Neueste Transistoren – Mouser Deutschland

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Arten von Transistoren

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Nexperia BUK7Q N-Kanal-MOSFET im MLPAK33-WF Gehäuse

09.29.2025

- Verwendet Trench 9-Technologie, erfüllt die Anforderungen von AEC-Q101.

Nexperia BUK9Q N-Kanal-Trench-MOSFET

09.09.2025

- Logik-kompatibel, schnelles Schalten und vollständig für den Automobilbereich gemäß AEC-Q101 bei 175 °C qualifiziert.

Nexperia BUK6Q8R2-30PJ MOSFET

08.27.2025

- P-Kanal-FET in einem MLPAK33 (SOT8002-3) SMD-Kunststoffgehäuse, der die Trench-MOSFET-Technologie nutzt.

Nexperia BUK6Q66-60PJ MOSFET

08.27.2025

- P-Kanal FET in einem MLPAK33 (SOT8002-3) SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.

Nexperia MJPEx Bipolare Sperrschichttransistoren (BJTs)

08.26.2025

- Das CFP15B-Gehäuse bietet eine kompakte und kostengünstige Alternative zur Baureihe MJD im DPAK-Gehäuse.

Nexperia BUK6Q12-40PJ MOSFET

08.19.2025

- P-Kanal-FET in einem MLPAK33 (SOT8002-3) SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.

Nexperia BUK6Q21-30PJ MOSFET

08.19.2025

- 30-V-p-Kanal-FET in einem MLPAK33-SMD-Kunststoffgehäuse (SOT8002-3) mit Trench-MOSFET-Technologie.

Nexperia BUK6Q26-40PJ MOSFET

08.19.2025

- P-Kanal-FET in einem MLPAK33 (SOT8002-3) SMD-Kunststoffgehäuse, der die Trench-MOSFET-Technologie nutzt.

Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100 V GaN-FETs

07.03.2025

- Normalerweise ausgeschaltete E-Modus-Bauteile, die eine überragendes Betriebsverhalten und einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand bieten.

Nexperia GANB1R2-040QBA und GANB012-040CBA GaN-HEMTs

07.03.2025

- 40 V, 1,2 mΩ oder 12 mΩ, bidirektionale Gallium-Nitrid (GaN)-Hoch-Elektronen-Mobilitäts-Transistoren (HEMTs).

Nexperia PXNx N-Kanal Logic Level Trench MOSFETs

04.14.2025

- 60 V und 100 V MOSFETs für hochgradig effizientes Power Management in verschiedenen Anwendungen.

Nexperia GANB8R0-040CBA Bidirektionaler GaN FET

04.14.2025

- 40 V, 8,0 mΩ bidirektionaler GaN HEMT in einem kompakten 1,7 mm x 1,7 mm WLCSP-Gehäuse untergebracht.

Nexperia NX5020x n-Kanal-Anreicherungsmodus-FETs

04.01.2025

- Die Bauteile verfügen über eine sehr niedrige Schwellenspannung und ein sehr schnelles Schalten mit Trench-MOSFET-Technologie.

Nexperia Anwendungsspezifische Leistungs-MOSFETs

01.21.2025

- Kombiniert bewährte MOSFET-Expertise mit breitem Anwendungswissen und schafft so ein wachsendes Angebot.

Nexperia CCPAK ASFETs für Hotswap und Soft-Start

01.08.2025

- Bietet einen zuverlässigen linearen Modus, erweiterte SOA und niedrigen RDS(on) in einem einzigen Gerät.

Nexperia BC5xPAS-Q 1 A PNP-Transistoren für mittlere Leistungen

12.30.2024

- AEC-Q101 qualifizierte PNP-Transistoren in einem ultradünnen DFN2020D-3 (SOT1061D) SMD-Kunststoffgehäuse.

Nexperia BC869-Q Leistungstransistoren

12.11.2024

- PNP-Mittelleistungstransistoren in einem SOT89 (SC-62)-Gehäuse mit flachen Sperrschichtdrähten aus Kunststoff.

Nexperia GANB4R8-040CBA Bidirektionaler GaN FET

10.01.2024

- Ein 40 V, 4,8 mΩ bidirektionaler GaN-High-Electron-Mobility-Transistor (HEMT – Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit) in einem WLCSP-Gehäuse.

Nexperia BUK7J2R4-80M n-Kanal-MOSFET

08.30.2024

- Basiert auf der niederohmigen Trench 14 Split-Gate-Technologie und ist in einem LFPAK56E-Gehäuse untergebracht.

Nexperia PBSSxx50PAS/PBSSxx50PAS-Q Transistoren

07.04.2024

- Bietet niedrigen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung und hohen Kollektorstrom Fähigkeit.

Nexperia GANE3R9-150QBA Galliumnitrid (GaN) FET

07.02.2024

- Ein universal einsetzbarer 150 V, 3,9 mΩ Galliumnitrid (GaN) FET in einem VQFN-Gehäuse.

Nexperia NSF0x0120 N-Kanal-SiC-MOSFETs

07.01.2024

- Erhältlich in einem 7-Pin-TO-263 oder 22-Pin-QDPAK-Kunststoffgehäuse für die PCB-Technologie zur Oberflächenmontage.

Nexperia PSMNxRx-80YSF NextPower n-Kanal-MOSFETs

06.24.2024

- 80 V Standard-Gate-Drive-MOSFETs mit einem niedrigen Qrr für einen höheren Wirkungsgrad und niedrigere Spitzen.

Nexperia NSF0x120L4A0 n-Kanal-MOSFETs

04.23.2024

- 1200-V-Leistungs-MOSFETs auf Siliziumkarbidbasis (SiC) in bewährten 4-poligen TO-247-Kunststoffgehäusen.

Nexperia 2N7002AK N-Kanal-Trench-MOSFETs

04.04.2024

- Kleine AEC-Q101-qualifiziertes SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.

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Filtern nach:

onsemi NVMTS1D1N08X N‐Kanal-Leistungs-MOSFETs

09.17.2026

- 80-V-MOSFETs für Fahrzeuge mit niedrigem On-Widerstand und Soft-Recovery-Body-Diode.

Vishay SQD50P04-09L 40-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET für die Kfz-Industrie

09.16.2026

- Dieses Bauteil eignet sich ideal für Anwendungen in den Bereichen Kfz-Technik, Stromverteilung und industrielle Leistungssteuerung.

Texas Instruments JFE2325 Stromsparender Dual-N-Kanal-JFET

09.09.2026

- Für den Einsatz mit Sensoren mit sehr hoher Impedanz wie beispielsweise Elektret-Kondensatormikrofonen (ECMs) konzipiert.

IXYS IXSH150N120L3KHV SiC-MOSFET

09.02.2026

- 1200V, 13,5 mΩ und 147A SiC-MOSFET empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.

IXYS IXSH50N120L3KHV SiC-MOSFET

09.02.2026

- 1200V, 55mΩ und 48,3A SiC MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.

IXYS IXSH100N120L3KHV SiC-MOSFET

09.02.2026

- 1200V, 21mΩ und 102A SiC MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.

IXYS IXSH110N120L3KHV SiC-MOSFET

09.02.2026

- 1200V, 18 mΩ und 112A SiC-MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.

IXYS IXSH65N120L3KHV SiC-MOSFET

09.02.2026

- 1200 V, 35 mΩ und 67 A SiC- MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.

Microchip Technology HV-D3 mSiC® Leistungsmodule

09.01.2026

- Vereinfacht und beschleunigt den Einsatz von SSTs in Rechenzentren und anderen Hochspannungsanwendungen.

onsemi NXH011F120M3F2 SiC-MOSFETs

08.25.2026

- EliteSiC-MOSFET-Vollbrückenmodule mit On-Widerstand von 11 mΩ und einer Nennspannung von 1.200 V.

onsemi 80-V-N-Einzelkanal-Leistungs-MOSFETs

08.25.2026

- Bieten einen niedrigen RDS(on) , um Leitungsverluste zu minimieren, sowie niedrige QG und Kapazität, um Treiberverluste zu minimieren.

STMicroelectronics STGI15C60S 3-Phasen-Wechselrichter und IGBT SLLIMM

08.19.2026

- Dieses Bauteil eignet sich ideal für Motorantriebe, die in hartschaltenden Schaltungen mit bis zu 20 kHz betrieben werden.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET

08.12.2026

- Automotive 200V N-channel MOSFET with SuperQ technology and TO-220 packaging.

STMicroelectronics SGT1D5R10MEA PowerGaN-Transistor

08.11.2026

- Bietet extrem niedrige Leitungsverluste, Hochstromfähigkeit und ultraschnellen Schaltbetrieb.

STMicroelectronics STH4N150-2AG n-Kanal-Leistungs-MOSFET

08.10.2026

- Darauf ausgelegt, eine hohe Spannung und Robustheit für Fahrzeuganwendungen zu gewährleisten.

STMicroelectronics SGT3D5R10MEB PowerGaN-Transistor

08.10.2026

- Ausgelegt für hocheffiziente und leistungsstarke Schaltapplikationen.

onsemi EMD4DXV6 Digitaltransistoren (BRT)

07.30.2026

- Für den Ersatz eines einzelnen Bauteils und sein externes Widerstands-Bias-Netzwerk konzipiert.

onsemi NVNJWS1K6N061L N-Kanal-MOSFET

07.30.2026

- Verfügt über einen niedrigen RDS(on) und einen niedrige Gate-Schwellenwert mit integriertem ESD-Schutz.

ROHM Semiconductor 600V Super-Junktion (SJ) MOSFETs

07.21.2026

- Kompakte Gehäuseoptionen mit niedrigem Profil, die eine hervorragende Dissipation gewährleisten.

onsemi GaNEXUS™ GaN-FETs

07.08.2026

- Wide-Bandgap-Materialeigenschaften für niedrige Gate- und Ausgangsladung, schnelles Schalten und einen verbesserten Wirkungsgrad.

Vishay MXP075 MaxSiC® 750-V-n-Kanal-MOSFETs

06.19.2026

- Zeichnen sich durch eine Drain-Source-Spannung von 750 V, eine hohe Schaltgeschwindigkeit und eine Kurzschlussfestigkeit von 3 μs.

Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

06.18.2026

- Based on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.

Infineon Technologies EasyPACK™ S-Module

06.12.2026

- Effiziente Leistungsumwandlung in einem kompakten, einfach zu integrierenden Gehäuse, das für moderne Leistungsdesigns ausgelegt ist.

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 100 V Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuge

05.27.2026

- Fortschrittliche n-Kanal-Bauteile für hocheffiziente Leistungsschaltung.

Texas Instruments 2N7002L 6-V-N-Kanal-MOSFETs

05.18.2026

- Entwickelt, um den Einschaltwiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine schnelle Schaltleistung zu gewährleisten.

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