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= ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor BD9B306ANF-Z DC/DC-Wandler
08.20.2026
08.20.2026
Einzelner synchroner Abwärtswandler (DC/DC-Wandler) mit eingebauten Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand.
ROHM Semiconductor 600V Super-Junktion (SJ) MOSFETs
07.21.2026
07.21.2026
Kompakte Gehäuseoptionen mit niedrigem Profil, die eine hervorragende Dissipation gewährleisten.
ROHM Semiconductor Hochdichte SiC-Leistungsmodule
04.10.2026
04.10.2026
Die TRCDRIVE-Packung™, DOT-247- und HSDIP20-Gehäuse tragen zur leistungsstarken Leistungsumwandlung bei.
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ mit geformten Modulen
03.17.2026
03.17.2026
Mit 1.200 V Nennspannung in einem 41,6 mm × 52,5 mm Gehäuse und integrierten SiC-MOSFETs der 4. Generation.
ROHM Semiconductor TLR2728YFJ-C Operationsverstärker
12.11.2025
12.11.2025
Rail-to-Rail-Eingang-/Ausgang- und Hochgeschwindigkeits-Dual-CMOS-Operationsverstärker.
ROHM Semiconductor LMRx802-LB Operationsverstärker
11.24.2025
11.24.2025
Der Operationsverstärker zeichnet sich durch geringes Rauschen, eine niedrige Eingangs-Offsetspannung und einen niedrigen Eingangsruhestrom aus.
ROHM Semiconductor RH7G03BBJFRA p-Kanal-Leistungs-MOSFET
11.18.2025
11.18.2025
Dieser MOSFET hat einen VDSS-Wert von -40 V und einen ID-Wert (VDS = -10 V) von ±22 A.
ROHM Semiconductor RN789FM PIN-Diode
11.18.2025
11.18.2025
Kleines Gehäuse, geeignet für eine automatische Verstärkungsregelungsschaltung und einen Antennenverstärker/Antennendämpfungsregler.
ROHM Semiconductor BD79124MUF-C A/D-Wandler
11.18.2025
11.18.2025
Universeller 12-Bit-A/D-Wandler mit 8 Kanälen und sukzessiver Approximation.
ROHM Semiconductor RJ1P10BAT p-Kanal-Leistungs-MOSFET
11.18.2025
11.18.2025
Dieser MOSFET hat einen VDSS-Wert von -100 V und einen ID-Wert (VDS = 10 V) von ±105 A.
ROHM Semiconductor BM2P10xJ-Z PWM-Typ DC/DC-Wandler-ICs
11.03.2025
11.03.2025
Verfügen über einen integrierten Schalt- MOSFET von 730 V und werden direkt vom AC-Hochspannungsnetz betrieben.
ROHM Semiconductor 750 V n-Kanal-SiC-MOSFETs
10.17.2025
10.17.2025
Diese Bauteile erhöhen die Schaltfrequenz und dadurch die erforderlichen Kondensatoren, Reaktoren und andere Bauelemente verringern.
ROHM Semiconductor RD3x n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen
10.16.2025
10.16.2025
AEC-Q101-qualifizierte MOSFETs mit niedriger Durchlassspannung, schneller Recoveryzeit und hohem Ableitvermögen.
ROHM Semiconductor Robotik
10.13.2025
10.13.2025
Halbleiterlösungen für intelligente Bewegungssteuerung, Sensorik, Leistungssteuerung und Robotersteuerung.
ROHM Semiconductor BM2P06xJ-Z PWM-Typ-DC/DC-Wandler-ICs
09.26.2025
09.26.2025
Für kompakte und effizient isolierte AC/DC-Power-Strip -Applikationen ausgelegt.
ROHM Semiconductor BM3G107MUV-EVK-003 Evaluierungsboard
08.27.2025
08.27.2025
Das Board wurde entwickelt, um die Fähigkeiten des BM3G107MUV GaN HEMT Power Stage IC zu evaluieren und zu demonstrieren.
ROHM Semiconductor BM3G115MUV-EVK-003 Evaluierungsboard
08.27.2025
08.27.2025
Wurde entwickelt, um die Fähigkeiten des BM3G115MUV GaN-HEMT-Leistungsschaltung-ICs zu evaluieren und zu demonstrieren.
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1.700-V-N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET
08.21.2025
08.21.2025
Ein mit einer Drain-Source-Spannung von 1.700 V (VDSS) und einem Dauersenkenstrom von 3,9 A (ID) bewerteter SiC-MOSFET.
ROHM Semiconductor RQxAT P-Kanal-MOSFETs
08.21.2025
08.21.2025
Die Bauteile verfügen über ein Gehäuse zur Oberflächenmontage mit niedrigem On-Widerstand und sind zu 100 % Rg- und UIS-geprüft.
ROHM Semiconductor RNxMFH PIN-Dioden im Automobilstandard
08.21.2025
08.21.2025
Dioden im Automobilstandard mit ultrakleinem Formkörper, die für Hochfrequenzschaltungen geeignet sind.
ROHM Semiconductor RF202LB2S superschnelle Freilaufdiode
08.21.2025
08.21.2025
Eine superschnelle Freilaufdiode vom Typ Silizium-Epitaxie-Planar mit niedriger VF und geringen Schaltverlusten.
ROHM Semiconductor RJ1x10BBG Leistungs-MOSFETs
08.21.2025
08.21.2025
N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand und einem Hochleistunggehäuse.
ROHM Semiconductor RN242SM PIN-Diode
08.20.2025
08.20.2025
Bietet eine niedrige Kapazität und ein extrem ultrakleines Gehäuse, das für Hochfrequenzschaltungen geeignet ist.
ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Nennspannung von -60 V VDSS und einem Nennstrom von ±36 A ID, der gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA -30-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein Automobilstandard-MOSFET, das für VDSS von -30 V und ID von ±40 A ausgelegt und gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
Ansicht: 1 - 25 von 218
Murata PicoBK™ MYRGP-W/B Mini-DC/DC-Wandler
10.15.2026
10.15.2026
Mit einem Ausgangsspannungsbereich von 0,8 V bis 3,6 V bei einem Wirkungsgrad von 90 %.
STMicroelectronics ST4SIM-300M Erweiterungsplatine
10.15.2026
10.15.2026
STMod+ Mobilfunk- Erweiterungsboard mit LTE-Konnektivität und GSMA SGP.32 eSIM.
Murata MYRGC075060W31RB/MYRGC075060B31RB DC-DC-Wandler
10.15.2026
10.15.2026
36V, 600 mA DC/DC-Wandler mit integriertem Steuerungs-IC und Induktivität.
onsemi NB3N1900KMNGEVB PCIe Evaluation Board
10.15.2026
10.15.2026
Designed to quickly evaluate, characterize, and verify the operation of the NB3N1900K devices.
STMicroelectronics EVL101G50FLT HPF Flyback Controller
10.15.2026
10.15.2026
50W High-Power-Factor (HPF) quasi-resonant converter with isolated secondary-side regulation.
Sensirion EK-SLF3S Evaluationskits
10.15.2026
10.15.2026
Diese Kits wurden entwickelt, um den Benutzern die Bewertung der Flüssigkeitsdurchflusssensoren SLF3S-0600D oder SLF3S-1300D zu erleichtern.
Qorvo QPD1000A GaN - Transistor mit angepasster Eingangsspannung
10.14.2026
10.14.2026
50Ω Eingangsangepasste diskrete GaN-auf-SiC HEMT, die von 30MHz-1215MHz an einer 28V Versorgungsspannung betrieben werden.
Microchip Technology TA101 Trust Anchor Authentifizierung ICs
10.13.2026
10.13.2026
Diese Geräte integrieren mehrere asymmetrische, symmetrische und Hash-Sicherheits-Protokolle.
onsemi FAD1110EVB Driver Evaluation Board
10.13.2026
10.13.2026
Designed to evaluate the performance and functionality of the FAD1110 automotive ignition driver IC.
Qorvo QPC6122 Absorptive SPDT Switch
10.13.2026
10.13.2026
Wideband switching, reduces component count, and maintains low insertion loss and signal linearity.
Qorvo QPC6188 Absorptive SP4T Switch
10.13.2026
10.13.2026
Designed for use in cellular infrastructure, 5G, and other high-performance communication systems.
onsemi FAD1100EVB Driver Evaluation Board
10.13.2026
10.13.2026
Designed to evaluate the performance and functionality of the FAD1100 automotive ignition driver IC.
u-blox EVK-F112 Evaluationskit
10.09.2026
10.09.2026
Entwickelt, um die Leistungsfähigkeit der F11-Positionierungstechnologie auf einfache Weise zu bewerten.
Microchip Technology EVB-PCI11010C Evaluationsboard
10.08.2026
10.08.2026
PCIe-Schalttafel mit 2,5 Gbps Ethernet, SFP-Konnektivität, UART und PTM.
STMicroelectronics IPS4054H High-Side-Schalter
10.08.2026
10.08.2026
Der IPS4054H High-Side-Schalter von STMicroelectronics ist für den Antrieb von ohmschen, induktiven und kapazitiven Lasten mit einer Seite, die mit Masse verbunden ist, konzipiert.
Microchip Technology EVB-PCI11414C Evaluationsboard
10.08.2026
10.08.2026
PCIe-Evaluierungsboard mit USB-Host, Ethernet, 10BASE-T1S, PTM und programmierbaren E/A-Schnittstellen.
Microchip Technology EVB-PCI11010C-EDS2 Evaluationsboard
10.08.2026
10.08.2026
Evaluierungsboard zur Entwicklung und zum Testen von PCI11010C PCIe-Peripherieanwendungen.
Microchip Technology EVB-PCI11400C Evaluationsboard
10.08.2026
10.08.2026
PCIe-Switchkarte mit vier USB-Host-Anschlüssen, PTM und programmierbaren E/A-Schnittstellen.
Microchip Technology EVB-PCI12000C-M.2 Evaluationsboard
10.08.2026
10.08.2026
PCIe-Switch-Karte zur Evaluierung von Doppelanschluss M.2 Key E-Konfigurationen.
Abracon ASWD-S4-0011 SP4T RF & Antenna Switch
10.08.2026
10.08.2026
A low-loss, high-isolation SP4T reflective RF switch for high-performance switching applications.
Diodes Incorporated PI6C5912008B LVDS-Fanout-Puffer
10.08.2026
10.08.2026
Leistungsstarker LVDS-Fanout-Puffer mit 8 Ausgängen, der Frequenzen von bis zu 2 GHz unterstützt.
STMicroelectronics M24M04E-F 4-Mbit Seriell I2C-Compatible EEPROM
10.08.2026
10.08.2026
Ein serieller EEPROM vom Typ 4-Mbit I2C-compatible, der als 512K x 8 Bits organisiert ist.
Microchip Technology EVB-PCI12000C Evaluationsboard
10.08.2026
10.08.2026
PCIe-Switch-Platine mit zwei nachgeschalteten Ports, programmierbare Eingabe/Ausgabe, UART und PTM.
Microchip Technology AVR16LA Mikrocontroller (MCUs)
10.07.2026
10.07.2026
Integrieren Sie eine AVR-CPU und einen Hardware-Multiplizierer und betreiben Sie diese mit Taktraten bis zu 20 MHz.
Lantronix Open-M™ 720G SOM Development Kit
10.06.2026
10.06.2026
Development kit for evaluating the Open-M 720G SOM and MediaTek Genio 720 platform.
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