NVMFS5830NLWFT1G-UM

onsemi
863-FS5830NLWFT1G-UM
NVMFS5830NLWFT1G-UM

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs NFET SO8FL 40V 172A 2.3M0

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Datenblatt:
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onsemi
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-5
N-Channel
1 Channel
40 V
185 A
2.3 mOhms
20 V
2.4 V
113 nC
- 55 C
+ 175 C
158 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marke: onsemi
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 27 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 38 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 32 ns
Serie: NVMFS5830NL
Verpackung ab Werk: 1500
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 40 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 22 ns
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

Konformitätscodes
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Malaysia
Herstellungsland:
Malaysia
Land der Verbreitung:
Taiwan
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

n-Kanal-Automotive-Leistungs-MOSFET mit 40 V und 60 V

onsemi NVMFSCx Automotive-Leistungs-MOSFETs mit 40 V und 60 V sind in doppelseitig gekühlten Gehäusen von 5 mm x 6 mm verfügbar, die sich hervorragend für kompakte und effiziente Designs eignen. Die Einzel-n-Kanal-Bauteile verfügen über einen RDS(on) von 1,5 mΩ und 0,9 mΩ (Drain-Source-Einschaltwiderstand) zur Reduzierung von Leitungsverlusten. Die MOSFETs verfügen über eine benetzbare Flankenoption für eine verbesserte optische Inspektion. Darüber hinaus sind die Bauteile AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig, wodurch sie sich hervorragend für Fahrzeuganwendungen eignen.

NVMFS5830NL Einzel-n-Kanal-Leistungs-MOSFET

Der Einzel-n-Kanal-Leistungs-MOSFET NVMFS5830NL von onsemi ist ein hocheffizienter Leistungs-MOSFET, der für anspruchsvolle Leistungsmanagementapplikationen entwickelt wurde. Durch den Einsatz fortschrittlicher Trench-Technologie bietet das Bauteil NVMFS5830NL von onsemi einen außergewöhnlich niedrigen RDS(on) (2,3 mΩ bei VGS = 10 V), wodurch sich der MOSFET ideal zur Minimierung von Leitungsverlusten in Hochstromsystemen eignet. Das Flat-Lead-SO-8FL-Gehäuse von 5 mm x 6 mm x 1 mm verbessert das thermische Betriebsverhalten und die Platzeffizienz auf der Platine, während die niedrige Gate-Ladung und die schnellen Schaltcharakteristika zu einer Verbesserung des Gesamtwirkungsgrads des Systems beitragen. Eine Option mit benetzbaren Flanken zur verbesserten optischen Inspektion ist erhältlich. Mit der Kombination aus hoher Strombelastbarkeit, geringen Schaltverlusten und einem kompakten Footprint eignet sich der NVMFS5830NL hervorragend für den Einsatz in Motorsteuerungsapplikationen und High-/Low-Side-Lastschaltern.

NVMx- und NVTx-Leistungs-MOSFETs

Die NVMx- und NVTx-Leistungs-MOSFETs von onsemi sind AEC-Q101-qualifiziert und bieten kompakte und effiziente Lösungen für Automobil-Applikationen. Die NVMx- und NVTx-Leistungs-MOSFETs bieten einen niedrigen RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten und niedrige QG und Kapazität zur Minimierung der Treiberverluste. Diese Einzel-n-Kanal-MOSFETs sind in einem kompakten SO-8FL- und WDFN8-Gehäuse untergebracht und sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform.
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