SiC-MOSFETs – Mouser Deutschland

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Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen

Die Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen werden unter Verwendung der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 2./3. Generation von ST entwickelt. Die Bauteile verfügen über einen niedrigen On-Widerstand pro Flächeneinheit und eine sehr gute Schaltleistung. Die MOSFETs verfügen über eine sehr hohe Betriebstemperaturbelastbarkeit (TJ = 200°C) und eine sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode.

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Ergebnisse: 18

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Montageart

Verpackung/Gehäuse

Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung

Id - Drain-Gleichstrom

Rds On - Drain-Source-Widerstand

Vgs - Gate-Source-Spannung

Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung

Qg - Gate-Ladung

Maximale Betriebstemperatur

Pd - Verlustleistung

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Bild	Teile-Nr.	Herst.	Beschreibung	Datenblatt	Verfügbarkeit	Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.	Menge	Montageart	Verpackung/Gehäuse	Anzahl der Kanäle	Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung	Id - Drain-Gleichstrom	Rds On - Drain-Source-Widerstand	Vgs - Gate-Source-Spannung	Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung	Qg - Gate-Ladung	Minimale Betriebstemperatur	Maximale Betriebstemperatur	Pd - Verlustleistung	Kanalmodus	Qualifikation
SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package SCT020HU120G3AG STMicroelectronics 1: 19,57 € 32Auf Lager 1.200erwartet ab 19.02.2027 Neues Produkt	Herst. Teilenr. SCT020HU120G3AG Mouser-Teilenr. 511-SCT020HU120G3AG Neues Produkt	STMicroelectronics	SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package Mehr erfahren über STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Datenblatt	32Auf Lager 1.200erwartet ab 19.02.2027	Cut-Tape 19,57 € 13,44 € 12,35 € Reel 11,18 € MouseReel verfügbar	Min.: 1 Mult.: 1 : 600	SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	1.2 kV	100 A	28 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	121 nC	- 55 C		555 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package SCT012W90G3-4AG STMicroelectronics 1: 20,47 € 570Auf Lager	Herst. Teilenr. SCT012W90G3-4AG Mouser-Teilenr. 511-SCT012W90G3-4AG	STMicroelectronics	SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package Mehr erfahren über STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Datenblatt	570Auf Lager	20,47 € 12,16 € 11,80 €	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP247-3	1 Channel	900 V	110 A	15.8 mOhms	- 10 V, + 22 V	3.1 V	138 nC	- 55 C	+ 200 C	625 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package SCT015W120G3-4AG STMicroelectronics 1: 22,82 € 524Auf Lager	Herst. Teilenr. SCT015W120G3-4AG Mouser-Teilenr. 511-SCT015W120G3-4AG	STMicroelectronics	SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package Mehr erfahren über STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Datenblatt	524Auf Lager	22,82 € 14,27 €	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	1.2 kV	129 A	15 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	167 nC	- 55 C	+ 200 C	673 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package SCT020W120G3-4AG STMicroelectronics 1: 17,40 € 246Auf Lager 600erwartet ab 23.07.2027	Herst. Teilenr. SCT020W120G3-4AG Mouser-Teilenr. 511-SCT020W120G3-4AG	STMicroelectronics	SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package Mehr erfahren über STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Datenblatt	246Auf Lager 600erwartet ab 23.07.2027	17,40 € 10,47 €	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	Hip247-4	1 Channel	1.2 kV	100 A	28 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	121 nC	- 55 C	+ 200 C	541 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package SCT040H120G3AG STMicroelectronics 1: 11,72 € 954Auf Lager	Herst. Teilenr. SCT040H120G3AG Mouser-Teilenr. 511-SCT040H120G3AG	STMicroelectronics	SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package Mehr erfahren über STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Datenblatt	954Auf Lager	Cut-Tape 11,72 € 6,67 € 6,65 € Reel 6,29 €	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	40 A	54 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	54 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package SCT025W120G3-4AG STMicroelectronics 1: 18,15 € 13Auf Lager 1.200Auf Bestellung	Herst. Teilenr. SCT025W120G3-4AG Mouser-Teilenr. 511-SCT025W120G3-4AG	STMicroelectronics	SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package Mehr erfahren über STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Datenblatt	13Auf Lager 1.200Auf Bestellung Versanddaten bei Bestellung Herst.- Nr.: SCT025W120G3-4AG Lagerbestand: 13 sofort lieferbar Auf Bestellung: 600 erwartet ab 07.05.2027 600 erwartet ab 11.06.2027 Lieferzeit ab Hersteller: 36 Wochen	18,15 € 12,52 € 11,43 € 10,51 €	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	1.2 kV	56 A	37 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	73 nC	- 55 C	+ 200 C	388 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package SCT025W120G3AG STMicroelectronics 1: 16,30 € 44Auf Lager 600erwartet ab 14.05.2027	Herst. Teilenr. SCT025W120G3AG Mouser-Teilenr. 511-SCT025W120G3AG	STMicroelectronics	SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package Mehr erfahren über STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Datenblatt	44Auf Lager 600erwartet ab 14.05.2027	16,30 € 10,14 € 9,51 €	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP247-3	1 Channel	1.2 kV	56 A	37 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	73 nC	- 55 C	+ 200 C	388 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package SCT040W120G3AG STMicroelectronics 1: 11,95 € 16Auf Lager 600erwartet ab 14.05.2027	Herst. Teilenr. SCT040W120G3AG Mouser-Teilenr. 511-SCT040W120G3AG	STMicroelectronics	SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package Mehr erfahren über STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Datenblatt	16Auf Lager 600erwartet ab 14.05.2027	11,95 € 8,39 € 6,41 €	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP-247-3	1 Channel	1.2 kV	40 A	54 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	56 nC	- 55 C	+ 200 C	312 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H SCTW40N120G2VAG STMicroelectronics 1: 17,35 € 5Auf Lager 600erwartet ab 19.02.2027	Herst. Teilenr. SCTW40N120G2VAG Mouser-Teilenr. 511-SCTW40N120G2VAG	STMicroelectronics	SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H Mehr erfahren über STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Datenblatt	5Auf Lager 600erwartet ab 19.02.2027	17,35 € 9,29 €	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP-247-3	1 Channel	1.2 kV	36 A	100 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.9 V	61 nC	- 55 C	+ 200 C	278 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package SCT011HU75G3AG STMicroelectronics 1: 23,62 € 1.200Auf Bestellung Neues Produkt	Herst. Teilenr. SCT011HU75G3AG Mouser-Teilenr. 511-SCT011HU75G3AG Neues Produkt	STMicroelectronics	SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package Mehr erfahren über STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Datenblatt	1.200Auf Bestellung Versanddaten bei Bestellung Herst.- Nr.: SCT011HU75G3AG Lagerbestand: 0 Auf Bestellung: 600 erwartet ab 25.06.2027 600 erwartet ab 02.07.2027 Lieferzeit ab Hersteller: 36 Wochen	Cut-Tape 23,62 € 17,75 € 16,30 € Reel 14,96 € MouseReel verfügbar	Min.: 1 Mult.: 1 : 600	SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	750 V	110 A	15 mOhms	- 10 V, + 22 V	3.2 V	154 nC	- 55 C	+ 175 C	652 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package SCT016H120G3AG STMicroelectronics 1: 22,19 € 1.985Auf Bestellung Neues Produkt	Herst. Teilenr. SCT016H120G3AG Mouser-Teilenr. 511-SCT016H120G3AG Neues Produkt	STMicroelectronics	SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package Mehr erfahren über STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Datenblatt	1.985Auf Bestellung Versanddaten bei Bestellung Herst.- Nr.: SCT016H120G3AG Lagerbestand: 0 Auf Bestellung: 985 erwartet ab 19.02.2027 1.000 erwartet ab 30.04.2027 Lieferzeit ab Hersteller: 25 Wochen	Cut-Tape 22,19 € 15,21 € 14,81 € Reel 13,71 € MouseReel verfügbar	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	112 A	22 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	150 nC	- 55 C	+ 175 C	652 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package SCT025H120G3AG STMicroelectronics 1: 15,79 € 1.997erwartet ab 03.09.2027	Herst. Teilenr. SCT025H120G3AG Mouser-Teilenr. 511-SCT025H120G3AG	STMicroelectronics	SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package Mehr erfahren über STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Datenblatt	1.997erwartet ab 03.09.2027	Cut-Tape 15,79 € 9,78 € 9,73 € Reel 9,25 €	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	55 A	37 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	73 nC	- 55 C	+ 175 C	375 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package SCT012H90G3AG STMicroelectronics 1: 20,06 € 998erwartet ab 29.01.2027	Herst. Teilenr. SCT012H90G3AG Mouser-Teilenr. 511-SCT012H90G3AG	STMicroelectronics	SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package Mehr erfahren über STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Datenblatt	998erwartet ab 29.01.2027	Cut-Tape 20,06 € 13,07 € 13,05 € 12,27 € Reel 11,67 €	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	900 V	110 A	12 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	138 nC	- 55 C	+ 175 C	625 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package SCT040HU120G3AG STMicroelectronics 1: 14,18 € 1.200erwartet ab 12.03.2027 Neues Produkt	Herst. Teilenr. SCT040HU120G3AG Mouser-Teilenr. 511-SCT040HU120G3AG Neues Produkt	STMicroelectronics	SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package Mehr erfahren über STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Datenblatt	1.200erwartet ab 12.03.2027	Cut-Tape 14,18 € 9,08 € 7,98 € Reel 6,79 € MouseReel verfügbar	Min.: 1 Mult.: 1 : 600	SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	1.2 kV	40 A	72 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	54 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A SCT040HU65G3AG STMicroelectronics 1: 11,75 € 600erwartet ab 08.10.2027	Herst. Teilenr. SCT040HU65G3AG Mouser-Teilenr. 511-SCT040HU65G3AG	STMicroelectronics	SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A Mehr erfahren über STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Datenblatt	600erwartet ab 08.10.2027	Cut-Tape 11,75 € 8,95 € 7,46 € Reel 6,65 € 6,29 € MouseReel verfügbar	Min.: 1 Mult.: 1 : 600	SMD/SMT	H2PAK-2	1 Channel	650 V	7 A	40 mOhms	- 30 V, + 30 V	5 V	36 nC	- 55 C	+ 150 C	266 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A SCT055HU65G3AG STMicroelectronics 1: 11,64 € 1.800Auf Bestellung	Herst. Teilenr. SCT055HU65G3AG Mouser-Teilenr. 511-SCT055HU65G3AG	STMicroelectronics	SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A Mehr erfahren über STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Datenblatt	1.800Auf Bestellung Versanddaten bei Bestellung Herst.- Nr.: SCT055HU65G3AG Lagerbestand: 0 Auf Bestellung: 600 erwartet ab 12.02.2027 1.200 erwartet ab 19.02.2027 Lieferzeit ab Hersteller: 36 Wochen	Cut-Tape 11,64 € 7,52 € 6,85 € Reel 6,23 € MouseReel verfügbar	Min.: 1 Mult.: 1 : 600	SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	650 V	30 A	72 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.2 V	29 nC	- 55 C	+ 175 C	185 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package SCT070HU120G3AG STMicroelectronics 1: 12,62 € 599erwartet ab 11.11.2026	Herst. Teilenr. SCT070HU120G3AG Mouser-Teilenr. 511-SCT070HU120G3AG	STMicroelectronics	SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package Mehr erfahren über STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet	Datenblatt	599erwartet ab 11.11.2026	Cut-Tape 12,62 € 8,66 € 7,63 € Reel 6,88 €	Min.: 1 Mult.: 1 : 600	SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	1.2 kV	30 A	87 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	37 nC	- 55 C	+ 175 C	223 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package SCT040W120G3-4 STMicroelectronics 1: 11,54 € 100Auf Bestellung	Herst. Teilenr. SCT040W120G3-4 Mouser-Teilenr. 511-SCT040W120G3-4	STMicroelectronics	SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package Mehr erfahren über STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Datenblatt	100Auf Bestellung	11,54 € 7,60 € 6,67 € 5,68 €	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP247-4	1 Channel	1.2 kV	40 A	54 mOhms	- 10 V, + 22 V	3.1 V	56 nC	- 55 C	+ 200 C	312 W	Enhancement	AEC-Q101

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