100 V bis 150 V StrongIRFET™ Leistungs-MOSFETs

Infineon TechnologiesInfineon Technologies StrongIRFET ™ 100-V- bis 150-V-Leistungs-MOSFETs sind für einen niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) und eine hohe Strombelastbarkeit optimiert. Diese Bauteile bieten einen RDS(on) von nur 1,3 mΩ bei 100 V und eine Strombelastbarkeit von bis zu 209 A bei 100 V. Diese Merkmale führen zu geringeren Leitungsverlusten und einer höheren Leistungsdichte, während gleichzeitig ältere Designs berücksichtigt werden. Die StrongIRFET-Leistungs-MOSFETs sind ideal für Niederfrequenzapplikationen, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio deckt ein breites Spektrum an Anwendungen ab, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und Gleichstromwandler.

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Qualifikation Verpackung
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V 4.788Auf Lager
400Auf Bestellung
6,47 €
3,47 €
3,18 €
2,86 €
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 100 V 203 A 1.7 mOhms 20 V 3.8 V 168 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V 1.931Auf Lager
7,59 €
4,27 €
3,65 €
3,44 €
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 186 A 4.5 mOhms 20 V 4.6 V 80 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement Tube


Infineon Technologies MOSFETs IR FET >60-400V 7.687Auf Lager
5,51 €
3,61 €
2,67 €
2,36 €
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 4.5 mOhms 20 V 2 V 150 nC - 55 C + 175 C 370 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V 13.686Auf Lager
8,52 €
5,19 €
4,73 €
4,35 €
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 100 V 209 A 1.28 mOhms 20 V 3.8 V 330 nC - 55 C + 175 C 556 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IRFP4310ZPBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFETs IR FET >60-400V 1.539Auf Lager
3,75 €
2,46 €
1,83 €
1,53 €
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 6 mOhms 20 V 4 V 120 nC - 55 C + 175 C 280 W Enhancement Tube


Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V 1.403Auf Lager
1.200erwartet ab 11.02.2027
9,63 €
5,38 €
4,96 €
4,87 €
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 150 V 203 A 2.7 mOhms 20 V 4.6 V 160 nC - 55 C + 175 C 556 W Enhancement Tube


Infineon Technologies MOSFETs IR FET >60-400V 2.260Auf Lager
3.600Auf Bestellung
7,26 €
5,11 €
4,14 €
3,66 €
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 150 V 171 A 5.9 mOhms 20 V 3 V 151 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(120V 300V) 674Auf Lager
16,79 €
11,63 €
9,69 €
8,87 €
8,18 €
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 171 A 4.8 mOhms 30 V 3 V 227 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 Tube
Infineon Technologies IRFP4468PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFETs IR FET >60-400V 2.644Auf Lager
2.400erwartet ab 19.08.2027
7,29 €
3,98 €
3,66 €
3,25 €
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 100 V 290 A 2.6 mOhms 20 V 2 V 360 nC - 55 C + 175 C 520 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 100V 51A 25mOhm 66.7nCAC
33.408Auf Bestellung
3,46 €
1,91 €
1,63 €
1,41 €
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 51 A 25 mOhms 20 V 1.8 V 66.7 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(120V 300V) Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
6,67 €
6,46 €
Min.: 400
Mult.: 400
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 171 A 5.9 mOhms 30 V 5 V 227 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 Tube