GaN FETs – Mouser Deutschland

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PowerGaN E-Mode G-HEMT™ Transistoren

Die Transistoren PowerGaN E-Mode G-HEMT™ von STMicroelectronics sind leistungsstarke GaN-Bauelemente des Enhancement-Modus (Normal-Off), die für außergewöhnlich schnelles Schalten, geringe Durchlassverluste und hohe Leistungsdichte in anspruchsvollen Stromumwandlungsanwendungen ausgelegt sind. Diese Transistoren nutzen die Vorteile der großen Bandlücke von Galliumnitrid, um extrem niedrige Kapazitäten, eine minimale Gate-Ladung und eine Rücklaufladung von Null zu erzielen, was im Vergleich zu herkömmlichen Leistungsschaltern aus Silizium einen überragenden Wirkungsgrad ermöglicht.

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Ergebnisse: 9

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Verpackung/Gehäuse

Transistorpolung

Anzahl der Kanäle

Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung

Id - Drain-Gleichstrom

Rds On - Drain-Source-Widerstand

Vgs - Gate-Source-Spannung

Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung

Qg - Gate-Ladung

Pd - Verlustleistung

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Bild	Teile-Nr.	Herst.	Beschreibung	Datenblatt	Verfügbarkeit	Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.	Menge	Montageart	Verpackung/Gehäuse	Transistorpolung	Anzahl der Kanäle	Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung	Id - Drain-Gleichstrom	Rds On - Drain-Source-Widerstand	Vgs - Gate-Source-Spannung	Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung	Qg - Gate-Ladung	Minimale Betriebstemperatur	Maximale Betriebstemperatur	Pd - Verlustleistung	Kanalmodus	Technologie
GaN FETs 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor SGT070R70HTO STMicroelectronics 1: 8,57 € 340Auf Lager Neues Produkt	Herst. Teilenr. SGT070R70HTO Mouser-Teilenr. 511-SGT070R70HTO Neues Produkt	STMicroelectronics	GaN FETs 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor Mehr erfahren über STMicroelectronics sgt070r70hto transistor	Datenblatt	340Auf Lager	Cut-Tape 8,57 € 4,72 € 4,41 € 3,74 € Reel 3,74 € MouseReel verfügbar	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.800	SMD/SMT	TO-LL-11			700 V	26 A	70 mOhms	- 6 V, + 7 V	2.5 V	8.5 nC	- 55 C	+ 150 C	231 W	Enhancement	GaN
GaN FETs 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor SGT080R70ILB STMicroelectronics 1: 6,16 € 880Auf Lager Neues Produkt	Herst. Teilenr. SGT080R70ILB Mouser-Teilenr. 511-SGT080R70ILB Neues Produkt	STMicroelectronics	GaN FETs 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor Mehr erfahren über STMicroelectronics sgt080r70ilb transistor	Datenblatt	880Auf Lager	Cut-Tape 6,16 € 4,04 € 2,98 € 2,64 € 2,50 € Reel 2,12 € MouseReel verfügbar	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	SMD/SMT	PowerFLAT-8			700 V	29 A	80 mOhms	- 6 V, + 7 V	2.5 V	6.2 nC	- 55 C	+ 150 C	188 W	Enhancement	GaN
GaN FETs 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor SGT105R70ILB STMicroelectronics 1: 5,17 € 949Auf Lager Neues Produkt	Herst. Teilenr. SGT105R70ILB Mouser-Teilenr. 511-SGT105R70ILB Neues Produkt	STMicroelectronics	GaN FETs 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor Mehr erfahren über STMicroelectronics sgt powergan transistors	Datenblatt	949Auf Lager	Cut-Tape 5,17 € 3,39 € 2,53 € 2,12 € Reel 1,73 € Anzeigen 2,05 € 1,66 € MouseReel verfügbar	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	SMD/SMT	PowerFLAT-8			700 V	21.7 A	105 mOhms	- 6 V, + 7 V	2.5 V	4.8 nC	- 55 C	+ 150 C	158 W	Enhancement	GaN
GaN FETs 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor SGT140R70ILB STMicroelectronics 1: 4,36 € 900Auf Lager Neues Produkt	Herst. Teilenr. SGT140R70ILB Mouser-Teilenr. 511-SGT140R70ILB Neues Produkt	STMicroelectronics	GaN FETs 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor Mehr erfahren über STMicroelectronics sgt powergan transistors	Datenblatt	900Auf Lager	Cut-Tape 4,36 € 3,11 € 2,34 € 2,25 € Anzeigen Reel 1,62 € 1,91 € 1,62 € Kostenvoranschlag MouseReel verfügbar	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	SMD/SMT	PowerFLAT-8			700 V	17 A	140 mOhms	- 6 V, + 7 V	2.5 V	3.5 nC	- 55 C	+ 150 C	113 W	Enhancement	GaN
GaN FETs 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor SGT190R70ILB STMicroelectronics 1: 3,47 € 987Auf Lager Neues Produkt	Herst. Teilenr. SGT190R70ILB Mouser-Teilenr. 511-SGT190R70ILB Neues Produkt	STMicroelectronics	GaN FETs 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor Mehr erfahren über STMicroelectronics sgt powergan transistors	Datenblatt	987Auf Lager	Cut-Tape 3,47 € 1,76 € 1,60 € 1,32 € Reel 1,12 € MouseReel verfügbar	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	SMD/SMT	PowerFLAT-8			700 V	11.5 A	190 mOhms	- 6 V, + 7 V	2.5 V	2.8 nC	- 55 C	+ 150 C	83 W	Enhancement	GaN
GaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor SGT240R70ILB STMicroelectronics 1: 3,09 € 970Auf Lager Neues Produkt	Herst. Teilenr. SGT240R70ILB Mouser-Teilenr. 511-SGT240R70ILB Neues Produkt	STMicroelectronics	GaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor Mehr erfahren über STMicroelectronics sgt powergan transistors	Datenblatt	970Auf Lager	Cut-Tape 3,09 € 2,01 € 1,41 € Reel 1,41 € MouseReel verfügbar	Min.: 1 Mult.: 1 Max.: 100 : 3.000	SMD/SMT	PowerFLAT-8			700 V	10 A	240 mOhms	- 6 V, + 7 V	2.5 V	2 nC	- 55 C	+ 150 C	76 W	Enhancement	GaN
GaN FETs 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor SGT350R70GTK STMicroelectronics 1: 2,06 € 521Auf Lager 2.500Auf Bestellung Neues Produkt	Herst. Teilenr. SGT350R70GTK Mouser-Teilenr. 511-SGT350R70GTK Neues Produkt	STMicroelectronics	GaN FETs 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor Mehr erfahren über STMicroelectronics sgt350r70gtk transistor	Datenblatt	521Auf Lager 2.500Auf Bestellung	Cut-Tape 2,06 € 1,01 € 0,937 € 0,758 € Reel 0,594 € Anzeigen 0,696 € 0,547 € MouseReel verfügbar	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	SMD/SMT	DPAK-3			700 V	6 A	350 mOhms	- 1.4 V, + 7 V	2.5 V	1.5 nC	- 55 C	+ 150 C	47 W	Enhancement	GaN
GaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor SGT240R70ITK STMicroelectronics 1: 2,47 € 2.500erwartet ab 20.11.2026 Neues Produkt	Herst. Teilenr. SGT240R70ITK Mouser-Teilenr. 511-SGT240R70ITK Neues Produkt	STMicroelectronics	GaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor Mehr erfahren über STMicroelectronics sgt powergan transistors	Datenblatt	2.500erwartet ab 20.11.2026	Cut-Tape 2,47 € 1,22 € 1,10 € 0,886 € Reel 0,738 € Anzeigen 0,853 € 0,705 € MouseReel verfügbar	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	SMD/SMT	DPAK-2	N-Channel	1 Channel	700 V	10 A	240 mOhms	- 6 V, + 7 V	2.5 V	2 nC	- 55 C	+ 150 C	77 W	Enhancement	GaN
GaN FETs 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor SGT65R65AL STMicroelectronics 3.000: 4,71 € Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen	Herst. Teilenr. SGT65R65AL Mouser-Teilenr. 511-SGT65R65AL	STMicroelectronics	GaN FETs 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor Mehr erfahren über STMicroelectronics stm sgt65r65al transistors	Datenblatt	Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen	Reel 4,71 €	Min.: 3.000 Mult.: 3.000 : 3.000	SMD/SMT	PowerFLAT-4	N-Channel	1 Channel	650 V	25 A	65 mOhms	+ 6 V	1.8 V	5.4 nC	- 55 C	+ 150 C	305 W		GaN-on-Si

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