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= IXYS
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IXYS IXBOD2 Durchbruch-Diodenmodule
09.22.2026
09.22.2026
Bietet schnellen und verlässlichen Überspannungsschutz in anspruchsvollen Leistungs-Elektronikanwendungen.
IXYS IXSH100N120L3KHV SiC-MOSFET
09.02.2026
09.02.2026
1200V, 21mΩ und 102A SiC MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.
IXYS IXSH50N120L3KHV SiC-MOSFET
09.02.2026
09.02.2026
1200V, 55mΩ und 48,3A SiC MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.
IXYS IXSH65N120L3KHV SiC-MOSFET
09.02.2026
09.02.2026
1200 V, 35 mΩ und 67 A SiC- MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.
IXYS IXSH110N120L3KHV SiC-MOSFET
09.02.2026
09.02.2026
1200V, 18 mΩ und 112A SiC-MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.
IXYS IXSH150N120L3KHV SiC-MOSFET
09.02.2026
09.02.2026
1200V, 13,5 mΩ und 147A SiC-MOSFET empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.
IXYS SK002xSx Empfindliche SCRs
08.27.2026
08.27.2026
Empfindliche SCRs mit Unterstützung für Mikroprozessorantrieb und hohe Störsicherheit.
IXYS DK610S3RP Universal- Gleichrichterdiode
07.20.2026
07.20.2026
Platzsparend, ideal für die automatisierte Bestückung und bestens geeignet für DC- Applikationen.
IXYS DK010S3ARP 1000 V 10 A Gleichrichter
07.20.2026
07.20.2026
Verfügt über glaspassivierte Übergänge für erhöhte Stabilität und ist in einem DO-214AB-Gehäuse untergebracht.
IXYS X4-Class Leistungs-MOSFETs
02.02.2026
02.02.2026
Sie bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand und geringe Leitungsverluste bei verbessertem Wirkungsgrad.
IXYS DP-Hochspannungsdioden mit schneller Recoveryzeit
01.20.2026
01.20.2026
600 V oder 1.200 V SCHOTTKY-Dioden mit niedrigem Sperrstrom und schneller Recoveryzeit.
IXYS MMIX1T500N20X4 Leistungs-MOSFET von 200 V der X4-Klasse
10.08.2025
10.08.2025
Isoliertes Gehäuse auf Keramikbasis verbessert den Rth(j-s) insgesamt und die Strombelastbarkeit.
IXYS IXSxNxL2Kx Siliciumcarbid (SiC) MOSFETs
09.19.2025
09.19.2025
Diese Bauteile haben eine hohe Sperrspannung bei niedrigem Einschaltwiderstand [RDS(ON)].
IXYS IX4352NEAU Low-Side-Gate-Treiber
09.04.2025
09.04.2025
Speziell für die Ansteuerung von SiC-MOSFETs und Hochleistungs-IGBTs entwickelt.
IXYS IXSJxN120R1K SiC-Leistungs-MOSFETs von 1.200 V
08.27.2025
08.27.2025
Sperrspannung von bis zu 1.200 V mit einem niedrigen RDS(on) von 18 mΩ oder 36 mΩ.
IXYS IX3407B Isolierter Einkanal-Gate-Treiber
06.30.2025
06.30.2025
Bietet einen typischen Spitzenausgangsstrom von 7 A für Quelle und Senke an separaten Ausgangspins.
IXYS Dx-Baureihe Silizium-Gleichrichter für Automobilapplikationen
04.14.2025
04.14.2025
Verfügt über glaspassivierte Sperrschichten, die einen stabilen Betrieb und eine hohe Zuverlässigkeit gewährleisten.
IXYS IXD0579M Gate-Treiber
04.03.2025
04.03.2025
High-Side- und Low-Side-Gate-Treiber mit einer hohen Frequenz von 100 V und einer integrierten Bootstrap-Diode.
IXYS DCK SiC SCHOTTKY-Dioden
04.03.2025
04.03.2025
Bietet einen Hochfrequenzbetrieb und eine hohe Stromstoßbelastbarkeit.
IXYS MCMA140PD1800TB Thyristor-Diodenmodul
03.25.2025
03.25.2025
Das 140 A Diodenmodul ist mit einem planar passivierten Chip integriert und bietet eine langfristige Stabilität.
IXYS IXFP34N65X2W Leistungs-MOSFET
03.17.2025
03.17.2025
650 V HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse mit 100 mΩ und n-Kanal-Anreicherungstyp.
IXYS IXSA80N120L2-7 SiC-MOSFET
03.06.2025
03.06.2025
Einzelschalter-MOSFET mit einem 1200 V, 30 mΩ 79 A industrietauglichen Gerät in einem TO263-7L-Gehäuse.
IXYS IXSA40N120L2-7 SiC-MOSFET
03.06.2025
03.06.2025
Einzelschalter-MOSFET, der über ein 1.200 V, 80 mΩ, 41 A Industriestandard-Bauteil in einem TO263-7L-Gehäuse verfügt.
IXYS IXFH34N65X2W Leistungs-MOSFET
02.27.2025
02.27.2025
650 V HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse mit 100 mΩ und n-Kanal-Anreicherungstyp.
IXYS IXFH46N65X2W Leistungs-MOSFET
02.27.2025
02.27.2025
650 V HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse mit einem n-Kanal-Anreicherungstyp.
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Renesas Electronics MCK-RX74N Motorsteuerungs-Evaluierungskit
10.29.2026
10.29.2026
Ein Motorsteuerungs-Development Kit, das vom RX74N Hochleistungs-MCU von Renesas angetrieben wird.
Infineon Technologies ISSI20B Evaluierungsboards für Solid-State-Isolatoren
10.29.2026
10.29.2026
Ausgelegt, um die Leistung von iSSI20B Transformatorisolatoren ohne Cores zu demonstrieren.
Infineon Technologies KIT_PSC3M6_CC2 PSOC™ Motorsteuerung-Kit
10.29.2026
10.29.2026
Evaluierungsboard zur Entwicklung von PSOC™ Control C3-basierten Motorsteuerungslösungen.
Renesas Electronics EK-RX74M MCU-Evaluierungskit
10.29.2026
10.29.2026
Dieses Evaluierungskit ermöglicht eine schnelle Evaluierung, schnelles Prototyping und eine rasche Produktentwicklung.
Renesas Electronics EK-RX74N MCU-Evaluierungskit
10.29.2026
10.29.2026
Ein großer Speicher und eine vielseitige Anschlussfähigkeit ermöglichen schnelles Prototyping und die Entwicklung von Embedded-Systemen.
Renesas Electronics MCK-RX74M Motorsteuerungs-Evaluierungskit
10.29.2026
10.29.2026
Ein EtherCAT-fähiges Motorsteuerungs-Development Kit, das vom RX74M Hochleistungs-MCU von Renesas angetrieben wird.
STMicroelectronics STEVAL-MKI260KA Evaluationskit
10.28.2026
10.28.2026
Entwickelt zur Evaluierung des NBP8FD4S Batterie-Drucküberwachungssensors.
STMicroelectronics STEVAL-MKI261A Evaluationsboard
10.28.2026
10.28.2026
Entwickelt zur Evaluierung der MEMS-Bauteile der FXLS8961AF-Produktfamilie.
NXP Semiconductors S32K344EVB-LQ100 Evaluation Board
10.28.2026
10.28.2026
A development platform for general-purpose industrial and automotive applications.
Nordic Semiconductor nRF54LS05 DK-Development Kit
10.28.2026
10.28.2026
Bluetooth LE Development Kit zur Evaluierung von nRF54LS05A und nRF54LS05B System-on-Chips.
STMicroelectronics STEVAL-MKI259KA Evaluationskit
10.28.2026
10.28.2026
Entwickelt zur Evaluierung des NMH1000 Magnetschalters.
Kingston DTKNG2 DataTraveler® Kyson™ USB Flash Drives
10.28.2026
10.28.2026
High-performance capless Type-A USB flash drives with extremely fast transfer speeds.
STMicroelectronics STEVAL-MKI262A Evaluationsboard
10.28.2026
10.28.2026
Entwickelt zur Evaluierung von FXLS8964AF MEMS-Beschleunigungsmessern und zum Testen über einen standardmäßigen DIL24-Sockel.
Everspin Technologies EVEM064LX-PMOD MRAM Daughter Board
10.27.2026
10.27.2026
A 12-pin PMOD-compatible memory module based on the EM064LX MRAM memory devices.
Texas Instruments LM654B0EVM-1PH Evaluierungsmodul
10.27.2026
10.27.2026
Evaluierungsmodul für Abwärtswandler mit großem Eingangsspannungsbereich der Baureihe LM654xx.
Renesas Electronics RL78/G21 16-Bit-Allzweck- MCU
10.27.2026
10.27.2026
Ein stromsparender MCU, der primär für Systemsteuerungsanwendungen entwickelt wurde und sich durch Kostenoptimierung auszeichnet.
STMicroelectronics STEVAL-MKI264A Evaluationsboard
10.27.2026
10.27.2026
Entwickelt zur Evaluierung der MEMS-Bauteile der FXLS8971CF-Produktfamilie.
NXP Semiconductors FRDM-MCXL255 Development Board
10.27.2026
10.27.2026
MCX L25 development board for low-power sensing, metering, and control applications.
Texas Instruments LM851772Q1EVM-PD Evaluierungsmodul
10.27.2026
10.27.2026
USB-PD-Evaluierungsmodul für den LM851772-Q1 Buck-Boost-Regler.
EPC EPC91124 Evaluation Board
10.27.2026
10.27.2026
3-phase BLDC motor drive inverter featuring the EPC2361 eGaN® FET.
EPC EPC91125 Evaluation Board
10.27.2026
10.27.2026
A 3-phase Brushless DC (BLDC) motor drive inverter built around the EPC2367 eGaN® FET.
Texas Instruments DAC39RF20EVM Evaluierungsmodul
10.27.2026
10.27.2026
Evaluierungsmodul zur Prüfung des Betriebsverhaltens und der Betriebsmodi der DAC39RF20 DACs.
Texas Instruments ESD551/ESD551-Q1 Bidirektionale ESD-Dioden
10.27.2026
10.27.2026
Einkanalige bidirektionale ESD-Dioden für Stromleitungen, Datenleitungen und I/O-Ports.
Texas Instruments ISOW644x-Q1 Vierkanal-Digital-Isolatoren
10.27.2026
10.27.2026
Vierkanal-Digitalisolatoren für Fahrzeuganwendungen mit integriertem, isoliertem DC/DC-Wandler.
Renesas Electronics QCIOT-ICM42670POCZ Pmod™ Tochterboard
10.27.2026
10.27.2026
Ausgestattet mit dem TDK ICM-42670-P 3-Achsen-Gyroskop und dem 3-Achsen-Beschleunigungsmesser.
Ansicht: 1 - 25 von 8144
