Angewendete Filter:

ROHM Semiconductor Hochdichte SiC-Leistungsmodule
ROHM Semiconductor Hochdichte SiC-Leistungsmodule
04.10.2026
Die TRCDRIVE-Packung™, DOT-247- und HSDIP20-Gehäuse tragen zur leistungsstarken Leistungsumwandlung bei.
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ mit geformten Modulen
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ mit geformten Modulen
03.17.2026
Mit 1.200 V Nennspannung in einem 41,6 mm × 52,5 mm Gehäuse und integrierten SiC-MOSFETs der 4. Generation.
ROHM Semiconductor TLR2728YFJ-C Operationsverstärker
ROHM Semiconductor TLR2728YFJ-C Operationsverstärker
12.11.2025
Rail-to-Rail-Eingang-/Ausgang- und Hochgeschwindigkeits-Dual-CMOS-Operationsverstärker.
ROHM Semiconductor LMRx802-LB Operationsverstärker
ROHM Semiconductor LMRx802-LB Operationsverstärker
11.24.2025
Der Operationsverstärker zeichnet sich durch geringes Rauschen, eine niedrige Eingangs-Offsetspannung und einen niedrigen Eingangsruhestrom aus.
ROHM Semiconductor RH7G03BBJFRA p-Kanal-Leistungs-MOSFET
ROHM Semiconductor RH7G03BBJFRA p-Kanal-Leistungs-MOSFET
11.18.2025
Dieser MOSFET hat einen VDSS-Wert von -40 V und einen ID-Wert (VDS = -10 V) von ±22 A.
ROHM Semiconductor RN789FM PIN-Diode
ROHM Semiconductor RN789FM PIN-Diode
11.18.2025
Kleines Gehäuse, geeignet für eine automatische Verstärkungsregelungsschaltung und einen Antennenverstärker/Antennendämpfungsregler.
ROHM Semiconductor BD79124MUF-C A/D-Wandler
ROHM Semiconductor BD79124MUF-C A/D-Wandler
11.18.2025
Universeller 12-Bit-A/D-Wandler mit 8 Kanälen und sukzessiver Approximation.
ROHM Semiconductor RJ1P10BAT p-Kanal-Leistungs-MOSFET
ROHM Semiconductor RJ1P10BAT p-Kanal-Leistungs-MOSFET
11.18.2025
Dieser MOSFET hat einen VDSS-Wert von -100 V und einen ID-Wert (VDS = 10 V) von ±105 A.
ROHM Semiconductor BM2P10xJ-Z PWM-Typ DC/DC-Wandler-ICs
ROHM Semiconductor BM2P10xJ-Z PWM-Typ DC/DC-Wandler-ICs
11.03.2025
Verfügen über einen integrierten Schalt- MOSFET von 730 V und werden direkt vom AC-Hochspannungsnetz betrieben.
ROHM Semiconductor 750 V n-Kanal-SiC-MOSFETs
ROHM Semiconductor 750 V n-Kanal-SiC-MOSFETs
10.17.2025
Diese Bauteile erhöhen die Schaltfrequenz und dadurch die erforderlichen Kondensatoren, Reaktoren und andere Bauelemente verringern.
ROHM Semiconductor RD3x n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen
ROHM Semiconductor RD3x n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen
10.16.2025
AEC-Q101-qualifizierte MOSFETs mit niedriger Durchlassspannung, schneller Recoveryzeit und hohem Ableitvermögen.
ROHM Semiconductor BM2P06xJ-Z PWM-Typ-DC/DC-Wandler-ICs
ROHM Semiconductor BM2P06xJ-Z PWM-Typ-DC/DC-Wandler-ICs
09.26.2025
Für kompakte und effizient isolierte  AC/DC-Power-Strip -Applikationen ausgelegt.
ROHM Semiconductor BM3G115MUV-EVK-003 Evaluierungsboard
ROHM Semiconductor BM3G115MUV-EVK-003 Evaluierungsboard
08.27.2025
Wurde entwickelt, um die Fähigkeiten des BM3G115MUV GaN-HEMT-Leistungsschaltung-ICs zu evaluieren und zu demonstrieren.
ROHM Semiconductor BM3G107MUV-EVK-003 Evaluierungsboard
ROHM Semiconductor BM3G107MUV-EVK-003 Evaluierungsboard
08.27.2025
Das Board wurde entwickelt, um die Fähigkeiten des BM3G107MUV GaN HEMT Power Stage IC zu evaluieren und zu demonstrieren.
ROHM Semiconductor RF202LB2S superschnelle Freilaufdiode
ROHM Semiconductor RF202LB2S superschnelle Freilaufdiode
08.21.2025
Eine superschnelle Freilaufdiode vom Typ Silizium-Epitaxie-Planar mit niedriger VF und geringen Schaltverlusten.
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1.700-V-N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1.700-V-N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET
08.21.2025
Ein mit einer Drain-Source-Spannung von 1.700 V (VDSS) und einem Dauersenkenstrom von 3,9 A (ID) bewerteter SiC-MOSFET.
ROHM Semiconductor RQxAT P-Kanal-MOSFETs
ROHM Semiconductor RQxAT P-Kanal-MOSFETs
08.21.2025
Die Bauteile verfügen über ein Gehäuse zur Oberflächenmontage mit niedrigem On-Widerstand und sind zu 100 % Rg- und UIS-geprüft.
ROHM Semiconductor RNxMFH PIN-Dioden im Automobilstandard
ROHM Semiconductor RNxMFH PIN-Dioden im Automobilstandard
08.21.2025
Dioden im Automobilstandard mit ultrakleinem Formkörper, die für Hochfrequenzschaltungen geeignet sind.
ROHM Semiconductor RJ1x10BBG Leistungs-MOSFETs
ROHM Semiconductor RJ1x10BBG Leistungs-MOSFETs
08.21.2025
N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand und einem Hochleistunggehäuse.
ROHM Semiconductor RN242SM PIN-Diode
ROHM Semiconductor RN242SM PIN-Diode
08.20.2025
Bietet eine niedrige Kapazität und ein extrem ultrakleines Gehäuse, das für Hochfrequenzschaltungen geeignet ist.
ROHM Semiconductor JMZV8.2B 5-mA-Zener-Dioden
ROHM Semiconductor JMZV8.2B 5-mA-Zener-Dioden
08.19.2025
Die in einem kleinen Power-Mold-Gehäuse erhältlichen Bauteile sind für Applikationen zur Spannungsregelung geeignet
ROHM Semiconductor RH7L04 60 V N-Kanal Leistungs-MOSFETs
ROHM Semiconductor RH7L04 60 V N-Kanal Leistungs-MOSFETs
08.19.2025
AEC-Q101-zugelassene MOSFETs für Fahrzeuganwendungen mit 60 V VDSS und ±40 A ID
ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA -30-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET
ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA -30-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET
08.19.2025
Ein Automobilstandard-MOSFET, das für VDSS von -30 V und ID von ±40 A ausgelegt und gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
ROHM Semiconductor RH7G04 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs
ROHM Semiconductor RH7G04 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs
08.19.2025
Bei diesen Bauteile handelt es sich um gemäß AEC-Q101 zugelassene MOSFETs mit 40 V VDSS und ±40 A IDim Automobilstandard.
ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET
ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET
08.19.2025
Ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Spannung VDSS von 40 V und einem Strom ID von ±12 A, das gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
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    Silicon Labs SiWG917Y Modul-Funkplatinen
    Silicon Labs SiWG917Y Modul-Funkplatinen
    07.23.2026
    Wi-Fi 6 und Bluetooth LE Funkplatinen für die drahtloseIoT- Entwicklung.
    Analog Devices Inc. LT8686S Abwärtsregler
    Analog Devices Inc. LT8686S Abwärtsregler
    07.22.2026
    Quad-Abwärtsregler mit koppelbaren Ausgängen und extrem niedrigem EMI-Betriebsverhalten.
    iC-Haus iC-MU Magnetic Off-Axis Position Encoders
    iC-Haus iC-MU Magnetic Off-Axis Position Encoders
    07.22.2026
    Integrated with Hall sensors for two-track scanning and can log an absolute position.
    iC-Haus iC-MU Evaluation Kits
    iC-Haus iC-MU Evaluation Kits
    07.22.2026
    Designed to evaluate the iC-MU magnetic off-axis position encoders.
    Infineon Technologies TLF4Dx OPTIREG™ PMICs
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    07.21.2026
    Hocheffizienter, multi-rail funktionaler Leistungsmanagement IC für Systeme bis ASIL D.
    Microchip Technology 25CSM01 Serielle 1-MBit/s-SPI-EEPROMs
    Microchip Technology 25CSM01 Serielle 1-MBit/s-SPI-EEPROMs
    07.21.2026
    1-MBit-SPI-EEPROMs mit ECC, Seriennummer und verbessertem Schreibschutz.
    Microchip Technology EV34X05A Memory Xplorer SPI-Tochterboard
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    07.21.2026
    SPI-Tochterboard für die Evaluierung des seriellen Memory Xplorer EEPROMs.
    Infineon Technologies Evaluation Kits for EiceDRIVER™ 2EDN Gate Drivers
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    07.21.2026
    Provides a test platform for dual-channel non-isolated gate driver IC EiceDRIVER™.
    Microchip Technology EV08L40A Tochterplatine
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    07.21.2026
    Eindraht-Tochterboard für die Evaluierung des Memory Xplorer seriellen EEPROMs.
    IXYS DK010S3ARP 1000 V 10 A Gleichrichter
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    07.20.2026
    Verfügt über glaspassivierte Übergänge für erhöhte Stabilität und ist in einem DO-214AB-Gehäuse untergebracht.
    Infineon Technologies DEMO_48V12_400W_GAN Evaluierungsboard
    Infineon Technologies DEMO_48V12_400W_GAN Evaluierungsboard
    07.20.2026
    Buck-Demo-Board in einer Halbbrücken- Bauform mit dem CoolGaN™ TRANSISTOR 80V G3.
    IXYS DK610S3RP Universal- Gleichrichterdiode
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    07.20.2026
    Platzsparend, ideal für die automatisierte Bestückung und bestens geeignet für DC- Applikationen.
    Nisshinbo NJW4203 SSFM Oscillator ICs
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    07.17.2026
    SSFM oscillator ICs for switching regulator synchronization and EMI reduction.
    M5Stack C152 Stopwatch Dev Kit (ESP32-S3)
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    07.17.2026
    Features a circular AMOLED touch development board designed for portable & interactive applications.
    Boréas Technologies BOS1921-KIT-C03 Piezo Development Kit
    Boréas Technologies BOS1921-KIT-C03 Piezo Development Kit
    07.17.2026
    Features solid-state buttons with built-in touch sensing, force sensing, and haptic feedback.
    Sensirion SEK-SFA40 Evaluierungskit
    Sensirion SEK-SFA40 Evaluierungskit
    07.16.2026
    Evaluierungskit für die Entwicklung des Formaldehydsensors SFA40.
    Analog Devices Inc. EVAL-AD3532R Evaluierungsboard
    Analog Devices Inc. EVAL-AD3532R Evaluierungsboard
    07.15.2026
    Evaluierungsboard für Prototypen von AD3532R-DACs mit 16 Kanälen und Spannungsausgang.
    STMicroelectronics STEVAL-MKI253KA Evaluierungskit
    STMicroelectronics STEVAL-MKI253KA Evaluierungskit
    07.15.2026
    Das Evaluierungskit basiert auf dem digitalen 3-Achsen-Vibrationssensor IIS3DWB10IS mit einer ISPU.
    Analog Devices Inc. DEMO-ADIN114XAZ Demoplatine
    Analog Devices Inc. DEMO-ADIN114XAZ Demoplatine
    07.15.2026
    Demonstrationsboard auf Feather-Basis zur Evaluierung der Funktionen des 10BASE-T1S-MAC-PHY ADIN1140.
    Analog Devices Inc. AD-ETHERNETAPLDEVICE-SL Ethernet-APL Plattform
    Analog Devices Inc. AD-ETHERNETAPLDEVICE-SL Ethernet-APL Plattform
    07.15.2026
    Ethernet-APL Feldplattform für sicheres, vernetztes Prototyping industrieller Geräte.
    Analog Devices Inc. ADIN1140 10BASE-T1S MAC-PHY
    Analog Devices Inc. ADIN1140 10BASE-T1S MAC-PHY
    07.15.2026
    Stromsparender industrieller MAC-PHY für 10BASE-T1S Ethernet-Konnektivität.
    Diodes Incorporated AL8859QA0EV1 Evaluierungsboard
    Diodes Incorporated AL8859QA0EV1 Evaluierungsboard
    07.14.2026
    Demonstriert die Funktionen des AL8859Q Mehrphasen-Boost-Controllers für Fahrzeugbeleuchtungssysteme.
    Kinetic Technologies KTS1625 Low Voltage 16-Bit I2C-Bus I/O Expander
    Kinetic Technologies KTS1625 Low Voltage 16-Bit I2C-Bus I/O Expander
    07.13.2026
    General-purpose I/O expander for microcontrollers over the I2C bus when additional I/Os are needed.
    Diodes Incorporated PI6C39X110x LVCMOS-Taktpuffer
    Diodes Incorporated PI6C39X110x LVCMOS-Taktpuffer
    07.13.2026
    Eine Produktfamilie von Single-Ended-Taktpuffern, die zwei, vier oder acht LVCMOS-Ausgänge bereitstellen.
    Quectel SR-IMXM-EVB Evaluation Board Kit
    Quectel SR-IMXM-EVB Evaluation Board Kit
    07.13.2026
    Tool for developing applications and testing basic functionalities of SRG091X and SRG093X modules.
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