €
6,24 €
5,83 €
Reel
5,83 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
SMD/SMT TOLL-8 1 Channel 650 V 111 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFETs SiC MOSFET in TOLL 2.095Auf Lager
Cut-Tape
7,59 €
4,14 €
3,80 €
3,76 €
3,56 €
Reel
3,56 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
SMD/SMT TOLL-8 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFETs SiC MOSFET in TOLL 2.090Auf Lager
Cut-Tape
9,18 €
5,10 €
4,83 €
4,58 €
Reel
4,58 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
SMD/SMT TTOLL-8 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFETs 650V 25mohm (100A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L 520Auf Lager
11,37 €
6,45 €
5,98 €
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4L 1 Channel 650 V 99 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 454 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFETs TO247 1200V N CH 20A 542Auf Lager
Cut-Tape
6,40 €
3,43 €
2,80 €
Reel
2,80 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 450
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 20 A 208 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFETs SiC MOSFET in TO247-4L HV 550Auf Lager
7,79 €
4,26 €
3,69 €
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFETs SiC MOSFET in TO247-4L HV 550Auf Lager
9,36 €
6,45 €
4,69 €
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFETs 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L 537Auf Lager
Cut-Tape
10,47 €
6,76 €
6,27 €
Reel
5,47 €
5,23 €
Min.: 1
Mult.: 1
: 450
Through Hole TO-247-4L 1 Channel 1.2 kV 65 A 52 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement