Neueste Diskrete Halbleiter – Mouser Deutschland

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Arten von diskreten Halbleitern

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PANJIT PEC32 ESD Protection/TVS Diodes

07.30.2025

- Protect sensitive electronics from electrostatic discharge, surge events, & other transient threats.

PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs

06.09.2025

- These MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low RDS(ON).

PANJIT 60V Automotive P-Channel MOSFETs

04.21.2025

- Advanced trench process technology minimizes RDS(ON) while maximizing avalanche ruggedness.

PANJIT SBA Automotive Super Schottky Rectifiers

04.09.2025

- Offer 0.45V to 0.53V surface mount extreme low forward voltage drop with a 1A to 2A current rating.

PANJIT 80V & 100V Shield Gate Trench N-Channel MOSFETs

02.17.2025

- Shield gate trench (SGT) MOSFETs featuring a low RDS(ON) and a high switching speed.

PANJIT PE47xxL1Q High Surge ESD Protection

11.28.2024

- Enhances component capability and resists EOS events in a DFN1610-2L package.

PANJIT MBR10H TO-277C Schottky Barrier Rectifiers

11.28.2024

- Surface mount (SMD) H-type Schottky devices with ultra-low insulation resistance (IR).

PANJIT Gen.2 ESD Protection Diodes

09.13.2024

- Smart ESD protection diodes for high-speed data lines.

PANJIT PSMB033N10NS2 100V N-Channel MOSFET

09.04.2024

- Features a high switching speed and low reverse transfer capacitance.

PANJIT 60/100/150V Automotive-Grade MOSFETs

09.03.2024

- Family of 60V, 100V, and 150V AEC-Q101 qualified MOSFETs.

PANJIT KBJB Low Profile Bridge Rectifiers

08.29.2024

- Devices feature a maximum junction temperature (Tj) of 150℃ with a current rating of 10A or 15A.

PANJIT 150V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETs

08.29.2024

- Features a high switching speed and operates from 4A to 125A continuous drain current.

PANJIT 150V N-Channel Automotive MOSFETs

08.29.2024

- Optimized to have excellent FOM and AEC-Q101 qualified with standard-level gate drive.

PANJIT PJQx 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

06.20.2024

- Designed with logic level gate drive and are ideal for automotive applications.

PANJIT PJQx43 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

06.20.2024

- Reliable and rugged MOSFETs with ±25V gate-source voltage and -55°C to 150°C operating temperature.

PANJIT MBRxH60AFC-AU Schottky Barrier Rectifiers

06.18.2024

- Offer high efficiency and feature high surge current capability.

PANJIT MSR2DAFC Hyper-Fast Recovery Rectifier

06.17.2024

- Designed with Trr under 20ns for efficient rectification in electronic applications.

PANJIT PGRx16PT General-Purpose Rectifiers

06.17.2024

- Designed with inrush current and high voltage capability in the TO-247AD-2LM package.

PANJIT MSRxDAL Hyper Fast Recovery Rectifiers

05.23.2024

- Feature fast recovery time (Trr) for efficient rectification in electronic applications.

PANJIT PE1403M1Q ESD Protection Diode

05.23.2024

- Features low leakage current, ultra-low capacitance, and low clamping voltage.

PANJIT PTGH High-Speed 650V Field Stop Trench IGBTs

04.12.2024

- Offer superior high-speed switching capabilities with a low saturation voltage of 1.65V at TVJ 25°C.

PANJIT PZS52CxM1Q Silicon Zener Diodes

04.11.2024

- Features a planar die construction and are ideal for automated assembly processes.

PANJIT MMDT2222ATB6-AU Dual Surface Mount NPN Transistor

04.11.2024

- AEC-Q101-qualified electrically isolated dual NPN switching transistor.

PANJIT PJMBZ ESD Protection Diodes

02.19.2024

- Designed to protect sensitive equipment against ESD and prevent latch-up events.

PANJIT S5xB Surface Mount General-Purpose Rectifiers

01.19.2024

- Converts an alternating current (AC) voltage into a direct current (DC) voltage.

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onsemi NVNJWS1K6N061L N-Channel MOSFET

07.30.2026

- Features low RDS(on) and low gate threshold with integrated ESD protection.

onsemi EMD4DXV6 Digital Transistors ( BRTs)

07.30.2026

- Designed to replace a single device and its external resistor bias network.

ROHM Semiconductor 600V Super-Junktion (SJ) MOSFETs

07.21.2026

- Kompakte Gehäuseoptionen mit niedrigem Profil, die eine hervorragende Dissipation gewährleisten.

IXYS DK010S3ARP 1000 V 10 A Gleichrichter

07.20.2026

- Verfügt über glaspassivierte Übergänge für erhöhte Stabilität und ist in einem DO-214AB-Gehäuse untergebracht.

IXYS DK610S3RP Universal- Gleichrichterdiode

07.20.2026

- Platzsparend, ideal für die automatisierte Bestückung und bestens geeignet für DC- Applikationen.

onsemi GaNEXUS™ GaN-FETs

07.08.2026

- Wide-Bandgap-Materialeigenschaften für niedrige Gate- und Ausgangsladung, schnelles Schalten und einen verbesserten Wirkungsgrad.

Bourns CDDFN2 TVS-Dioden zur Oberflächenmontage

07.07.2026

- ESD, EFT und Überspannungsschutz für externe Anschlüsse elektronischer Bauteile zur Begrenzung kritischer Schäden.

Semtech RCLAMP2891PQ TVS Diode

06.30.2026

- Einphasige 28-V-TVS-Diode mit extrem niedriger Kapazität schützt Hochgeschwindigkeits-Signalleitungen vor ESD und EOS.

Diotec Semiconductor SI02C120SMA Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode

06.29.2026

- Offers a repetitive reverse voltage rating of 1200V and a forward current capability of 2A.

Bourns CDSOD323-T24LC-Q TVS-Dioden in Automobilqualität

06.26.2026

- Bidirektionale Automotive-Grade TVS-Dioden in einem kompakten SOD-323-Gehäuse.

Littelfuse TVS Arrays Diodenarrays

06.26.2026

- TVS-Diodenarrays für Überspannungsschutz, ESD und EFT an Daten- und Energie-Schnittstellen.

Bourns CDSOD323-TxxSC-Q TVS-Dioden

06.25.2026

- Bieten Sie eine Auswahl an Spannungsoptionen von 3 V bis 36 V in einer bidirektionalen Bauform an.

Diodes Incorporated D3V3ZF1BD2CSP Bidirektionale TVS-Diode

06.22.2026

- Bauteil mit geringer Kapazität, das speziell zum Schutz von Hochgeschwindigkeits-Differentialleitungen konzipiert ist.

Vishay MXP075 MaxSiC® 750-V-n-Kanal-MOSFETs

06.19.2026

- Zeichnen sich durch eine Drain-Source-Spannung von 750 V, eine hohe Schaltgeschwindigkeit und eine Kurzschlussfestigkeit von 3 μs.

Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

06.18.2026

- Based on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.

Infineon Technologies EasyPACK™ S-Module

06.12.2026

- Effiziente Leistungsumwandlung in einem kompakten, einfach zu integrierenden Gehäuse, das für moderne Leistungsdesigns ausgelegt ist.

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 100 V Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuge

05.27.2026

- Fortschrittliche n-Kanal-Bauteile für hocheffiziente Leistungsschaltung.

Texas Instruments 2N7002L 6-V-N-Kanal-MOSFETs

05.18.2026

- Entwickelt, um den Einschaltwiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine schnelle Schaltleistung zu gewährleisten.

Bourns CDSOT23-SM712-Q TVS-Diode zur Oberflächenmontage

05.12.2026

- Bietet Schutz für Datenanschlüsse gemäß IEC 61000-4-2, IEC 61000-4-4 und IEC 61000-4-5.

Infineon Technologies CIPOS™ Prime CoolSiC™-Leistungsmodule für Fahrzeuganwendungen

05.06.2026

- Leistungsmodule sind für hohe Leistung in xEV-Anwendungen ausgelegt.

Littelfuse AK-FL TVS-Dioden

05.04.2026

- Axial bedrahtete, flache und bidirektionale FlatSuppressX™ TVS-Dioden mit niedriger Klemmspannung.

Littelfuse TP1KSMB-FL FlatSuppressX™ TVS-Dioden

05.04.2026

- Speziell ausgelegt, um empfindliche elektronische Geräte vor Spannungstransienten zu schützen.

Littelfuse TP5.0SMD-FL FlatSuppressX™ TVS-Dioden

05.04.2026

- Spitzenimpulsleistung von 5000 W bei Verwendung einer 10/1000 µs Wellenform und einer Verlustleistung von 6,5 W.

Littelfuse QVx35xHx Alternistor-TRIACs für Hochtemperaturanwendungen

04.24.2026

- Das Bauteil bietet einen Nennstrom von 35 A und ist in einem Gehäuse des Typs TO-220AB, TO-220 isoliert und TO-263 erhältlich.

Littelfuse SJx08x SCRs für Hochtemperaturanwendungen

04.24.2026

- -Mit einer Spannung von bis zu 800 V, einer Stromstoßfestigkeit von bis zu 100 A und einer Temperaturbeständigkeit von bis zu +150 °C.

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