Arten von diskreten Halbleitern
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Hersteller
= Wolfspeed
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Wolfspeed TM Einzelschalter-Leistungsmodule
10.01.2025
10.01.2025
Diese Bauteile sind Automotive-qualifizierte Einzelschalter-Leistungsmodule in einem Industriestandard-Footprint.
Wolfspeed YM Sixpack-Siliziumkarbid-Leistungsmodule
05.14.2025
05.14.2025
Automotive-qualifizierte Module sind für eine nahtlose Designintegration und Langlebigkeit ausgelegt.
Wolfspeed 1.700-V-Siliziumkarbid-MOSFETs
04.17.2025
04.17.2025
Bieten eine höhere Schaltung, einen höheren Systemwirkungsgrad und eine höhere Leistungsdichte für die Leistungsumwandlung der nächsten Generation.
Wolfspeed 2.300-V-Siliziumkarbid-Leistungsmodule
10.08.2024
10.08.2024
Diese Bauteile sind 2.300-V-Siliziumkarbid-Leistungsmodule ohne Basisplatte für V-Bus-Applikationen von 1.500 V.
Wolfspeed Verfügt über SiC-Halbbrückenmodule für raue Umgebungen
07.25.2024
07.25.2024
SiC-Halbbrückenmodule für raue Umgebungen in einem 62 mm-Industriestandard-Gehäuse.
Wolfspeed TO-247-4 1.200-V-SiC-Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Profil
07.03.2024
07.03.2024
Bieten einen hohen Systemwirkungsgrad, reduzieren Schaltverluste und minimieren das Gate-Schwingen.
Wolfspeed DM SiC-Halbbrückenmodul
06.25.2024
06.25.2024
Bietet eine hohe Strombelastbarkeit bei geringem Gewicht und kleinem Formfaktor.
Wolfspeed 750 V Diskrete Siliziumkarbid-MOSFETs
05.27.2024
05.27.2024
Ermöglichen eine hohe Systemleistungsdichte mit einem Design mit niedrigem Profil in Industriestandard-Gehäusen.
Wolfspeed 1700 V SiC-Schottky Dioden
01.04.2023
01.04.2023
Bietet die Leistungsvorteile, die benötigt werden, um höhere Effizienzstandards zu erfüllen.
Wolfspeed C3M™-SiC-MOSFETs im TOLL-Gehäuse
10.18.2022
10.18.2022
Bieten eine wesentlich geringere Durchlasswiderstandstemperatur-Abhängigkeit als Standard-Silizium-MOSFETs.
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onsemi NVMTS1D1N08X N‐Channel Power MOSFETs
09.17.2026
09.17.2026
80V automotive MOSFETs with low on-resistance and soft-recovery body diode.
Vishay SQD50P04-09L 40-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET für die Kfz-Industrie
09.16.2026
09.16.2026
Dieses Bauteil eignet sich ideal für Anwendungen in den Bereichen Kfz-Technik, Stromverteilung und industrielle Leistungssteuerung.
STMicroelectronics TVS221SC-1T2 Unidirectional Single Line TVS
09.15.2026
09.15.2026
Designed to protect the power line or other low-speed I/O against ESD and small surge transients.
onsemi ESDM1021 ESD-Schutzdiode
09.14.2026
09.14.2026
Kompakte bidirektionale 2V-ESD-Diode für GPIO und Niederspannungs-Stromleitungsschutz.
MACOM MLP7102-0503 PIN Diode
09.14.2026
09.14.2026
Designed for use in passive or active limiters from 100MHz to beyond 20GHz frequency range.
Littelfuse AK1-A Axial bedrahtete TVS-Dioden
09.10.2026
09.10.2026
Speziell für den Schutz von AC- und DC-Leitungen in extrem anspruchsvollen Überspannungsumgebungen konzipiert.
Littelfuse AK3-A Axial bedrahtete TVS-Dioden
09.10.2026
09.10.2026
Speziell für den Schutz von AC- und DC-Leitungen in extrem anspruchsvollen Überspannungsumgebungen konzipiert.
Littelfuse AK3-FB Axial bedrahtete TVS- Dioden
09.10.2026
09.10.2026
Speziell für den Schutz von AC- und DC-Leitungen in extrem anspruchsvollen Überspannungsumgebungen konzipiert.
Littelfuse TP7.0SMD-XC Automotive-TVS-Diode
09.10.2026
09.10.2026
Schützt empfindliche elektronische Geräte vor durch Blitzschlag verursachte transiente Spannung.
Texas Instruments JFE2325 Stromsparender Dual-N-Kanal-JFET
09.09.2026
09.09.2026
Für den Einsatz mit Sensoren mit sehr hoher Impedanz wie beispielsweise Elektret-Kondensatormikrofonen (ECMs) konzipiert.
IXYS IXSH50N120L3KHV SiC-MOSFET
09.02.2026
09.02.2026
1200V, 55mΩ und 48,3A SiC MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.
IXYS IXSH65N120L3KHV SiC-MOSFET
09.02.2026
09.02.2026
1200 V, 35 mΩ und 67 A SiC- MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.
IXYS IXSH100N120L3KHV SiC-MOSFET
09.02.2026
09.02.2026
1200V, 21mΩ und 102A SiC MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.
IXYS IXSH150N120L3KHV SiC-MOSFET
09.02.2026
09.02.2026
1200V, 13,5 mΩ und 147A SiC-MOSFET empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.
IXYS IXSH110N120L3KHV SiC-MOSFET
09.02.2026
09.02.2026
1200V, 18 mΩ und 112A SiC-MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.
Microchip Technology HV-D3 mSiC® Leistungsmodule
09.01.2026
09.01.2026
Vereinfacht und beschleunigt den Einsatz von SSTs in Rechenzentren und anderen Hochspannungsanwendungen.
IXYS SK002xSx Empfindliche SCRs
08.27.2026
08.27.2026
Empfindliche SCRs mit Unterstützung für Mikroprozessorantrieb und hohe Störsicherheit.
onsemi 80-V-N-Einzelkanal-Leistungs-MOSFETs
08.25.2026
08.25.2026
Bieten einen niedrigen RDS(on) , um Leitungsverluste zu minimieren, sowie niedrige QG und Kapazität, um Treiberverluste zu minimieren.
onsemi NXH011F120M3F2 SiC-MOSFETs
08.25.2026
08.25.2026
EliteSiC-MOSFET-Vollbrückenmodule mit On-Widerstand von 11 mΩ und einer Nennspannung von 1.200 V.
STMicroelectronics STGI15C60S 3-Phasen-Wechselrichter und IGBT SLLIMM
08.19.2026
08.19.2026
Dieses Bauteil eignet sich ideal für Motorantriebe, die in hartschaltenden Schaltungen mit bis zu 20 kHz betrieben werden.
Diotec Semiconductor BAS40-06-AQ SMD Small Signal Schottky Diode
08.17.2026
08.17.2026
Offers a very high switching speed, low leakage current, and a low junction capacitance.
Diotec Semiconductor ESD9BL24P-AQ ESD Protection Diode
08.17.2026
08.17.2026
Features a low junction capacitance and low leakage current in a miniature case outline.
Diotec Semiconductor ESD3B36WS-AQ ESD Protection Diode
08.14.2026
08.14.2026
Features high peak-pulse power and bidirectional clamping.
Diotec Semiconductor P6KE47CA-AQ Transient Voltage Suppressor Diode
08.14.2026
08.14.2026
Provide reliable protection against transient voltage spikes, ESD, and other overvoltage events.
Diotec Semiconductor SKL12-AQ SMD Schottky Barrier Rectifier Diode
08.14.2026
08.14.2026
Features a low forward voltage drop in a low-profile package.
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