IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual-Konfigurationsmodule

Infineon Technologies IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual-Konfigurationsmodule basieren auf der Mikromuster-Trench-Technologie, die Verluste reduziert und eine hohe Steuerbarkeit bietet. Das Zellkonzept zeichnet sich durch die Implementierung paralleler Trenchzellen aus, die im Gegensatz zu quadratischen Trench-Zellen durch Sub-Mikron-Mesas getrennt sind. Ein speziell optimierter Chip für industrielle Antriebsapplikationen und Solarenergiesysteme bietet geringe statische Verluste, eine hohe Leistungsdichte und ein sanftes Schalten. Mit einer maximalen Betriebstemperatur von +175°C ermöglichen die Module eine deutliche Erhöhung der Leistungsdichte.

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Produkt Konfiguration Kollektor-Emitterspannung VCEO max. Sättigungsspannung Kollektor-Emitter Kollektorgleichstrom bei 25 C Kriechstrom Gate-Emitter Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Technologie Verpackung
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 450 A dual IGBT module 17Auf Lager
120,82 €
116,53 €
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 900 A dual IGBT module 6Auf Lager
236,71 €
189,35 €
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 890 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 600 A dual IGBT module 29Auf Lager
150,17 €
148,38 €
Min.: 1
Mult.: 1
Si Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 900 A dual IGBT module 51Auf Lager
187,41 €
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 900 A dual IGBT module 11Auf Lager
50erwartet ab 06.11.2026
219,99 €
177,70 €
Min.: 1
Mult.: 1
Nein
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 300 A dual IGBT module 5Auf Lager
20erwartet ab 06.05.2027
107,95 €
101,96 €
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 300 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 2300 V, 1800 A dual IGBT module
Für den Export dieses Produkts aus den USA ist möglicherweise zusätzliche Dokumentation erforderlich.
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
1.114,56 €
Min.: 1
Mult.: 1
Si Tray
Infineon Technologies IGBT-Module PP IHM I
Für den Export dieses Produkts aus den USA ist möglicherweise zusätzliche Dokumentation erforderlich.
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
1.146,55 €
Min.: 3
Mult.: 3
Si Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 750 A dual IGBT module Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
160,23 €
Min.: 10
Mult.: 10
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1700 V, 750 A dual IGBT module Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
202,52 €
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray