Neueste Diskrete Halbleiter – Mouser Deutschland

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Arten von diskreten Halbleitern

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Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

06.18.2026

- Based on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.

Navitas Semiconductor NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches

02.26.2026

- Designed to block voltage in both directions using unique substrate clamp technology.

Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs

02.26.2026

- Enhancement‑mode GaN power devices engineered for fast‑switching, high‑efficiency power systems.

Navitas Semiconductor NV6427 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches

02.26.2026

- Switches are designed to block voltage in both directions, with unique substrate-clamp technology.

Navitas Semiconductor SiCPAK™ F/G 1200V High-Power Modules

02.20.2025

- Robust, high-voltage SiC MOSFETs, critical for reliable, harsh-environment, high-power applications.

Navitas Semiconductor 650V Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETs

09.06.2024

- Ideal for AI data center power supplies, EV charging, energy storage systems, and solar solutions.

Navitas Semiconductor 1200V Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETs

09.03.2024

- Enable 22kW, 800V bi-directional on-board chargers for Electric Vehicles (EVs).

Navitas Semiconductor Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETs

09.03.2024

- Developed using a proprietary trench-assisted planar technology for high-speed performance.

Navitas Semiconductor 650V SiC Schottky MPS™ Diodes

09.03.2024

- Combine excellent forward and switching characteristics with best-in-class thermal conductivity.

Navitas Semiconductor GaNFast™ Leistungs-ICs

03.01.2023

- Verfügen über einen integrierten GATE-Treiber, einen weiten VCC -Bereich, PWM-Eingänge und einen internen 2kV ESD-Schutz.

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ROHM Semiconductor 600V Super-Junktion (SJ) MOSFETs

07.21.2026

- Kompakte Gehäuseoptionen mit niedrigem Profil, die eine hervorragende Dissipation gewährleisten.

IXYS DK010S3ARP 1000 V 10 A Gleichrichter

07.20.2026

- Verfügt über glaspassivierte Übergänge für erhöhte Stabilität und ist in einem DO-214AB-Gehäuse untergebracht.

IXYS DK610S3RP Universal- Gleichrichterdiode

07.20.2026

- Platzsparend, ideal für die automatisierte Bestückung und bestens geeignet für DC- Applikationen.

onsemi GaNEXUS™ GaN-FETs

07.08.2026

- Wide-Bandgap-Materialeigenschaften für niedrige Gate- und Ausgangsladung, schnelles Schalten und einen verbesserten Wirkungsgrad.

Bourns CDDFN2 TVS-Dioden zur Oberflächenmontage

07.07.2026

- ESD, EFT und Überspannungsschutz für externe Anschlüsse elektronischer Bauteile zur Begrenzung kritischer Schäden.

Semtech RCLAMP2891PQ TVS Diode

06.30.2026

- Einphasige 28-V-TVS-Diode mit extrem niedriger Kapazität schützt Hochgeschwindigkeits-Signalleitungen vor ESD und EOS.

Diotec Semiconductor SI02C120SMA Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode

06.29.2026

- Offers a repetitive reverse voltage rating of 1200V and a forward current capability of 2A.

Littelfuse TVS Arrays Diodenarrays

06.26.2026

- TVS-Diodenarrays für Überspannungsschutz, ESD und EFT an Daten- und Energie-Schnittstellen.

Bourns CDSOD323-T24LC-Q TVS-Dioden in Automobilqualität

06.26.2026

- Bidirektionale Automotive-Grade TVS-Dioden in einem kompakten SOD-323-Gehäuse.

Bourns CDSOD323-TxxSC-Q TVS-Dioden

06.25.2026

- Bieten Sie eine Auswahl an Spannungsoptionen von 3 V bis 36 V in einer bidirektionalen Bauform an.

Diodes Incorporated D3V3ZF1BD2CSP Bidirektionale TVS-Diode

06.22.2026

- Bauteil mit geringer Kapazität, das speziell zum Schutz von Hochgeschwindigkeits-Differentialleitungen konzipiert ist.

Vishay MXP075 MaxSiC® 750-V-n-Kanal-MOSFETs

06.19.2026

- Zeichnen sich durch eine Drain-Source-Spannung von 750 V, eine hohe Schaltgeschwindigkeit und eine Kurzschlussfestigkeit von 3 μs.

Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

06.18.2026

- Based on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.

Infineon Technologies EasyPACK™ S-Module

06.12.2026

- Effiziente Leistungsumwandlung in einem kompakten, einfach zu integrierenden Gehäuse, das für moderne Leistungsdesigns ausgelegt ist.

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 100 V Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuge

05.27.2026

- Fortschrittliche n-Kanal-Bauteile für hocheffiziente Leistungsschaltung.

Texas Instruments 2N7002L 6-V-N-Kanal-MOSFETs

05.18.2026

- Entwickelt, um den Einschaltwiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine schnelle Schaltleistung zu gewährleisten.

Bourns CDSOT23-SM712-Q TVS-Diode zur Oberflächenmontage

05.12.2026

- Bietet Schutz für Datenanschlüsse gemäß IEC 61000-4-2, IEC 61000-4-4 und IEC 61000-4-5.

Infineon Technologies CIPOS™ Prime CoolSiC™-Leistungsmodule für Fahrzeuganwendungen

05.06.2026

- Leistungsmodule sind für hohe Leistung in xEV-Anwendungen ausgelegt.

Littelfuse AK-FL TVS-Dioden

05.04.2026

- Axial bedrahtete, flache und bidirektionale FlatSuppressX™ TVS-Dioden mit niedriger Klemmspannung.

Littelfuse TP5.0SMD-FL FlatSuppressX™ TVS-Dioden

05.04.2026

- Spitzenimpulsleistung von 5000 W bei Verwendung einer 10/1000 µs Wellenform und einer Verlustleistung von 6,5 W.

Littelfuse TP1KSMB-FL FlatSuppressX™ TVS-Dioden

05.04.2026

- Speziell ausgelegt, um empfindliche elektronische Geräte vor Spannungstransienten zu schützen.

Littelfuse SJx08x SCRs für Hochtemperaturanwendungen

04.24.2026

- -Mit einer Spannung von bis zu 800 V, einer Stromstoßfestigkeit von bis zu 100 A und einer Temperaturbeständigkeit von bis zu +150 °C.

Littelfuse QVx35xHx Alternistor-TRIACs für Hochtemperaturanwendungen

04.24.2026

- Das Bauteil bietet einen Nennstrom von 35 A und ist in einem Gehäuse des Typs TO-220AB, TO-220 isoliert und TO-263 erhältlich.

RECOM Power ICs, Transformatoren und diskrete Lösungen

04.24.2026

- Enthält Bauelemente, die hervorragend für Applikationen in den Bereichen Energie, Industrie und Medizin geeignet sind.

Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky Diode

04.16.2026

- Designed for high‑speed switching and voltage clamping in space‑constrained applications.

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