Arten von Halbleitern
Angewendete Filter:
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= ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor BD9B306ANF-Z DC/DC-Wandler
08.20.2026
08.20.2026
Einzelner synchroner Abwärtswandler (DC/DC-Wandler) mit eingebauten Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand.
ROHM Semiconductor 600V Super-Junktion (SJ) MOSFETs
07.21.2026
07.21.2026
Kompakte Gehäuseoptionen mit niedrigem Profil, die eine hervorragende Dissipation gewährleisten.
ROHM Semiconductor Hochdichte SiC-Leistungsmodule
04.10.2026
04.10.2026
Die TRCDRIVE-Packung™, DOT-247- und HSDIP20-Gehäuse tragen zur leistungsstarken Leistungsumwandlung bei.
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ mit geformten Modulen
03.17.2026
03.17.2026
Mit 1.200 V Nennspannung in einem 41,6 mm × 52,5 mm Gehäuse und integrierten SiC-MOSFETs der 4. Generation.
ROHM Semiconductor TLR2728YFJ-C Operationsverstärker
12.11.2025
12.11.2025
Rail-to-Rail-Eingang-/Ausgang- und Hochgeschwindigkeits-Dual-CMOS-Operationsverstärker.
ROHM Semiconductor LMRx802-LB Operationsverstärker
11.24.2025
11.24.2025
Der Operationsverstärker zeichnet sich durch geringes Rauschen, eine niedrige Eingangs-Offsetspannung und einen niedrigen Eingangsruhestrom aus.
ROHM Semiconductor RH7G03BBJFRA p-Kanal-Leistungs-MOSFET
11.18.2025
11.18.2025
Dieser MOSFET hat einen VDSS-Wert von -40 V und einen ID-Wert (VDS = -10 V) von ±22 A.
ROHM Semiconductor BD79124MUF-C A/D-Wandler
11.18.2025
11.18.2025
Universeller 12-Bit-A/D-Wandler mit 8 Kanälen und sukzessiver Approximation.
ROHM Semiconductor RN789FM PIN-Diode
11.18.2025
11.18.2025
Kleines Gehäuse, geeignet für eine automatische Verstärkungsregelungsschaltung und einen Antennenverstärker/Antennendämpfungsregler.
ROHM Semiconductor RJ1P10BAT p-Kanal-Leistungs-MOSFET
11.18.2025
11.18.2025
Dieser MOSFET hat einen VDSS-Wert von -100 V und einen ID-Wert (VDS = 10 V) von ±105 A.
ROHM Semiconductor BM2P10xJ-Z PWM-Typ DC/DC-Wandler-ICs
11.03.2025
11.03.2025
Verfügen über einen integrierten Schalt- MOSFET von 730 V und werden direkt vom AC-Hochspannungsnetz betrieben.
ROHM Semiconductor 750 V n-Kanal-SiC-MOSFETs
10.17.2025
10.17.2025
Diese Bauteile erhöhen die Schaltfrequenz und dadurch die erforderlichen Kondensatoren, Reaktoren und andere Bauelemente verringern.
ROHM Semiconductor RD3x n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen
10.16.2025
10.16.2025
AEC-Q101-qualifizierte MOSFETs mit niedriger Durchlassspannung, schneller Recoveryzeit und hohem Ableitvermögen.
ROHM Semiconductor BM2P06xJ-Z PWM-Typ-DC/DC-Wandler-ICs
09.26.2025
09.26.2025
Für kompakte und effizient isolierte AC/DC-Power-Strip -Applikationen ausgelegt.
ROHM Semiconductor BM3G115MUV-EVK-003 Evaluierungsboard
08.27.2025
08.27.2025
Wurde entwickelt, um die Fähigkeiten des BM3G115MUV GaN-HEMT-Leistungsschaltung-ICs zu evaluieren und zu demonstrieren.
ROHM Semiconductor BM3G107MUV-EVK-003 Evaluierungsboard
08.27.2025
08.27.2025
Das Board wurde entwickelt, um die Fähigkeiten des BM3G107MUV GaN HEMT Power Stage IC zu evaluieren und zu demonstrieren.
ROHM Semiconductor RJ1x10BBG Leistungs-MOSFETs
08.21.2025
08.21.2025
N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand und einem Hochleistunggehäuse.
ROHM Semiconductor RQxAT P-Kanal-MOSFETs
08.21.2025
08.21.2025
Die Bauteile verfügen über ein Gehäuse zur Oberflächenmontage mit niedrigem On-Widerstand und sind zu 100 % Rg- und UIS-geprüft.
ROHM Semiconductor RF202LB2S superschnelle Freilaufdiode
08.21.2025
08.21.2025
Eine superschnelle Freilaufdiode vom Typ Silizium-Epitaxie-Planar mit niedriger VF und geringen Schaltverlusten.
ROHM Semiconductor RNxMFH PIN-Dioden im Automobilstandard
08.21.2025
08.21.2025
Dioden im Automobilstandard mit ultrakleinem Formkörper, die für Hochfrequenzschaltungen geeignet sind.
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1.700-V-N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET
08.21.2025
08.21.2025
Ein mit einer Drain-Source-Spannung von 1.700 V (VDSS) und einem Dauersenkenstrom von 3,9 A (ID) bewerteter SiC-MOSFET.
ROHM Semiconductor RN242SM PIN-Diode
08.20.2025
08.20.2025
Bietet eine niedrige Kapazität und ein extrem ultrakleines Gehäuse, das für Hochfrequenzschaltungen geeignet ist.
ROHM Semiconductor RH7L03 60 V N-Kanal Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein Automobilstandard-MOSFET, das für VDSS von 60 V und ID von ±35 A ausgelegt und gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
ROHM Semiconductor RH7G04 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs
08.19.2025
08.19.2025
Bei diesen Bauteile handelt es sich um gemäß AEC-Q101 zugelassene MOSFETs mit 40 V VDSS und ±40 A IDim Automobilstandard.
ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Spannung VDSS von 100 V und einem Strom ID von ±40 A, das gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
Ansicht: 1 - 25 von 218
Infineon Technologies TLV55624-1O XENSIV™ TMR-Based Switch
09.30.2026
09.30.2026
Ultra-low-power, omnipolar TMR-based switch with approximately 7nA typical current consumption.
Infineon Technologies XENSIV™ BGT60CUTR13AIP CMOS 60GHz Radar SMD Module
09.30.2026
09.30.2026
Enables rapid prototyping of the BGT60CUTR13AIP radar sensor utilizing the PCB pad connectors.
Qorvo QPQ5510 5 GHz Wi-Fi U-NII 1-3 BandBoost™ Filter
09.25.2026
09.25.2026
Hochleistungs-Bandpassfilter mit hohem Wirkungsgrad und Bulk-Akustikwellen (BAW).
Würth Elektronik MagI³C WPME-FIRM Feste isolierte Reglermodule
09.24.2026
09.24.2026
Vollständig integrierte, isolierte 6-W-DC/DC-Module mit geregeltem 5-V-Ausgang.
Murata LBWA0ZZ2JM-EVB Evaluationsboard
09.24.2026
09.24.2026
Zur Evaluierung von einem ultra-kompakten Wi-Fi™ 4 drahtlosen Embedded-MCU- Modul vom Typ 2JM Wi-Fi .
Bosch BMI423 Trägheitsmessgerät
09.22.2026
09.22.2026
Bietet einen erweiterten Messbereich und einen niedrigen Stromverbrauch.
Dielectric Laboratories / Knowles B140MB4S Development Board
09.21.2026
09.21.2026
Designed to evaluate the B140MB4S SATCOM band that supports 14GHz frequency.
Dielectric Laboratories / Knowles DEB12054 Development Board
09.21.2026
09.21.2026
Designed to evaluate the ADP12054 surface mount diplexer that operates at 11.75GHz and 19.25GHz.
Dielectric Laboratories / Knowles B117NB5S Development Board
09.21.2026
09.21.2026
Designed to evaluate B117NB5S 11.725GHz surface mount band-pass filter.
Microchip Technology Building Block Solutions - Automotive-LDO-Board
09.21.2026
09.21.2026
Modulares Board zur Evaluierung von neun Automotive-Low-Dropout-Regler-Lösungen.
Dielectric Laboratories / Knowles DEB12055 Development Board
09.21.2026
09.21.2026
Designed to evaluate the ADP12055 surface-mount diplexer that operates at 11.75GHz and 14.1GHz.
Texas Instruments TPS4141-Q1 Konfigurierbarer Präzisions-Widerstandsteiler
09.18.2026
09.18.2026
Ein hochspannungsfester, präzisionsabgestimmter Widerstandsteiler mit integriertem Verstärker mit programmierbarer Verstärkung.
Texas Instruments TPS92761-Q1 24-Kanal-LED-Matrix-Manager
09.18.2026
09.18.2026
Kann bis zu 90 mA Strom durch LEDs leiten, mit einer Genauigkeit von weniger als ±3,5 % zwischen den einzelnen Kanälen
Texas Instruments TPS4141Q1EVM Hardware-Evaluierungsmodul (EVM)
09.18.2026
09.18.2026
Enthält mehrere Testpunkte & Jumper zur Bewertung der Leistung und Funktionalität des TPS4141-Q1.
Texas Instruments TPS7E67-Q1 Lineare LDO-Spannungsregler
09.18.2026
09.18.2026
Geräte mit niedrigem Ruhestrom sind für den Anschluss an die Batterie in Automobil-Anwendungen konzipiert.
onsemi NVMTS1D1N08X N‐Kanal-Leistungs-MOSFETs
09.17.2026
09.17.2026
80-V-MOSFETs für Fahrzeuge mit niedrigem On-Widerstand und Soft-Recovery-Body-Diode.
Infineon Technologies PSC3P8xx PSOC™ Control C3 Performance Line MCUs
09.17.2026
09.17.2026
Liefert die für Echtzeit-Steuerungssysteme benötigte Verarbeitungsleistung und gewährleistet einen stromsparenden Betrieb.
Infineon Technologies PSOC™ Edge E84 HMI-Kit
09.17.2026
09.17.2026
Für schnelles Prototyping und die Evaluierung von HMI der nächsten Generation für Edge-KI-Anwendungen.
STMicroelectronics AEK-POW-BMS63EM Evaluationsboard
09.17.2026
09.17.2026
Ein Evaluierungsboard für Batteriemanagementsysteme, das mit ein bis 31 Li-Ionen-Batterieknoten arbeiten kann.
Vishay SQD50P04-09L 40-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET für die Kfz-Industrie
09.16.2026
09.16.2026
Dieses Bauteil eignet sich ideal für Anwendungen in den Bereichen Kfz-Technik, Stromverteilung und industrielle Leistungssteuerung.
Texas Instruments TPS56x24x Synchroner Abwärtswandler
09.16.2026
09.16.2026
Ein einfacher, benutzerfreundlicher, hocheffizienter synchroner Abwärtswandler mit hoher Leistungsdichte.
Texas Instruments TPS56425xx 600-kHz-Synchron-Abwärtswandler
09.16.2026
09.16.2026
Ein hocheffizienter Abwärtswandler mit hoher Leistungsdichte, der einen Dauerstrom von bis zu 4 A unterstützt.
Texas Instruments TXE8148 48-Bit-SPI-Bus-I/O-Expander
09.16.2026
09.16.2026
Dieses Gerät bietet eine universelle parallele I/O-Erweiterung für das Vierdraht-SPI-Protokoll.
Texas Instruments TPS544B28EVM Wandler-Evaluationsmodul (EVM)
09.16.2026
09.16.2026
Hilft Anwendern bei der Evaluierung und dem Kennenlernen des Bauteils TPS544B28 in einem 19-poligen WQFN-HR-Gehäuse.
Texas Instruments UCC35131EVM-118 Entwicklungsmodul (EVM)
09.16.2026
09.16.2026
Dient der schnellen und effizienten Evaluierung des UCC35131-Q1 für den Einsatz in Fahrzeug- oder Industrieapplikationen.
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