Arten von Halbleitern
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= ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor Hochdichte SiC-Leistungsmodule
04.10.2026
04.10.2026
Die TRCDRIVE-Packung™, DOT-247- und HSDIP20-Gehäuse tragen zur leistungsstarken Leistungsumwandlung bei.
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ mit geformten Modulen
03.17.2026
03.17.2026
Mit 1.200 V Nennspannung in einem 41,6 mm × 52,5 mm Gehäuse und integrierten SiC-MOSFETs der 4. Generation.
ROHM Semiconductor TLR2728YFJ-C Operationsverstärker
12.11.2025
12.11.2025
Rail-to-Rail-Eingang-/Ausgang- und Hochgeschwindigkeits-Dual-CMOS-Operationsverstärker.
ROHM Semiconductor LMRx802-LB Operationsverstärker
11.24.2025
11.24.2025
Der Operationsverstärker zeichnet sich durch geringes Rauschen, eine niedrige Eingangs-Offsetspannung und einen niedrigen Eingangsruhestrom aus.
ROHM Semiconductor RN789FM PIN-Diode
11.18.2025
11.18.2025
Kleines Gehäuse, geeignet für eine automatische Verstärkungsregelungsschaltung und einen Antennenverstärker/Antennendämpfungsregler.
ROHM Semiconductor BD79124MUF-C A/D-Wandler
11.18.2025
11.18.2025
Universeller 12-Bit-A/D-Wandler mit 8 Kanälen und sukzessiver Approximation.
ROHM Semiconductor RJ1P10BAT p-Kanal-Leistungs-MOSFET
11.18.2025
11.18.2025
Dieser MOSFET hat einen VDSS-Wert von -100 V und einen ID-Wert (VDS = 10 V) von ±105 A.
ROHM Semiconductor RH7G03BBJFRA p-Kanal-Leistungs-MOSFET
11.18.2025
11.18.2025
Dieser MOSFET hat einen VDSS-Wert von -40 V und einen ID-Wert (VDS = -10 V) von ±22 A.
ROHM Semiconductor BM2P10xJ-Z PWM-Typ DC/DC-Wandler-ICs
11.03.2025
11.03.2025
Verfügen über einen integrierten Schalt- MOSFET von 730 V und werden direkt vom AC-Hochspannungsnetz betrieben.
ROHM Semiconductor 750 V n-Kanal-SiC-MOSFETs
10.17.2025
10.17.2025
Diese Bauteile erhöhen die Schaltfrequenz und dadurch die erforderlichen Kondensatoren, Reaktoren und andere Bauelemente verringern.
ROHM Semiconductor RD3x n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen
10.16.2025
10.16.2025
AEC-Q101-qualifizierte MOSFETs mit niedriger Durchlassspannung, schneller Recoveryzeit und hohem Ableitvermögen.
ROHM Semiconductor BM2P06xJ-Z PWM-Typ-DC/DC-Wandler-ICs
09.26.2025
09.26.2025
Für kompakte und effizient isolierte AC/DC-Power-Strip -Applikationen ausgelegt.
ROHM Semiconductor BM3G115MUV-EVK-003 Evaluierungsboard
08.27.2025
08.27.2025
Wurde entwickelt, um die Fähigkeiten des BM3G115MUV GaN-HEMT-Leistungsschaltung-ICs zu evaluieren und zu demonstrieren.
ROHM Semiconductor BM3G107MUV-EVK-003 Evaluierungsboard
08.27.2025
08.27.2025
Das Board wurde entwickelt, um die Fähigkeiten des BM3G107MUV GaN HEMT Power Stage IC zu evaluieren und zu demonstrieren.
ROHM Semiconductor RQxAT P-Kanal-MOSFETs
08.21.2025
08.21.2025
Die Bauteile verfügen über ein Gehäuse zur Oberflächenmontage mit niedrigem On-Widerstand und sind zu 100 % Rg- und UIS-geprüft.
ROHM Semiconductor RJ1x10BBG Leistungs-MOSFETs
08.21.2025
08.21.2025
N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand und einem Hochleistunggehäuse.
ROHM Semiconductor RNxMFH PIN-Dioden im Automobilstandard
08.21.2025
08.21.2025
Dioden im Automobilstandard mit ultrakleinem Formkörper, die für Hochfrequenzschaltungen geeignet sind.
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1.700-V-N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET
08.21.2025
08.21.2025
Ein mit einer Drain-Source-Spannung von 1.700 V (VDSS) und einem Dauersenkenstrom von 3,9 A (ID) bewerteter SiC-MOSFET.
ROHM Semiconductor RF202LB2S superschnelle Freilaufdiode
08.21.2025
08.21.2025
Eine superschnelle Freilaufdiode vom Typ Silizium-Epitaxie-Planar mit niedriger VF und geringen Schaltverlusten.
ROHM Semiconductor RN242SM PIN-Diode
08.20.2025
08.20.2025
Bietet eine niedrige Kapazität und ein extrem ultrakleines Gehäuse, das für Hochfrequenzschaltungen geeignet ist.
ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Spannung VDSS von 40 V und einem Strom ID von ±12 A, das gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Spannung VDSS von 100 V und einem Strom ID von ±40 A, das gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
ROHM Semiconductor RH7G04 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs
08.19.2025
08.19.2025
Bei diesen Bauteile handelt es sich um gemäß AEC-Q101 zugelassene MOSFETs mit 40 V VDSS und ±40 A IDim Automobilstandard.
ROHM Semiconductor RH7L03 60 V N-Kanal Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein Automobilstandard-MOSFET, das für VDSS von 60 V und ID von ±35 A ausgelegt und gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
ROHM Semiconductor BR25G-5 SPI BUS EEPROMs
08.19.2025
08.19.2025
Diese Bauteile sind 16Kbit serielle EEPROMs mit einer SPI BUS-Schnittstelle und 4 Millionen Schreibzyklen.
Ansicht: 1 - 25 von 217
Silicon Labs SiWG917Y Modul-Funkplatinen
07.23.2026
07.23.2026
Wi-Fi 6 und Bluetooth LE Funkplatinen für die drahtloseIoT- Entwicklung.
iC-Haus iC-MU Evaluation Kits
07.22.2026
07.22.2026
Designed to evaluate the iC-MU magnetic off-axis position encoders.
iC-Haus iC-MU Magnetic Off-Axis Position Encoders
07.22.2026
07.22.2026
Integrated with Hall sensors for two-track scanning and can log an absolute position.
Analog Devices Inc. LT8686S Abwärtsregler
07.22.2026
07.22.2026
Quad-Abwärtsregler mit koppelbaren Ausgängen und extrem niedrigem EMI-Betriebsverhalten.
Microchip Technology EV34X05A Memory Xplorer SPI-Tochterboard
07.21.2026
07.21.2026
SPI-Tochterboard für die Evaluierung des seriellen Memory Xplorer EEPROMs.
Microchip Technology EV08L40A Tochterplatine
07.21.2026
07.21.2026
Eindraht-Tochterboard für die Evaluierung des Memory Xplorer seriellen EEPROMs.
Infineon Technologies TLF4Dx OPTIREG™ PMICs
07.21.2026
07.21.2026
Hocheffizienter, multi-rail funktionaler Leistungsmanagement IC für Systeme bis ASIL D.
Infineon Technologies Evaluation Kits for EiceDRIVER™ 2EDN Gate Drivers
07.21.2026
07.21.2026
Provides a test platform for dual-channel non-isolated gate driver IC EiceDRIVER™.
Microchip Technology 25CSM01 Serielle 1-MBit/s-SPI-EEPROMs
07.21.2026
07.21.2026
1-MBit-SPI-EEPROMs mit ECC, Seriennummer und verbessertem Schreibschutz.
IXYS DK010S3ARP 1000 V 10 A Gleichrichter
07.20.2026
07.20.2026
Verfügt über glaspassivierte Übergänge für erhöhte Stabilität und ist in einem DO-214AB-Gehäuse untergebracht.
Infineon Technologies DEMO_48V12_400W_GAN Evaluierungsboard
07.20.2026
07.20.2026
Buck-Demo-Board in einer Halbbrücken- Bauform mit dem CoolGaN™ TRANSISTOR 80V G3.
IXYS DK610S3RP Universal- Gleichrichterdiode
07.20.2026
07.20.2026
Platzsparend, ideal für die automatisierte Bestückung und bestens geeignet für DC- Applikationen.
Boréas Technologies BOS1921-KIT-C03 Piezo Development Kit
07.17.2026
07.17.2026
Features solid-state buttons with built-in touch sensing, force sensing, and haptic feedback.
M5Stack C152 Stopwatch Dev Kit (ESP32-S3)
07.17.2026
07.17.2026
Features a circular AMOLED touch development board designed for portable & interactive applications.
Nisshinbo NJW4203 SSFM Oscillator ICs
07.17.2026
07.17.2026
SSFM oscillator ICs for switching regulator synchronization and EMI reduction.
Sensirion SEK-SFA40 Evaluierungskit
07.16.2026
07.16.2026
Evaluierungskit für die Entwicklung des Formaldehydsensors SFA40.
Analog Devices Inc. AD-ETHERNETAPLDEVICE-SL Ethernet-APL Plattform
07.15.2026
07.15.2026
Ethernet-APL Feldplattform für sicheres, vernetztes Prototyping industrieller Geräte.
STMicroelectronics STEVAL-MKI253KA Evaluierungskit
07.15.2026
07.15.2026
Das Evaluierungskit basiert auf dem digitalen 3-Achsen-Vibrationssensor IIS3DWB10IS mit einer ISPU.
Analog Devices Inc. EVAL-AD3532R Evaluierungsboard
07.15.2026
07.15.2026
Evaluierungsboard für Prototypen von AD3532R-DACs mit 16 Kanälen und Spannungsausgang.
Analog Devices Inc. ADIN1140 10BASE-T1S MAC-PHY
07.15.2026
07.15.2026
Stromsparender industrieller MAC-PHY für 10BASE-T1S Ethernet-Konnektivität.
Analog Devices Inc. DEMO-ADIN114XAZ Demoplatine
07.15.2026
07.15.2026
Demonstrationsboard auf Feather-Basis zur Evaluierung der Funktionen des 10BASE-T1S-MAC-PHY ADIN1140.
Diodes Incorporated AL8859QA0EV1 Evaluierungsboard
07.14.2026
07.14.2026
Demonstriert die Funktionen des AL8859Q Mehrphasen-Boost-Controllers für Fahrzeugbeleuchtungssysteme.
Diodes Incorporated PI6C39X110x LVCMOS-Taktpuffer
07.13.2026
07.13.2026
Eine Produktfamilie von Single-Ended-Taktpuffern, die zwei, vier oder acht LVCMOS-Ausgänge bereitstellen.
Semtech LR2021EVK2XxS1 Evaluierungskits
07.13.2026
07.13.2026
Beinhaltet 2 LoRa Plus™ HF-Boards und Xiao nRF54L15 Module für globale 2,4 GHz Bänder.
Quectel SR-IMXM-EVB Evaluation Board Kit
07.13.2026
07.13.2026
Tool for developing applications and testing basic functionalities of SRG091X and SRG093X modules.
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