Arten von Halbleitern
Angewendete Filter:
Hersteller
= ROHM Semiconductor
Zurück zur Registerkarte Produkte zum Ändern Ihrer aktuellen Filter.
ROHM Semiconductor Hochdichte SiC-Leistungsmodule
04.10.2026
04.10.2026
Die TRCDRIVE-Packung™, DOT-247- und HSDIP20-Gehäuse tragen zur leistungsstarken Leistungsumwandlung bei.
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ mit geformten Modulen
03.17.2026
03.17.2026
Mit 1.200 V Nennspannung in einem 41,6 mm × 52,5 mm Gehäuse und integrierten SiC-MOSFETs der 4. Generation.
ROHM Semiconductor TLR2728YFJ-C Operationsverstärker
12.11.2025
12.11.2025
Rail-to-Rail-Eingang-/Ausgang- und Hochgeschwindigkeits-Dual-CMOS-Operationsverstärker.
ROHM Semiconductor LMRx802-LB Operationsverstärker
11.24.2025
11.24.2025
Der Operationsverstärker zeichnet sich durch geringes Rauschen, eine niedrige Eingangs-Offsetspannung und einen niedrigen Eingangsruhestrom aus.
ROHM Semiconductor BD79124MUF-C A/D-Wandler
11.18.2025
11.18.2025
Universeller 12-Bit-A/D-Wandler mit 8 Kanälen und sukzessiver Approximation.
ROHM Semiconductor RN789FM PIN-Diode
11.18.2025
11.18.2025
Kleines Gehäuse, geeignet für eine automatische Verstärkungsregelungsschaltung und einen Antennenverstärker/Antennendämpfungsregler.
ROHM Semiconductor RJ1P10BAT p-Kanal-Leistungs-MOSFET
11.18.2025
11.18.2025
Dieser MOSFET hat einen VDSS-Wert von -100 V und einen ID-Wert (VDS = 10 V) von ±105 A.
ROHM Semiconductor RH7G03BBJFRA p-Kanal-Leistungs-MOSFET
11.18.2025
11.18.2025
Dieser MOSFET hat einen VDSS-Wert von -40 V und einen ID-Wert (VDS = -10 V) von ±22 A.
ROHM Semiconductor BM2P10xJ-Z PWM-Typ DC/DC-Wandler-ICs
11.03.2025
11.03.2025
Verfügen über einen integrierten Schalt- MOSFET von 730 V und werden direkt vom AC-Hochspannungsnetz betrieben.
ROHM Semiconductor 750 V n-Kanal-SiC-MOSFETs
10.17.2025
10.17.2025
Diese Bauteile erhöhen die Schaltfrequenz und dadurch die erforderlichen Kondensatoren, Reaktoren und andere Bauelemente verringern.
ROHM Semiconductor RD3x n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen
10.16.2025
10.16.2025
AEC-Q101-qualifizierte MOSFETs mit niedriger Durchlassspannung, schneller Recoveryzeit und hohem Ableitvermögen.
ROHM Semiconductor BM2P06xJ-Z PWM-Typ-DC/DC-Wandler-ICs
09.26.2025
09.26.2025
Für kompakte und effizient isolierte AC/DC-Power-Strip -Applikationen ausgelegt.
ROHM Semiconductor BM3G107MUV-EVK-003 Evaluierungsboard
08.27.2025
08.27.2025
Das Board wurde entwickelt, um die Fähigkeiten des BM3G107MUV GaN HEMT Power Stage IC zu evaluieren und zu demonstrieren.
ROHM Semiconductor BM3G115MUV-EVK-003 Evaluierungsboard
08.27.2025
08.27.2025
Wurde entwickelt, um die Fähigkeiten des BM3G115MUV GaN-HEMT-Leistungsschaltung-ICs zu evaluieren und zu demonstrieren.
ROHM Semiconductor RF202LB2S superschnelle Freilaufdiode
08.21.2025
08.21.2025
Eine superschnelle Freilaufdiode vom Typ Silizium-Epitaxie-Planar mit niedriger VF und geringen Schaltverlusten.
ROHM Semiconductor RQxAT P-Kanal-MOSFETs
08.21.2025
08.21.2025
Die Bauteile verfügen über ein Gehäuse zur Oberflächenmontage mit niedrigem On-Widerstand und sind zu 100 % Rg- und UIS-geprüft.
ROHM Semiconductor RJ1x10BBG Leistungs-MOSFETs
08.21.2025
08.21.2025
N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand und einem Hochleistunggehäuse.
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1.700-V-N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET
08.21.2025
08.21.2025
Ein mit einer Drain-Source-Spannung von 1.700 V (VDSS) und einem Dauersenkenstrom von 3,9 A (ID) bewerteter SiC-MOSFET.
ROHM Semiconductor RNxMFH PIN-Dioden im Automobilstandard
08.21.2025
08.21.2025
Dioden im Automobilstandard mit ultrakleinem Formkörper, die für Hochfrequenzschaltungen geeignet sind.
ROHM Semiconductor RN242SM PIN-Diode
08.20.2025
08.20.2025
Bietet eine niedrige Kapazität und ein extrem ultrakleines Gehäuse, das für Hochfrequenzschaltungen geeignet ist.
ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Spannung VDSS von 100 V und einem Strom ID von ±40 A, das gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA -30-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein Automobilstandard-MOSFET, das für VDSS von -30 V und ID von ±40 A ausgelegt und gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
ROHM Semiconductor JMZV8.2B 5-mA-Zener-Dioden
08.19.2025
08.19.2025
Die in einem kleinen Power-Mold-Gehäuse erhältlichen Bauteile sind für Applikationen zur Spannungsregelung geeignet
ROHM Semiconductor RH7G04 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs
08.19.2025
08.19.2025
Bei diesen Bauteile handelt es sich um gemäß AEC-Q101 zugelassene MOSFETs mit 40 V VDSS und ±40 A IDim Automobilstandard.
ROHM Semiconductor RH7L04 60 V N-Kanal Leistungs-MOSFETs
08.19.2025
08.19.2025
AEC-Q101-zugelassene MOSFETs für Fahrzeuganwendungen mit 60 V VDSS und ±40 A ID
Ansicht: 1 - 25 von 217
Renesas Electronics EBC10293 240W PD3.2 EPR Design Board
07.27.2026
07.27.2026
Includes with RRW11011, RRW40120, RRW43110, and RRW30120 converters.
Renesas Electronics PTX205RIOTEB Evaluation Board
07.27.2026
07.27.2026
Combines the Config Tool GUI to enable easy, fast evaluation of PTX205R NFC IC performance.
Microchip Technology AVR32LA32 Curiosity Nano Evaluation Kit
07.27.2026
07.27.2026
Curiosity Nano board for evaluating AVR32LA32 microcontroller applications.
Infineon Technologies REF_500W_CYCLO_BDSGAN Evaluation Board
07.27.2026
07.27.2026
Serves as a solar microinverter reference design based on cyclo-converter topology.
STMicroelectronics EVL-L98GD8E Evaluation Board
07.27.2026
07.27.2026
Evaluates the L98GD8E, a 48V-rated smart power device designed in advanced BCD technology.
Renesas Electronics EBC10298 PSR GaN SIP
07.27.2026
07.27.2026
A combination of a PSR and GaN, with up to 65W of power and a low BOM cost.
Infineon Technologies DEMO_AC_ZVS_HVBDS Evaluation Board
07.27.2026
07.27.2026
Demonstrates the AC soft-switching capability of CoolGaN™ Bidirectional Switch (BDS) 650V G5.
Infineon Technologies REF_LEDP_ANI_EXT LITIX™ LED Reference Board
07.27.2026
07.27.2026
Animated exterior lighting reference board for automotive LITIX™ LED platform evaluation.
Infineon Technologies SPOC™ Wire Guard Power Switch IC
07.27.2026
07.27.2026
Features a 24‑bit SPI interface with CRC and driving loads up to a nominal current of 34.5A.
Infineon Technologies LITIX™ SHIELD_LED_PLATFORM Arduino Shield
07.27.2026
07.27.2026
Arduino shield for evaluating LITIX™ LED platform reference designs.
Renesas Electronics RRW2111x GaN System-in-Packages (SiPs)
07.27.2026
07.27.2026
700V GaN integrated primary side QR flyback regulators for 25W/45W/65W applications.
Infineon Technologies KIT_HB_GaN Half-bridge Daughterboards
07.27.2026
07.27.2026
Integrate different gate drive solutions for CoolGaN™ transistors 650V G5.
Renesas Electronics EBC10296 & EBC10320 SSR + GaN SIPs
07.27.2026
07.27.2026
Combo solution of SSR + GaN with up to 100W power design.
Microchip Technology AVR® LA AVR32LA14/20/28/32 Microcontrollers
07.24.2026
07.24.2026
Entry-level AVR LA MCUs for capacitive touch and low-power embedded designs.
Silicon Labs SiWG917Y Modul-Funkplatinen
07.23.2026
07.23.2026
Wi-Fi 6 und Bluetooth LE Funkplatinen für die drahtloseIoT- Entwicklung.
iC-Haus iC-MU Magnetic Off-Axis Position Encoders
07.22.2026
07.22.2026
Integrated with Hall sensors for two-track scanning and can log an absolute position.
Analog Devices Inc. LT8686S Abwärtsregler
07.22.2026
07.22.2026
Quad-Abwärtsregler mit koppelbaren Ausgängen und extrem niedrigem EMI-Betriebsverhalten.
iC-Haus iC-MU Evaluation Kits
07.22.2026
07.22.2026
Designed to evaluate the iC-MU magnetic off-axis position encoders.
Microchip Technology EV08L40A Tochterplatine
07.21.2026
07.21.2026
Eindraht-Tochterboard für die Evaluierung des Memory Xplorer seriellen EEPROMs.
Microchip Technology 25CSM01 Serielle 1-MBit/s-SPI-EEPROMs
07.21.2026
07.21.2026
1-MBit-SPI-EEPROMs mit ECC, Seriennummer und verbessertem Schreibschutz.
Infineon Technologies Evaluation Kits for EiceDRIVER™ 2EDN Gate Drivers
07.21.2026
07.21.2026
Provides a test platform for dual-channel non-isolated gate driver IC EiceDRIVER™.
Microchip Technology EV34X05A Memory Xplorer SPI-Tochterboard
07.21.2026
07.21.2026
SPI-Tochterboard für die Evaluierung des seriellen Memory Xplorer EEPROMs.
Infineon Technologies TLF4Dx OPTIREG™ PMICs
07.21.2026
07.21.2026
Hocheffizienter, multi-rail funktionaler Leistungsmanagement IC für Systeme bis ASIL D.
Infineon Technologies DEMO_48V12_400W_GAN Evaluierungsboard
07.20.2026
07.20.2026
Buck-Demo-Board in einer Halbbrücken- Bauform mit dem CoolGaN™ TRANSISTOR 80V G3.
IXYS DK610S3RP Universal- Gleichrichterdiode
07.20.2026
07.20.2026
Platzsparend, ideal für die automatisierte Bestückung und bestens geeignet für DC- Applikationen.
Ansicht: 1 - 25 von 8265
