IXYS Integrated Circuits Neueste Halbleiter

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IXYS DK010S3ARP 1000 V 10 A Gleichrichter
IXYS DK010S3ARP 1000 V 10 A Gleichrichter
07.20.2026
Verfügt über glaspassivierte Übergänge für erhöhte Stabilität und ist in einem DO-214AB-Gehäuse untergebracht.
IXYS DK610S3RP Universal- Gleichrichterdiode
IXYS DK610S3RP Universal- Gleichrichterdiode
07.20.2026
Platzsparend, ideal für die automatisierte Bestückung und bestens geeignet für DC- Applikationen.
IXYS X4-Class Leistungs-MOSFETs
IXYS X4-Class Leistungs-MOSFETs
02.02.2026
Sie bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand und geringe Leitungsverluste bei verbessertem Wirkungsgrad.
IXYS DP-Hochspannungsdioden mit schneller Recoveryzeit
IXYS DP-Hochspannungsdioden mit schneller Recoveryzeit
01.20.2026
600 V oder 1.200 V SCHOTTKY-Dioden mit niedrigem Sperrstrom und schneller Recoveryzeit.
IXYS MMIX1T500N20X4 Leistungs-MOSFET von 200 V der X4-Klasse
IXYS MMIX1T500N20X4 Leistungs-MOSFET von 200 V der X4-Klasse
10.08.2025
Isoliertes Gehäuse auf Keramikbasis verbessert den Rth(j-s) insgesamt und die Strombelastbarkeit.
IXYS IXSxNxL2Kx Siliciumcarbid (SiC) MOSFETs
IXYS IXSxNxL2Kx Siliciumcarbid (SiC) MOSFETs
09.19.2025
Diese Bauteile haben eine hohe Sperrspannung bei niedrigem Einschaltwiderstand [RDS(ON)].
IXYS IX4352NEAU Low-Side-Gate-Treiber
IXYS IX4352NEAU Low-Side-Gate-Treiber
09.04.2025
Speziell für die Ansteuerung von SiC-MOSFETs und Hochleistungs-IGBTs entwickelt.
IXYS IXSJxN120R1K SiC-Leistungs-MOSFETs von 1.200 V
IXYS IXSJxN120R1K SiC-Leistungs-MOSFETs von 1.200 V
08.27.2025
Sperrspannung von bis zu 1.200 V mit einem niedrigen RDS(on) von 18 mΩ oder 36 mΩ.
IXYS IX3407B Isolierter Einkanal-Gate-Treiber
IXYS IX3407B Isolierter Einkanal-Gate-Treiber
06.30.2025
Bietet einen typischen Spitzenausgangsstrom von 7 A für Quelle und Senke an separaten Ausgangspins.
IXYS Dx-Baureihe Silizium-Gleichrichter für Automobilapplikationen
IXYS Dx-Baureihe Silizium-Gleichrichter für Automobilapplikationen
04.14.2025
Verfügt über glaspassivierte Sperrschichten, die einen stabilen Betrieb und eine hohe Zuverlässigkeit gewährleisten.
IXYS DCK SiC SCHOTTKY-Dioden
IXYS DCK SiC SCHOTTKY-Dioden
04.03.2025
Bietet einen Hochfrequenzbetrieb und eine hohe Stromstoßbelastbarkeit.
IXYS IXD0579M Gate-Treiber
IXYS IXD0579M Gate-Treiber
04.03.2025
High-Side- und Low-Side-Gate-Treiber mit einer hohen Frequenz von 100 V und einer integrierten Bootstrap-Diode.
IXYS MCMA140PD1800TB Thyristor-Diodenmodul
IXYS MCMA140PD1800TB Thyristor-Diodenmodul
03.25.2025
Das 140 A Diodenmodul ist mit einem planar passivierten Chip integriert und bietet eine langfristige Stabilität.
IXYS IXFP34N65X2W Leistungs-MOSFET
IXYS IXFP34N65X2W Leistungs-MOSFET
03.17.2025
650 V HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse mit 100 mΩ und n-Kanal-Anreicherungstyp.
IXYS IXSA80N120L2-7 SiC-MOSFET
IXYS IXSA80N120L2-7 SiC-MOSFET
03.06.2025
Einzelschalter-MOSFET mit einem 1200 V, 30 mΩ 79 A industrietauglichen Gerät in einem TO263-7L-Gehäuse.
IXYS IXSA40N120L2-7 SiC-MOSFET
IXYS IXSA40N120L2-7 SiC-MOSFET
03.06.2025
Einzelschalter-MOSFET, der über ein 1.200 V, 80 mΩ, 41 A Industriestandard-Bauteil in einem TO263-7L-Gehäuse verfügt.
IXYS IXFH34N65X2W Leistungs-MOSFET
IXYS IXFH34N65X2W Leistungs-MOSFET
02.27.2025
650 V HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse mit 100 mΩ und n-Kanal-Anreicherungstyp.
IXYS IXFH46N65X2W Leistungs-MOSFET
IXYS IXFH46N65X2W Leistungs-MOSFET
02.27.2025
650 V HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse mit einem n-Kanal-Anreicherungstyp.
IXYS IXSH80N120L2KHV SiC-MOSFET
IXYS IXSH80N120L2KHV SiC-MOSFET
02.18.2025
Der 1.200 V 30-mΩ und 79 A-MOSFET wird für den Einsatz in Industrie-Schaltnetzteilen empfohlen.
IXYS IXSH40N120L2KHV SiC-MOSFET
IXYS IXSH40N120L2KHV SiC-MOSFET
02.18.2025
Der 1.200 V 80-mΩ und 41 A-MOSFET wird für den Einsatz in Industrie-Schaltnetzteilen empfohlen.
IXYS IXD2012N Gate-Treiber
IXYS IXD2012N Gate-Treiber
02.18.2025
Der High-Side- und Low-Side-Hochgeschwindigkeits-Gate-Treiber schaltet bis zu 200 V im Bootstrap-Betrieb.
IXYS IXTNx00N20X4 miniBLOC-MOSFETs
IXYS IXTNx00N20X4 miniBLOC-MOSFETs
11.28.2024
Bieten eine Nennspannung von 200 V, einen Strombereich von 340 A bis 500 A und ein SOT-227B-Gehäuse.
IXYS DPF100C1200HB 1.200 V, 2 x 50 A Schnelle Freilaufdioden
IXYS DPF100C1200HB 1.200 V, 2 x 50 A Schnelle Freilaufdioden
11.22.2024
Zwei Universal-Leistungsschaltdioden in einer Konfiguration mit gemeinsamer Kathode und einem TO-247-Gehäuse.
IXYS XPT IGBTs der 5. Gen.
IXYS XPT IGBTs der 5. Gen.
07.25.2024
Bieten eine Nennspannung von 650 V, einen Strombereich von 35 A bis 220 A und eine niedrige Gate-Ladung. 
IXYS DPF30U200FC 200 V 30 A 3-Phasen-Brückengleichrichter
IXYS DPF30U200FC 200 V 30 A 3-Phasen-Brückengleichrichter
07.22.2024
Dieses Bauteil wird häufig als Gleichrichter in Schaltnetzteilen (SMPS) verwendet.
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    Infineon Technologies CoolGaN™ BDS Evaluation Boards
    Infineon Technologies CoolGaN™ BDS Evaluation Boards
    08.06.2026
    Compact daughter boards for evaluating 40V GaN bidirectional switches.
    Infineon Technologies EVAL_GD_BDS_GAN Evaluation Board
    Infineon Technologies EVAL_GD_BDS_GAN Evaluation Board
    08.06.2026
    Gate driver evaluation board for CoolGaN™ bidirectional switch designs.
    Infineon Technologies PSOC™ Control C1 Microcontrollers
    Infineon Technologies PSOC™ Control C1 Microcontrollers
    08.06.2026
    32-bit control MCUs with Arm® Cortex®-M0 CPU and MATH coprocessor.
    Texas Instruments TRF2001 ISM Band Multiprotocol & Wi-SUN RF FEM
    Texas Instruments TRF2001 ISM Band Multiprotocol & Wi-SUN RF FEM
    08.04.2026
    A high-performance RF FEM for low-power wireless applications in the sub-1GHz band.
    Texas Instruments TPS7H3xx4EVM-CVAL Evaluation Modules
    Texas Instruments TPS7H3xx4EVM-CVAL Evaluation Modules
    08.04.2026
    Radiation-tolerant supervisor evaluation modules with flexible rail monitoring.
    Analog Devices Inc. MAX22215 Evaluationsboard
    Analog Devices Inc. MAX22215 Evaluationsboard
    08.04.2026
    Zur Evaluierung des MAX22215 in Kombination mit dem Trinamic-Evaluierungsboardsystem vorgesehen.
    Analog Devices Inc. MAX22915 Oktaler Industrie-High-Side-Schalter
    Analog Devices Inc. MAX22915 Oktaler Industrie-High-Side-Schalter
    08.04.2026
    Eingebauter 7-Bit-ADC zur Überwachung der Chip-Temperatur des Ausgangsstroms pro Kanal oder der VDD-Versorgungsspannung.
    Würth Elektronik WL-OCHS Hochgeschwindigkeits-Optokoppler
    Würth Elektronik WL-OCHS Hochgeschwindigkeits-Optokoppler
    08.04.2026
    Bieten eine sehr hohe Übertragungsgeschwindigkeit im MHz- bis MBit/s-Bereich.
    NXP Semiconductors FRDM i.MX 95 Pro Development Board
    NXP Semiconductors FRDM i.MX 95 Pro Development Board
    08.04.2026
    Evaluiert den i.MX 95 Applikationsprozessor  in einem kompakten Gehäuse von 19 mm x 19 mm. 
    Analog Devices Inc. MAX22915EVKIT Evaluationskit
    Analog Devices Inc. MAX22915EVKIT Evaluationskit
    08.04.2026
    Bewährtes Design zur Evaluierung des MAX22915, eines 8-Kanal-High-Side-Schalters mit erweiterten Diagnosefunktionen.
    Texas Instruments TPS25752A Evaluierungsmodul
    Texas Instruments TPS25752A Evaluierungsmodul
    08.04.2026
    Unterstützt Single-Port-USB Type-C® und Power Delivery-Applikationen (PD) im Source-Only-Modus.
    Texas Instruments ISO7741U Evaluierungsmodul
    Texas Instruments ISO7741U Evaluierungsmodul
    08.04.2026
    Galvanisch getrenntes Vierkanal-Evaluierungsmodul in einem Ultra-Wide-SSOP-Gehäuse (DUW-16).
    Texas Instruments ESD2CANFD24W-Q1 ESD Protection Diodes
    Texas Instruments ESD2CANFD24W-Q1 ESD Protection Diodes
    08.04.2026
    Automotive ESD protection diodes for CAN, CAN FD, CAN SIC, and CAN XL networks.
    Texas Instruments BQ25640EVM Evaluierungsmodul
    Texas Instruments BQ25640EVM Evaluierungsmodul
    08.03.2026
    Komplettes Evaluierungssystem für den BQ25640 IC, ein Schaltmodus-Abwärtswandler-Einzellen-Ladegerät.
    Chip Quik DFN-6 to DIP-6/10 SMT Adapters
    Chip Quik DFN-6 to DIP-6/10 SMT Adapters
    08.03.2026
    Constructed using FR-4 material and PCB measures 25.4mm x 7.62mm x 1.6mm.
    STMicroelectronics EVL9965T/EVL99BM2T Promotionsboards
    STMicroelectronics EVL9965T/EVL99BM2T Promotionsboards
    07.30.2026
    Diese Promotionsboards integrieren den L9965T oder L99BM2T BMS-Transceiver in ein BMS-System.
    NXP Semiconductors TJA1046 Duale Hochgeschwindigkeits-CAN-Transceiver
    NXP Semiconductors TJA1046 Duale Hochgeschwindigkeits-CAN-Transceiver
    07.30.2026
    Zwei Hochgeschwindigkeits-CAN-Transceiver mit Standby-Modus und CAN-FD-Unterstützung.
    STMicroelectronics EVL9965A/EVL99BM218 Promotionsboards
    STMicroelectronics EVL9965A/EVL99BM218 Promotionsboards
    07.30.2026
    Promotionsboards für die L9965A/L99BM218 Bauteile in Batteriemanagementsystemen.
    STMicroelectronics EVL9965C-L/EVL99BM2C-L Promotionsboards
    STMicroelectronics EVL9965C-L/EVL99BM2C-L Promotionsboards
    07.30.2026
    Promotionsboards für L9965C-L/L99BM2C-L zur Überwachung von Strom, elektrischer Ladung und Isolierung.
    STMicroelectronics EVL9965P-N/EVL99BM2P-FN Promotionsboards
    STMicroelectronics EVL9965P-N/EVL99BM2P-FN Promotionsboards
    07.30.2026
    Bietet dem Benutzer eine Plattform zur Evaluierung der L9965P/L99BM2P Bauteile in einem QFN-Gehäuse.
    onsemi EMD4DXV6 Digitaltransistoren (BRT)
    onsemi EMD4DXV6 Digitaltransistoren (BRT)
    07.30.2026
    Für den Ersatz eines einzelnen Bauteils und sein externes Widerstands-Bias-Netzwerk konzipiert.
    Infineon Technologies DEMO_HV_PACKAGE Evaluierungsboard
    Infineon Technologies DEMO_HV_PACKAGE Evaluierungsboard
    07.30.2026
    Entdecken Sie Hochspannungs-Bauelemente mit CoolSiC™ und CoolMOS™ für ein effizientes, zuverlässiges Betriebsverhalten.
    onsemi NVNJWS1K6N061L N-Kanal-MOSFET
    onsemi NVNJWS1K6N061L N-Kanal-MOSFET
    07.30.2026
    Verfügt über einen niedrigen RDS(on) und einen niedrige Gate-Schwellenwert mit integriertem ESD-Schutz.
    Chip Quik Extra-Narrow SMT-to-DIP Adapters
    Chip Quik Extra-Narrow SMT-to-DIP Adapters
    07.29.2026
    Designed to replace obsolete DIP ICs with newer surface-mount components.
    STMicroelectronics STEVAL-PDUBV1 Stromverteilungs-ECU
    STMicroelectronics STEVAL-PDUBV1 Stromverteilungs-ECU
    07.28.2026
    Basiert auf der SPC58NG84E7 Chorus 6M MCU und den STi2Fuse Bauteilen.
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