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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Montageart Verpackung/Gehäuse Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Handelsname
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2 622Auf Lager
480erwartet ab 05.11.2026
17,96 €
12,97 €
11,27 €
10,76 €
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 97 A 17 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 382 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2 1.335Auf Lager
15,94 €
10,97 €
9,48 €
8,83 €
8,42 €
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 80 A 22 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 329 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2 683Auf Lager
240erwartet ab 19.10.2026
10,78 €
5,96 €
5,64 €
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 55 A - 10 V, + 25 V 5.1 V 45 nC - 55 C + 175 C 244 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2 632Auf Lager
8,74 €
4,72 €
4,36 €
4,35 €
4,28 €
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 38 A 53 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2 9Auf Lager
960Auf Bestellung
22,89 €
14,67 €
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 129 A 12 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2 18Auf Lager
960Auf Bestellung
13,42 €
7,66 €
7,13 €
7,10 €
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 69 A 25 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 289 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2 5Auf Lager
960Auf Bestellung
8,18 €
4,39 €
4,05 €
3,62 €
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 28 A 78 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 21 nC - 55 C + 175 C 143 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2
1.992Auf Bestellung
10,63 €
5,98 €
5,46 €
5,23 €
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 48 A 40 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 39 nC - 55 C + 175 C 218 W Enhancement CoolSiC