Neueste Diskrete Halbleiter – Mouser Deutschland

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Arten von diskreten Halbleitern

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IXYS IXBOD2 Durchbruch-Diodenmodule

09.22.2026

- Bietet schnellen und verlässlichen Überspannungsschutz in anspruchsvollen Leistungs-Elektronikanwendungen.

IXYS IXSH65N120L3KHV SiC-MOSFET

09.02.2026

- 1200 V, 35 mΩ und 67 A SiC- MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.

IXYS IXSH100N120L3KHV SiC-MOSFET

09.02.2026

- 1200V, 21mΩ und 102A SiC MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.

IXYS IXSH150N120L3KHV SiC-MOSFET

09.02.2026

- 1200V, 13,5 mΩ und 147A SiC-MOSFET empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.

IXYS IXSH110N120L3KHV SiC-MOSFET

09.02.2026

- 1200V, 18 mΩ und 112A SiC-MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.

IXYS IXSH50N120L3KHV SiC-MOSFET

09.02.2026

- 1200V, 55mΩ und 48,3A SiC MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.

IXYS SK002xSx Empfindliche SCRs

08.27.2026

- Empfindliche SCRs mit Unterstützung für Mikroprozessorantrieb und hohe Störsicherheit.

IXYS DK010S3ARP 1000 V 10 A Gleichrichter

07.20.2026

- Verfügt über glaspassivierte Übergänge für erhöhte Stabilität und ist in einem DO-214AB-Gehäuse untergebracht.

IXYS DK610S3RP Universal- Gleichrichterdiode

07.20.2026

- Platzsparend, ideal für die automatisierte Bestückung und bestens geeignet für DC- Applikationen.

IXYS X4-Class Leistungs-MOSFETs

02.02.2026

- Sie bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand und geringe Leitungsverluste bei verbessertem Wirkungsgrad.

IXYS DP-Hochspannungsdioden mit schneller Recoveryzeit

01.20.2026

- 600 V oder 1.200 V SCHOTTKY-Dioden mit niedrigem Sperrstrom und schneller Recoveryzeit.

IXYS MMIX1T500N20X4 Leistungs-MOSFET von 200 V der X4-Klasse

10.08.2025

- Isoliertes Gehäuse auf Keramikbasis verbessert den Rth(j-s) insgesamt und die Strombelastbarkeit.

IXYS IXSxNxL2Kx Siliciumcarbid (SiC) MOSFETs

09.19.2025

- Diese Bauteile haben eine hohe Sperrspannung bei niedrigem Einschaltwiderstand [RDS(ON)].

IXYS IXSJxN120R1K SiC-Leistungs-MOSFETs von 1.200 V

08.27.2025

- Sperrspannung von bis zu 1.200 V mit einem niedrigen RDS(on) von 18 mΩ oder 36 mΩ.

IXYS Dx-Baureihe Silizium-Gleichrichter für Automobilapplikationen

04.14.2025

- Verfügt über glaspassivierte Sperrschichten, die einen stabilen Betrieb und eine hohe Zuverlässigkeit gewährleisten.

IXYS DCK SiC SCHOTTKY-Dioden

04.03.2025

- Bietet einen Hochfrequenzbetrieb und eine hohe Stromstoßbelastbarkeit.

IXYS MCMA140PD1800TB Thyristor-Diodenmodul

03.25.2025

- Das 140 A Diodenmodul ist mit einem planar passivierten Chip integriert und bietet eine langfristige Stabilität.

IXYS IXFP34N65X2W Leistungs-MOSFET

03.17.2025

- 650 V HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse mit 100 mΩ und n-Kanal-Anreicherungstyp.

IXYS IXSA80N120L2-7 SiC-MOSFET

03.06.2025

- Einzelschalter-MOSFET mit einem 1200 V, 30 mΩ 79 A industrietauglichen Gerät in einem TO263-7L-Gehäuse.

IXYS IXSA40N120L2-7 SiC-MOSFET

03.06.2025

- Einzelschalter-MOSFET, der über ein 1.200 V, 80 mΩ, 41 A Industriestandard-Bauteil in einem TO263-7L-Gehäuse verfügt.

IXYS IXFH34N65X2W Leistungs-MOSFET

02.27.2025

- 650 V HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse mit 100 mΩ und n-Kanal-Anreicherungstyp.

IXYS IXFH46N65X2W Leistungs-MOSFET

02.27.2025

- 650 V HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse mit einem n-Kanal-Anreicherungstyp.

IXYS IXSH40N120L2KHV SiC-MOSFET

02.18.2025

- Der 1.200 V 80-mΩ und 41 A-MOSFET wird für den Einsatz in Industrie-Schaltnetzteilen empfohlen.

IXYS IXSH80N120L2KHV SiC-MOSFET

02.18.2025

- Der 1.200 V 30-mΩ und 79 A-MOSFET wird für den Einsatz in Industrie-Schaltnetzteilen empfohlen.

IXYS IXTNx00N20X4 miniBLOC-MOSFETs

11.28.2024

- Bieten eine Nennspannung von 200 V, einen Strombereich von 340 A bis 500 A und ein SOT-227B-Gehäuse.

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Filtern nach:

Qorvo QPD1000A GaN - Transistor mit angepasster Eingangsspannung

10.14.2026

- 50Ω Eingangsangepasste diskrete GaN-auf-SiC HEMT, die von 30MHz-1215MHz an einer 28V Versorgungsspannung betrieben werden.

Qorvo QPD1426/QPD1426L GaN-HF-Leistungstransistoren

10.06.2026

- 220 W diskrete GaN-on-SiC HEMT, die im Frequenzbereich von 1,2 GHz bis 1,4 GHz arbeiten.

Qorvo QPD2562L GaN-HF-Leistungstransistor

10.06.2026

- Ein diskreter 200 W bis 300 W GaN-on-SiC-HEMT, der von 2,5 GHz bis 2,9 GHz und von 2,9 GHz bis 3,3 GHz arbeitet.

Littelfuse AK8-FB Axial bedrahtete TVS- Dioden

10.05.2026

- Speziell für den Schutz von AC- und DC-Leitungen in extrem anspruchsvollen Überspannungsumgebungen konzipiert.

Littelfuse AK6-FB Axial bedrahtete TVS-Dioden

10.05.2026

- Speziell für den Schutz von AC- und DC-Leitungen in extrem anspruchsvollen Überspannungsumgebungen konzipiert.

Littelfuse LTKAK1.5-L TVS Diode

10.05.2026

- Bietet eine Klemmenspannung, die niedriger als bei alternativen Technologien wie beispielsweise MOVs und GDTs ist.

Infineon Technologies HybridPACK™ HD CoolSiC™ MOSFET-Modul

10.02.2026

- 1400-V-CoolSiC-MOSFET-Modul für Antriebswechselrichter in elektrischen Nutzfahrzeugen.

Littelfuse SP4315-01WTG TVS-Diodenarray

10.01.2026

- Extrem niedrige Kapazität, bidirektionales Design und Schutz elektronischer Geräte vor zerstörerischen ESD

Littelfuse DSxARP Schottky-Barrieredioden aus Silizium für die Kfz-Industrie

09.22.2026

- Bietet niedrigen Durchlassspannungsabfall und eine stabile elektrische Leistung.

IXYS IXBOD2 Durchbruch-Diodenmodule

09.22.2026

- Bietet schnellen und verlässlichen Überspannungsschutz in anspruchsvollen Leistungs-Elektronikanwendungen.

onsemi NVMTS1D1N08X N‐Kanal-Leistungs-MOSFETs

09.17.2026

- 80-V-MOSFETs für Fahrzeuge mit niedrigem On-Widerstand und Soft-Recovery-Body-Diode.

Vishay SQD50P04-09L 40-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET für die Kfz-Industrie

09.16.2026

- Dieses Bauteil eignet sich ideal für Anwendungen in den Bereichen Kfz-Technik, Stromverteilung und industrielle Leistungssteuerung.

STMicroelectronics TVS221SC-1T2 Unidirektionale TVS für eine einzelne Leitung

09.15.2026

- Zum Schutz von Stromleitungen oder anderen I/Os mit niedriger Geschwindigkeit gegen ESD und kleinen Spannungsstößen konzipiert.

onsemi ESDM1021 ESD-Schutzdiode

09.14.2026

- Kompakte bidirektionale 2V-ESD-Diode für GPIO und Niederspannungs-Stromleitungsschutz.

MACOM MLP7102-0503 PIN Diode

09.14.2026

- Designed for use in passive or active limiters from 100MHz to beyond 20GHz frequency range.

Littelfuse TP7.0SMD-XC Automotive-TVS-Diode

09.10.2026

- Schützt empfindliche elektronische Geräte vor durch Blitzschlag verursachte transiente Spannung.

Littelfuse AK1-A Axial bedrahtete TVS-Dioden

09.10.2026

- Speziell für den Schutz von AC- und DC-Leitungen in extrem anspruchsvollen Überspannungsumgebungen konzipiert.

Littelfuse AK10-FB Axial bedrahtete TVS- Dioden

09.10.2026

- Speziell für den Schutz von AC- und DC-Leitungen in extrem anspruchsvollen Überspannungsumgebungen konzipiert.

Littelfuse AK3-FB Axial bedrahtete TVS- Dioden

09.10.2026

- Speziell für den Schutz von AC- und DC-Leitungen in extrem anspruchsvollen Überspannungsumgebungen konzipiert.

Littelfuse AK3-A Axial bedrahtete TVS-Dioden

09.10.2026

- Speziell für den Schutz von AC- und DC-Leitungen in extrem anspruchsvollen Überspannungsumgebungen konzipiert.

Texas Instruments JFE2325 Stromsparender Dual-N-Kanal-JFET

09.09.2026

- Für den Einsatz mit Sensoren mit sehr hoher Impedanz wie beispielsweise Elektret-Kondensatormikrofonen (ECMs) konzipiert.

IXYS IXSH50N120L3KHV SiC-MOSFET

09.02.2026

- 1200V, 55mΩ und 48,3A SiC MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.

IXYS IXSH65N120L3KHV SiC-MOSFET

09.02.2026

- 1200 V, 35 mΩ und 67 A SiC- MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.

IXYS IXSH100N120L3KHV SiC-MOSFET

09.02.2026

- 1200V, 21mΩ und 102A SiC MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.

IXYS IXSH110N120L3KHV SiC-MOSFET

09.02.2026

- 1200V, 18 mΩ und 112A SiC-MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.

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