M1-EliteSiC-MOSFETs

onsemi M1-EliteSiC-MOSFETs verfügen über Nennspannungen von 1.200 V und 1.700 V. Die M1-MOSFETs von onsemi sind zur Erfüllung der Anforderungen von Hochleistungsapplikationen ausgelegt, die Zuverlässigkeit und Wirkungsgrad erfordern. Die M1-EliteSiC-MOSFETs sind in verschiedenen Gehäuseoptionen verfügbar, einschließlich D2PAK7, TO-247-3LD, TO-247-4LD und Bare-Chip.

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 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
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947Auf Lager
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: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs 20MW 1200V
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865Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 103 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 203 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V
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1.390Auf Lager
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Max.: 225

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 58 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
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2.399Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 17 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC 1700V MOS 28MO IN TO247-4L
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771Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 225

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.7 kV 81 A 40 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 200 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V
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1.930Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 30 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V
Datenblatt
1.830Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 19.5 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 33.8 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM INDUSTRY PART
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1.733Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 17.3 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V
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1.145Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 31 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V
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660Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 29 A 80 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A
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1.182Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 31 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V
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282Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 102 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 510 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART
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224Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 58 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM AUTO PART
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181Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 17.3 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
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205Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
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53Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
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: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS 20MW 1200V
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2.163Auf Lager
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Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 98 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 468 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs 20MW 1200V
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755Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 103 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 203 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V
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456Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 30 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V
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187Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 102 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 510 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
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428Auf Lager
450erwartet ab 30.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
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717Auf Lager
Min.: 1
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Max.: 225

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 17 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 20MOHM 1
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84Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 98 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 468 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V
Datenblatt
391Auf Lager
1.600Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 800
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 19.5 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 33.8 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V
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183Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 29 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC