Leistungs-MOSFETs

Mit der Entwicklung und Einführung der ersten MOSFETs mit Hexaganol-Topologie im Jahre 1979 leistete Infineon Pionierarbeit im Bereich HEXFET-Leistungs-MOSFET-Technologie. Für diese Entwicklungen wurde bereits vier Jahre später ein umfassendes Patent erteilt und seitdem haben die meisten MOSFET-Hersteller die Designs und Verfahren lizenziert, die in diesem Markt eingeführt werden. Produkte von IR zeichnen sich durch den branchenweit niedrigsten Einschaltwiderstand des MOSFETs im Vergleich mit ähnlichen Komponenten ihrer Klasse aus und ermöglichen Leistungsumwandlungs-Subsystemdesigns, die einen bisher unerreichten Wirkungsgrad aufweisen. IR kombiniert die fortschrittliche Silizium-Technologie mit innovativer Verpackungstechnologie. Die POWIRTAB™-, Super-220™- und Super-247-Gehäuse von IR ermöglichen bis zu 20 A mehr Strom pro Bauteil mit demselben Footprint wie Standard-Gehäuse und erhöhen dadurch die Leistungsdichte. Die FlipFET®-Gehäusetechnologie von IR ist mit Standard-Lötverfahren zur Oberflächenmontage kompatibel, bietet ein Silizium-zu-Footprint-Verhältnis von 100 % mit der gleichen Leistungsfähigkeit wie herkömmliche Gehäuse und ist dadurch die ideale Lösung für tragbare Geräte, wie z. B. tragbare Telefone oder Notebooks. Das DirectFET®-Gehäuse von IR revolutioniert das Wärmemanagement im Footprint eines Standard-SO-8-Gehäuse, indem die Hitze des Boards über die Oberseite des Gehäuses abgeführt wird. Infolgedessen können DirectFET-MOSFETs die Stromdichte verdoppeln und gleichzeitig die Kosten für das Wärmemanagement in Hochstromschaltungen, die Mikroprozessoren der nächsten Generation betreiben, um die Hälfte reduzieren.