Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

SQJ152ELP-T1_GE3

Name: Vishay SQJ152ELP-T1_GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SQJ152ELP-T1_GE3
Price: 1.28 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SQJ152ELP-T1_GE3

Herst.- Nr.:

SQJ152ELP-T1_GE3

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

MOSFETs Auto N-Ch 40 V (D-S)

Datenblatt:

SQJ152ELP-T1_GE3 Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Vishay Semiconductors SQJ152ELP-T1_GE3

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK SO-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	123 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.2 V
Qg - Gate-Ladung:	34 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	136 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay Semiconductors
Abfallzeit:	12 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	6.1 ns
Serie:	SQJ
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	35 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	13.5 ns
Gewicht pro Stück:	187 mg

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Technical Resources

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

SQJ152ELP Automotive-MOSFET

Der Vishay SQJ152ELP Automotive-MOSFET verfügt über ein Gehäuse mit drahtlosem Design, das die Drainstrombelastbarkeit des MOSFETs erhöht und seinen thermischen Widerstand reduziert. Dieser MOSFET implementiert die 40-V-TrenchFET^®-Gen-IV-Technologie und verfügt über eine verbesserte Zuverlässigkeit auf Boardebene. Der SQJ152ELP MOSFET ist AEC-Q101-qualifiziert und bietet externe Knickflügelleitungen, die für eine maximale Entlastung bei extremer thermischer und mechanischer Belastung ausgelegt sind. Dieser MOSFET eignet sich hervorragend für den Einsatz in Solid State Relais, High-Side-Schaltern, Motorantriebssteuerungen und weiteren Sicherheits- und Komfortsystemen.

SQJ Automotive-MOSFETs

Vishay/Siliconix SQJ Automotive-MOSFETs sind n-Kanal-TrenchFET^®-Gen-IV-Leistungs-MOSFETs mit 40 V_DS. Diese AEC-Q101-qualifizierten MOSFETs sind vollständig R_g- und UIS-getestet (Unclamped Inductive Switching, UIS) mit einem Q_gd-/Q_gs-Verhältnis von weniger als 1, das die Schalteigenschaften optimiert. Die SQJ Automotive-MOSFETs bieten einen sehr niedrigen R_DS(on) und werden in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +175 °C betrieben.Diese Automobilstandard-MOSFETs sind in einem PowerPAK^®-SO-8L-Gehäuse mit Einzel-/Dual-Konfigurationen verfügbar. Zu den typischen Applikationen gehören Fahrzeuganwendungen, Motormanagement, Motorantriebe und Servomotoren sowie Batteriemanagement.

EMPFOHLENE PRODUKTE

VISHAY

SQD50P04-09L 40-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET für die Kfz-Industrie

Dieses Bauteil eignet sich ideal für Anwendungen in den Bereichen Kfz-Technik, Stromverteilung und industrielle Leistungssteuerung.

Mehr erfahren

SiJK5100E n-Kanal-MOSFET

TrenchFET^® -Gen-V-Leistungs-MOSFET mit 100 V Drain-Source-Spannung und maximaler Verlustleistung von 536 W.

Mehr erfahren

SiEH4800EW 80 V TrenchFET® Gen IV N-Kanal-MOSFET

Erhältlich in einem PowerPAK^®-Gehäuse von 8 mm x 8 mm BWL mit einem On-Widerstand von 0,00115 Ω.

Mehr erfahren

SiJK140E 40-V-n-Kanal-(D-S)-MOSFET

Verfügt über die TrenchFET^® Gen-V-Leistungstechnologie, die sich hervorragend für die Synchrongleichrichtung und Automatisierung eignet.

Mehr erfahren

Superjunction MOSFETs in PowerPAK® 10 x 12

Verfügt über Leistungstechnologie, optimiert den Wirkungsgrad und reduziert die Verlustleistung während der Leitung.

Mehr erfahren

Auf Lager: 3.507

Lagerbestand:: 3.507 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 23 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-,-- €

Erw. Preis:

-,-- €

Vorauss. Zolltarif:

Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1,28 €	1,28 €
	0,604 €	6,04 €
	0,537 €	53,70 €
	0,42 €	210,00 €
	0,417 €	417,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0,334 €	1.002,00 €
	0,318 €	2.862,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

SQJ152ELP-T1_GE3

Teilen

Herst.: Vishay Semiconductors

Beschreibung: MOSFETs Auto N-Ch 40 V (D-S)

Technische Daten

Dokumente (9)

Datenblatt

Models

PCN

Technical Resources

Produkt- und Handelskonformität

Mehr über

SQJ152ELP Automotive-MOSFET

SQJ Automotive-MOSFETs

Andere Kunden kauften auch

EMPFOHLENE PRODUKTE VISHAY

Auf Lager: 3.507

Preis (EUR)

Schnellansicht

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten.

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

MOSFETs Auto N-Ch 40 V (D-S)

EMPFOHLENE PRODUKTE

VISHAY