Arten von Dioden u. Gleichrichtern

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ROHM Semiconductor RN789FM PIN-Diode
ROHM Semiconductor RN789FM PIN-Diode
11.18.2025
Kleines Gehäuse, geeignet für eine automatische Verstärkungsregelungsschaltung und einen Antennenverstärker/Antennendämpfungsregler.
ROHM Semiconductor Robotik
ROHM Semiconductor Robotik
10.13.2025
Halbleiterlösungen für intelligente Bewegungssteuerung, Sensorik, Leistungssteuerung und Robotersteuerung.
ROHM Semiconductor RF202LB2S superschnelle Freilaufdiode
ROHM Semiconductor RF202LB2S superschnelle Freilaufdiode
08.21.2025
Eine superschnelle Freilaufdiode vom Typ Silizium-Epitaxie-Planar mit niedriger VF und geringen Schaltverlusten.
ROHM Semiconductor RNxMFH PIN-Dioden im Automobilstandard
ROHM Semiconductor RNxMFH PIN-Dioden im Automobilstandard
08.21.2025
Dioden im Automobilstandard mit ultrakleinem Formkörper, die für Hochfrequenzschaltungen geeignet sind.
ROHM Semiconductor RN242SM PIN-Diode
ROHM Semiconductor RN242SM PIN-Diode
08.20.2025
Bietet eine niedrige Kapazität und ein extrem ultrakleines Gehäuse, das für Hochfrequenzschaltungen geeignet ist.
ROHM Semiconductor JMZV8.2B 5-mA-Zener-Dioden
ROHM Semiconductor JMZV8.2B 5-mA-Zener-Dioden
08.19.2025
Die in einem kleinen Power-Mold-Gehäuse erhältlichen Bauteile sind für Applikationen zur Spannungsregelung geeignet
ROHM Semiconductor PBZLx Zener-Dioden
ROHM Semiconductor PBZLx Zener-Dioden
08.04.2025
Entwickelt für Spannungsregelungsanwendungen und verfügt einen maximalen Leistungsverlust von 1000 mW.
ROHM Semiconductor RBR40NS SCHOTTKY-Barrieredioden
ROHM Semiconductor RBR40NS SCHOTTKY-Barrieredioden
08.04.2025
Entwickelt für den Einsatz in Schaltnetzteilen und verfügt über Durchlassstoßstrom von 100 A.
ROHM Semiconductor RF302LB2S Extrem schnelle Freilaufdiode
ROHM Semiconductor RF302LB2S Extrem schnelle Freilaufdiode
07.22.2025
Bietet eine niedrige Durchlassspannung und niedrige Schaltverluste in einem DO-214AA-Gehäuse.
ROHM Semiconductor Spezialdioden mit sehr schneller Erholungszeit
ROHM Semiconductor Spezialdioden mit sehr schneller Erholungszeit
07.02.2025
Sie zeichnen sich durch eine niedrige Durchlassspannung und einen geringen Schaltverlust aus und eignen sich ideal für allgemeine Gleichrichteranwendungen.
ROHM Semiconductor Hoher Wirkungsgrad SCHOTTKY Barrieredioden
ROHM Semiconductor Hoher Wirkungsgrad SCHOTTKY Barrieredioden
07.01.2025
Diese Dioden sind für den Kompromiss zwischen niedrigem VF und niedrigem IR konzipiert und werden in Freilaufdioden eingesetzt.
ROHM Semiconductor Schottky-Barrieredioden mit extrem niedrigem IR
ROHM Semiconductor Schottky-Barrieredioden mit extrem niedrigem IR
06.30.2025
Verfügen über eine Spitzensperrspannung von 200 V, sind hochzuverlässig und haben einen äußerst geringen Rückstrom.
ROHM Semiconductor RBx8 Schottky-Barriere-Dioden
ROHM Semiconductor RBx8 Schottky-Barriere-Dioden
06.18.2025
Verfügen über eine hohe Zuverlässigkeit, einen niedrigen IR, eine epitaktische planare Siliziumstruktur und bis zu 1 A IO.
ROHM Semiconductor Automobilstandard-SiC-Schottky-Barrieredioden
ROHM Semiconductor Automobilstandard-SiC-Schottky-Barrieredioden
06.20.2024
Besitzt eine AEC-Q101-Qualifikation, die Zuverlässigkeit in Fahrzeuganwendungen gewährleistet.
ROHM Semiconductor VSxUA1LBTBR1 Überspannungsschutzvorrichtungen
ROHM Semiconductor VSxUA1LBTBR1 Überspannungsschutzvorrichtungen
06.12.2024
Hochzuverlässige TVS-Dioden eignen sich ideal für den Überspannungsschutz in einem DO-214AA(SMB)-Gehäuse.
ROHM Semiconductor RFNxRSM2S Ultra Fast Recovery Dioden
ROHM Semiconductor RFNxRSM2S Ultra Fast Recovery Dioden
06.11.2024
Silizium-Epitaxial-Planar-Dioden mit niedriger Durchlassspannung und geringem Schaltverlust.
ROHM Semiconductor ESDxVFMFHT106 Überspannungsschutzvorrichtungen
ROHM Semiconductor ESDxVFMFHT106 Überspannungsschutzvorrichtungen
06.11.2024
Sind hochzuverlässig mit einem epitaktischen planaren Silizium-Aufbau.
ROHM Semiconductor PBZTBR1x Zener-Dioden
ROHM Semiconductor PBZTBR1x Zener-Dioden
04.02.2024
Verfügen über eine hohe Zuverlässigkeit und ein kleines Power-Mold-Bauelement mit Silizium-Epitaxial-Planarstruktur.
ROHM Semiconductor YQ30NL10SDFH Schottky-Barriere-Diode
ROHM Semiconductor YQ30NL10SDFH Schottky-Barriere-Diode
01.24.2024
Bauelement mit hoher Zuverlässigkeit, das mit einem Aufbau des Typs Power Mold ausgelegt ist.
ROHM Semiconductor YQx Schottky-Barriere-Dioden mit hohem Wirkungsgrad
ROHM Semiconductor YQx Schottky-Barriere-Dioden mit hohem Wirkungsgrad
12.27.2023
Für die Bereitstellung von stabilen Leistungen bei gleichzeitiger Verbesserung des Kompromisses zwischen niedriger VF und niedriger IR ausgelegt.
ROHM Semiconductor YQx0 Automobilstandard-Schottky-Barriere-Dioden
ROHM Semiconductor YQx0 Automobilstandard-Schottky-Barriere-Dioden
09.19.2023
AEC-Q101-qualifizierte Bauteile, die niedrige Durchlassspannungen, Sperrströme und Kapazitäten bieten.
ROHM Semiconductor 30-V-Automotive-Schottky-Barriere-Dioden
ROHM Semiconductor 30-V-Automotive-Schottky-Barriere-Dioden
08.22.2023
Zeichnen sich durch eine hohe Zuverlässigkeit und einen extrem niedrigen Rückstrom (IR) aus.
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Littelfuse LTKAK1.5-L TVS Diode
Littelfuse LTKAK1.5-L TVS Diode
10.05.2026
Bietet eine Klemmenspannung, die niedriger als bei alternativen Technologien wie beispielsweise MOVs und GDTs ist.
Littelfuse AK6-FB Axial bedrahtete TVS-Dioden
Littelfuse AK6-FB Axial bedrahtete TVS-Dioden
10.05.2026
Speziell für den Schutz von AC- und DC-Leitungen in extrem anspruchsvollen Überspannungsumgebungen konzipiert.
Littelfuse AK8-FB Axial bedrahtete TVS- Dioden
Littelfuse AK8-FB Axial bedrahtete TVS- Dioden
10.05.2026
Speziell für den Schutz von AC- und DC-Leitungen in extrem anspruchsvollen Überspannungsumgebungen konzipiert.
Littelfuse SP4315-01WTG TVS-Diodenarray
Littelfuse SP4315-01WTG TVS-Diodenarray
10.01.2026
Extrem niedrige Kapazität, bidirektionales Design und Schutz elektronischer Geräte vor zerstörerischen ESD
IXYS IXBOD2 Durchbruch-Diodenmodule
IXYS IXBOD2 Durchbruch-Diodenmodule
09.22.2026
Bietet schnellen und verlässlichen Überspannungsschutz in anspruchsvollen Leistungs-Elektronikanwendungen.
Littelfuse DSxARP Schottky-Barrieredioden aus Silizium für die Kfz-Industrie
Littelfuse DSxARP Schottky-Barrieredioden aus Silizium für die Kfz-Industrie
09.22.2026
Bietet niedrigen Durchlassspannungsabfall und eine stabile elektrische Leistung.
STMicroelectronics TVS221SC-1T2 Unidirektionale TVS für eine einzelne Leitung
STMicroelectronics TVS221SC-1T2 Unidirektionale TVS für eine einzelne Leitung
09.15.2026
Zum Schutz von Stromleitungen oder anderen I/Os mit niedriger Geschwindigkeit gegen ESD und kleinen Spannungsstößen konzipiert.
MACOM MLP7102-0503 PIN Diode
MACOM MLP7102-0503 PIN Diode
09.14.2026
Designed for use in passive or active limiters from 100MHz to beyond 20GHz frequency range.
onsemi ESDM1021 ESD-Schutzdiode
onsemi ESDM1021 ESD-Schutzdiode
09.14.2026
Kompakte bidirektionale 2V-ESD-Diode für GPIO und Niederspannungs-Stromleitungsschutz.
Littelfuse AK1-A Axial bedrahtete TVS-Dioden
Littelfuse AK1-A Axial bedrahtete TVS-Dioden
09.10.2026
Speziell für den Schutz von AC- und DC-Leitungen in extrem anspruchsvollen Überspannungsumgebungen konzipiert.
Littelfuse AK10-FB Axial bedrahtete TVS- Dioden
Littelfuse AK10-FB Axial bedrahtete TVS- Dioden
09.10.2026
Speziell für den Schutz von AC- und DC-Leitungen in extrem anspruchsvollen Überspannungsumgebungen konzipiert.
Littelfuse TP7.0SMD-XC Automotive-TVS-Diode
Littelfuse TP7.0SMD-XC Automotive-TVS-Diode
09.10.2026
Schützt empfindliche elektronische Geräte vor durch Blitzschlag verursachte transiente Spannung.
Littelfuse AK3-A Axial bedrahtete TVS-Dioden
Littelfuse AK3-A Axial bedrahtete TVS-Dioden
09.10.2026
Speziell für den Schutz von AC- und DC-Leitungen in extrem anspruchsvollen Überspannungsumgebungen konzipiert.
Littelfuse AK3-FB Axial bedrahtete TVS- Dioden
Littelfuse AK3-FB Axial bedrahtete TVS- Dioden
09.10.2026
Speziell für den Schutz von AC- und DC-Leitungen in extrem anspruchsvollen Überspannungsumgebungen konzipiert.
Diotec Semiconductor ESD9BL24P-AQ ESD Protection Diode
Diotec Semiconductor ESD9BL24P-AQ ESD Protection Diode
08.17.2026
Features a low junction capacitance and low leakage current in a miniature case outline.
Diotec Semiconductor BAS40-06-AQ SMD Small Signal Schottky Diode
Diotec Semiconductor BAS40-06-AQ SMD Small Signal Schottky Diode
08.17.2026
Offers a very high switching speed, low leakage current, and a low junction capacitance.
Diotec Semiconductor SKL12-AQ SMD Schottky Barrier Rectifier Diode
Diotec Semiconductor SKL12-AQ SMD Schottky Barrier Rectifier Diode
08.14.2026
Features a low forward voltage drop in a low-profile package.
Diotec Semiconductor P6KE47CA-AQ Transient Voltage Suppressor Diode
Diotec Semiconductor P6KE47CA-AQ Transient Voltage Suppressor Diode
08.14.2026
Provide reliable protection against transient voltage spikes, ESD, and other overvoltage events.
Diotec Semiconductor ESD3B36WS-AQ ESD Protection Diode
Diotec Semiconductor ESD3B36WS-AQ ESD Protection Diode
08.14.2026
Features high peak-pulse power and bidirectional clamping.
Nexperia 400V/650V DPAK Recovery-Gleichrichter
Nexperia 400V/650V DPAK Recovery-Gleichrichter
08.12.2026
Hyperschnelle und ultraschnelle DPAK Recovery-Gleichrichter für die Hochspannungs-Leistungsumwandlung.
Texas Instruments ESD2CANFD24W-Q1 ESD-Schutzdioden
Texas Instruments ESD2CANFD24W-Q1 ESD-Schutzdioden
08.04.2026
ESD-Schutzdioden für Netzwerke CAN, CAN FD, CAN SIC und CAN XL im Fahrzeugbereich.
IXYS DK610S3RP Universal- Gleichrichterdiode
IXYS DK610S3RP Universal- Gleichrichterdiode
07.20.2026
Platzsparend, ideal für die automatisierte Bestückung und bestens geeignet für DC- Applikationen.
IXYS DK010S3ARP 1000 V 10 A Gleichrichter
IXYS DK010S3ARP 1000 V 10 A Gleichrichter
07.20.2026
Verfügt über glaspassivierte Übergänge für erhöhte Stabilität und ist in einem DO-214AB-Gehäuse untergebracht.
Bourns CDDFN2 TVS-Dioden zur Oberflächenmontage
Bourns CDDFN2 TVS-Dioden zur Oberflächenmontage
07.07.2026
ESD, EFT und Überspannungsschutz für externe Anschlüsse elektronischer Bauteile zur Begrenzung kritischer Schäden.
Semtech RCLAMP2891PQ TVS Diode
Semtech RCLAMP2891PQ TVS Diode
06.30.2026
Einphasige 28-V-TVS-Diode mit extrem niedriger Kapazität schützt Hochgeschwindigkeits-Signalleitungen vor ESD und EOS.
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