Arten von Transistoren
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Qorvo QPD1000A GaN - Transistor mit angepasster Eingangsspannung
Qorvo QPD1000A GaN - Transistor mit angepasster Eingangsspannung
10.14.2026
50Ω Eingangsangepasste diskrete GaN-auf-SiC HEMT, die von 30MHz-1215MHz an einer 28V Versorgungsspannung betrieben werden.
Qorvo QPD2562L GaN-HF-Leistungstransistor
Qorvo QPD2562L GaN-HF-Leistungstransistor
10.06.2026
Ein diskreter 200 W bis 300 W GaN-on-SiC-HEMT, der von 2,5 GHz bis 2,9 GHz und von 2,9 GHz bis 3,3 GHz arbeitet.
Qorvo QPD1426/QPD1426L GaN-HF-Leistungstransistoren
Qorvo QPD1426/QPD1426L GaN-HF-Leistungstransistoren
10.06.2026
220 W diskrete GaN-on-SiC HEMT, die im Frequenzbereich von 1,2 GHz bis 1,4 GHz arbeiten.
Infineon Technologies HybridPACK™ HD CoolSiC™ MOSFET-Modul
Infineon Technologies HybridPACK™ HD CoolSiC™ MOSFET-Modul
10.02.2026
1400-V-CoolSiC-MOSFET-Modul für Antriebswechselrichter in elektrischen Nutzfahrzeugen.
onsemi NVMTS1D1N08X N‐Kanal-Leistungs-MOSFETs
onsemi NVMTS1D1N08X N‐Kanal-Leistungs-MOSFETs
09.17.2026
80-V-MOSFETs für Fahrzeuge mit niedrigem On-Widerstand und Soft-Recovery-Body-Diode.
Vishay SQD50P04-09L 40-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET für die Kfz-Industrie
Vishay SQD50P04-09L 40-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET für die Kfz-Industrie
09.16.2026
Dieses Bauteil eignet sich ideal für Anwendungen in den Bereichen Kfz-Technik, Stromverteilung und industrielle Leistungssteuerung.
Texas Instruments JFE2325 Stromsparender Dual-N-Kanal-JFET
Texas Instruments JFE2325 Stromsparender Dual-N-Kanal-JFET
09.09.2026
Für den Einsatz mit Sensoren mit sehr hoher Impedanz wie beispielsweise Elektret-Kondensatormikrofonen (ECMs) konzipiert.
IXYS IXSH110N120L3KHV SiC-MOSFET
IXYS IXSH110N120L3KHV SiC-MOSFET
09.02.2026
1200V, 18 mΩ und 112A SiC-MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.
IXYS IXSH100N120L3KHV SiC-MOSFET
IXYS IXSH100N120L3KHV SiC-MOSFET
09.02.2026
1200V, 21mΩ und 102A SiC MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.
IXYS IXSH50N120L3KHV SiC-MOSFET
IXYS IXSH50N120L3KHV SiC-MOSFET
09.02.2026
1200V, 55mΩ und 48,3A SiC MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.
IXYS IXSH65N120L3KHV SiC-MOSFET
IXYS IXSH65N120L3KHV SiC-MOSFET
09.02.2026
1200 V, 35 mΩ und 67 A SiC- MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.
IXYS IXSH150N120L3KHV SiC-MOSFET
IXYS IXSH150N120L3KHV SiC-MOSFET
09.02.2026
1200V, 13,5 mΩ und 147A SiC-MOSFET empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.
Microchip Technology HV-D3 mSiC® Leistungsmodule
Microchip Technology HV-D3 mSiC® Leistungsmodule
09.01.2026
Vereinfacht und beschleunigt den Einsatz von SSTs in Rechenzentren und anderen Hochspannungsanwendungen.
onsemi 80-V-N-Einzelkanal-Leistungs-MOSFETs
onsemi 80-V-N-Einzelkanal-Leistungs-MOSFETs
08.25.2026
Bieten einen niedrigen RDS(on) , um Leitungsverluste zu minimieren, sowie niedrige QG und Kapazität, um Treiberverluste zu minimieren.
onsemi NXH011F120M3F2 SiC-MOSFETs
onsemi NXH011F120M3F2 SiC-MOSFETs
08.25.2026
EliteSiC-MOSFET-Vollbrückenmodule mit On-Widerstand von 11 mΩ und einer Nennspannung von 1.200 V.
STMicroelectronics STGI15C60S 3-Phasen-Wechselrichter und IGBT SLLIMM
STMicroelectronics STGI15C60S 3-Phasen-Wechselrichter und IGBT SLLIMM
08.19.2026
Dieses Bauteil eignet sich ideal für Motorantriebe, die in hartschaltenden Schaltungen mit bis zu 20 kHz betrieben werden.
iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET
iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET
08.12.2026
Automotive 200V N-channel MOSFET with SuperQ technology and TO-220 packaging.
STMicroelectronics SGT1D5R10MEA PowerGaN-Transistor
STMicroelectronics SGT1D5R10MEA PowerGaN-Transistor
08.11.2026
Bietet extrem niedrige Leitungsverluste, Hochstromfähigkeit und ultraschnellen Schaltbetrieb.
STMicroelectronics SGT3D5R10MEB PowerGaN-Transistor
STMicroelectronics SGT3D5R10MEB PowerGaN-Transistor
08.10.2026
Ausgelegt für hocheffiziente und leistungsstarke Schaltapplikationen.
STMicroelectronics STH4N150-2AG n-Kanal-Leistungs-MOSFET
STMicroelectronics STH4N150-2AG n-Kanal-Leistungs-MOSFET
08.10.2026
Darauf ausgelegt, eine hohe Spannung und Robustheit für Fahrzeuganwendungen zu gewährleisten.
onsemi EMD4DXV6 Digitaltransistoren (BRT)
onsemi EMD4DXV6 Digitaltransistoren (BRT)
07.30.2026
Für den Ersatz eines einzelnen Bauteils und sein externes Widerstands-Bias-Netzwerk konzipiert.
onsemi NVNJWS1K6N061L N-Kanal-MOSFET
onsemi NVNJWS1K6N061L N-Kanal-MOSFET
07.30.2026
Verfügt über einen niedrigen RDS(on) und einen niedrige Gate-Schwellenwert mit integriertem ESD-Schutz.
ROHM Semiconductor 600V Super-Junktion (SJ) MOSFETs
ROHM Semiconductor 600V Super-Junktion (SJ) MOSFETs
07.21.2026
Kompakte Gehäuseoptionen mit niedrigem Profil, die eine hervorragende Dissipation gewährleisten.
onsemi GaNEXUS™ GaN-FETs
onsemi GaNEXUS™ GaN-FETs
07.08.2026
Wide-Bandgap-Materialeigenschaften für niedrige Gate- und Ausgangsladung, schnelles Schalten und einen verbesserten Wirkungsgrad.
Vishay MXP075 MaxSiC® 750-V-n-Kanal-MOSFETs
Vishay MXP075 MaxSiC® 750-V-n-Kanal-MOSFETs
06.19.2026
Zeichnen sich durch eine Drain-Source-Spannung von 750 V, eine hohe Schaltgeschwindigkeit und eine Kurzschlussfestigkeit von 3 μs.
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