Arten von Halbleitern
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= ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor BD9B306ANF-Z DC/DC-Wandler
08.20.2026
08.20.2026
Einzelner synchroner Abwärtswandler (DC/DC-Wandler) mit eingebauten Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand.
ROHM Semiconductor 600V Super-Junktion (SJ) MOSFETs
07.21.2026
07.21.2026
Kompakte Gehäuseoptionen mit niedrigem Profil, die eine hervorragende Dissipation gewährleisten.
ROHM Semiconductor Hochdichte SiC-Leistungsmodule
04.10.2026
04.10.2026
Die TRCDRIVE-Packung™, DOT-247- und HSDIP20-Gehäuse tragen zur leistungsstarken Leistungsumwandlung bei.
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ mit geformten Modulen
03.17.2026
03.17.2026
Mit 1.200 V Nennspannung in einem 41,6 mm × 52,5 mm Gehäuse und integrierten SiC-MOSFETs der 4. Generation.
ROHM Semiconductor TLR2728YFJ-C Operationsverstärker
12.11.2025
12.11.2025
Rail-to-Rail-Eingang-/Ausgang- und Hochgeschwindigkeits-Dual-CMOS-Operationsverstärker.
ROHM Semiconductor LMRx802-LB Operationsverstärker
11.24.2025
11.24.2025
Der Operationsverstärker zeichnet sich durch geringes Rauschen, eine niedrige Eingangs-Offsetspannung und einen niedrigen Eingangsruhestrom aus.
ROHM Semiconductor RJ1P10BAT p-Kanal-Leistungs-MOSFET
11.18.2025
11.18.2025
Dieser MOSFET hat einen VDSS-Wert von -100 V und einen ID-Wert (VDS = 10 V) von ±105 A.
ROHM Semiconductor RN789FM PIN-Diode
11.18.2025
11.18.2025
Kleines Gehäuse, geeignet für eine automatische Verstärkungsregelungsschaltung und einen Antennenverstärker/Antennendämpfungsregler.
ROHM Semiconductor BD79124MUF-C A/D-Wandler
11.18.2025
11.18.2025
Universeller 12-Bit-A/D-Wandler mit 8 Kanälen und sukzessiver Approximation.
ROHM Semiconductor RH7G03BBJFRA p-Kanal-Leistungs-MOSFET
11.18.2025
11.18.2025
Dieser MOSFET hat einen VDSS-Wert von -40 V und einen ID-Wert (VDS = -10 V) von ±22 A.
ROHM Semiconductor BM2P10xJ-Z PWM-Typ DC/DC-Wandler-ICs
11.03.2025
11.03.2025
Verfügen über einen integrierten Schalt- MOSFET von 730 V und werden direkt vom AC-Hochspannungsnetz betrieben.
ROHM Semiconductor 750 V n-Kanal-SiC-MOSFETs
10.17.2025
10.17.2025
Diese Bauteile erhöhen die Schaltfrequenz und dadurch die erforderlichen Kondensatoren, Reaktoren und andere Bauelemente verringern.
ROHM Semiconductor RD3x n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen
10.16.2025
10.16.2025
AEC-Q101-qualifizierte MOSFETs mit niedriger Durchlassspannung, schneller Recoveryzeit und hohem Ableitvermögen.
ROHM Semiconductor Robotik
10.13.2025
10.13.2025
Halbleiterlösungen für intelligente Bewegungssteuerung, Sensorik, Leistungssteuerung und Robotersteuerung.
ROHM Semiconductor BM2P06xJ-Z PWM-Typ-DC/DC-Wandler-ICs
09.26.2025
09.26.2025
Für kompakte und effizient isolierte AC/DC-Power-Strip -Applikationen ausgelegt.
ROHM Semiconductor BM3G107MUV-EVK-003 Evaluierungsboard
08.27.2025
08.27.2025
Das Board wurde entwickelt, um die Fähigkeiten des BM3G107MUV GaN HEMT Power Stage IC zu evaluieren und zu demonstrieren.
ROHM Semiconductor BM3G115MUV-EVK-003 Evaluierungsboard
08.27.2025
08.27.2025
Wurde entwickelt, um die Fähigkeiten des BM3G115MUV GaN-HEMT-Leistungsschaltung-ICs zu evaluieren und zu demonstrieren.
ROHM Semiconductor RQxAT P-Kanal-MOSFETs
08.21.2025
08.21.2025
Die Bauteile verfügen über ein Gehäuse zur Oberflächenmontage mit niedrigem On-Widerstand und sind zu 100 % Rg- und UIS-geprüft.
ROHM Semiconductor RNxMFH PIN-Dioden im Automobilstandard
08.21.2025
08.21.2025
Dioden im Automobilstandard mit ultrakleinem Formkörper, die für Hochfrequenzschaltungen geeignet sind.
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1.700-V-N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET
08.21.2025
08.21.2025
Ein mit einer Drain-Source-Spannung von 1.700 V (VDSS) und einem Dauersenkenstrom von 3,9 A (ID) bewerteter SiC-MOSFET.
ROHM Semiconductor RJ1x10BBG Leistungs-MOSFETs
08.21.2025
08.21.2025
N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand und einem Hochleistunggehäuse.
ROHM Semiconductor RF202LB2S superschnelle Freilaufdiode
08.21.2025
08.21.2025
Eine superschnelle Freilaufdiode vom Typ Silizium-Epitaxie-Planar mit niedriger VF und geringen Schaltverlusten.
ROHM Semiconductor RN242SM PIN-Diode
08.20.2025
08.20.2025
Bietet eine niedrige Kapazität und ein extrem ultrakleines Gehäuse, das für Hochfrequenzschaltungen geeignet ist.
ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Nennspannung von -60 V VDSS und einem Nennstrom von ±36 A ID, der gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA -30-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein Automobilstandard-MOSFET, das für VDSS von -30 V und ID von ±40 A ausgelegt und gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
Ansicht: 1 - 25 von 218
Qorvo QPC6122 Absorptive SPDT Switch
10.13.2026
10.13.2026
Wideband switching, reduces component count, and maintains low insertion loss and signal linearity.
onsemi FAD1100EVB Driver Evaluation Board
10.13.2026
10.13.2026
Designed to evaluate the performance and functionality of the FAD1100 automotive ignition driver IC.
onsemi FAD1110EVB Driver Evaluation Board
10.13.2026
10.13.2026
Designed to evaluate the performance and functionality of the FAD1110 automotive ignition driver IC.
Qorvo QPC6188 Absorptive SP4T Switch
10.13.2026
10.13.2026
Designed for use in cellular infrastructure, 5G, and other high-performance communication systems.
Microchip Technology TA101 Trust Anchor Authentication ICs
10.13.2026
10.13.2026
These devices integrate multiple asymmetric, symmetric, and hashing security protocols.
u-blox EVK-F112 Evaluation Kit
10.09.2026
10.09.2026
Designed to evaluate the performance of F11 positioning technology in an easy way.
Microchip Technology EVB-PCI11010C Evaluationsboard
10.08.2026
10.08.2026
PCIe-Switch-Board mit 2,5 GBit/s Ethernet, SFP-Konnektivität, UART und PTM.
Microchip Technology EVB-PCI12000C-M.2 Evaluationsboard
10.08.2026
10.08.2026
PCIe-Switch-Board zur Evaluierung von M.2-Key-E-Konfigurationen mit zwei Anschlüssen.
Abracon ASWD-S4-0011 SP4T RF & Antenna Switch
10.08.2026
10.08.2026
A low-loss, high-isolation SP4T reflective RF switch for high-performance switching applications.
STMicroelectronics M24M04E-F 4-Mbit Serial I2C-Compatible EEPROM
10.08.2026
10.08.2026
A 4-Mbit serial I2C-compatible EEPROM that is organized as 512K x 8 bits.
Microchip Technology EVB-PCI11010C-EDS2 Evaluationsboard
10.08.2026
10.08.2026
Evaluierungsboard zur Entwicklung und zum Testen von PCI11010C PCIe-Peripherieanwendungen.
STMicroelectronics IPS4054H High-Side Switch
10.08.2026
10.08.2026
Intended to drive resistive, inductive, and capacitive loads with one side connected to ground.
Diodes Incorporated PI6C5912008B LVDS-Fanout-Puffer
10.08.2026
10.08.2026
Leistungsstarker LVDS-Fanout-Puffer mit 8 Ausgängen, der Frequenzen von bis zu 2 GHz unterstützt.
Microchip Technology EVB-PCI11414C Evaluationsboard
10.08.2026
10.08.2026
PCIe-Evaluierungsboard mit USB-Host, Ethernet, 10BASE-T1S, PTM und programmierbaren I/O.
Microchip Technology EVB-PCI12000C Evaluationsboard
10.08.2026
10.08.2026
PCIe-Switch-Board mit zwei Downstream-Anschlüssen, programmierbaren I/O, UART und PTM.
Microchip Technology EVB-PCI11400C Evaluationsboard
10.08.2026
10.08.2026
PCIe-Switch-Board mit vier USB-Host-Anschlüssen, PTM und programmierbaren I/O-Schnittstellen.
Microchip Technology AVR16LA Mikrocontroller (MCUs)
10.07.2026
10.07.2026
Integrieren eine AVR-CPU und einen Hardware-Multiplizierer und arbeiten mit Taktraten bis zu 20 MHz.
Lantronix Open-M™ 720G SOM Development Kit
10.06.2026
10.06.2026
Development kit for evaluating the Open-M 720G SOM and MediaTek Genio 720 platform.
Sensirion SEK-SFM3x Evaluierungskit für Gasdurchflusssensoren
10.06.2026
10.06.2026
Ermöglicht die Evaluierung der digitalen Durchflusssensoren SFM3200-AW, SFM3300-AW/D und SFM3400-AW/D.
Qorvo QPD2562L GaN-HF-Leistungstransistor
10.06.2026
10.06.2026
Ein diskreter 200 W bis 300 W GaN-on-SiC-HEMT, der von 2,5 GHz bis 2,9 GHz und von 2,9 GHz bis 3,3 GHz arbeitet.
Renesas Electronics RH4Z2502-PMOD Evaluation Module
10.06.2026
10.06.2026
Evaluation module for adding IO-Link functionality to compatible RA2 MCU boards.
Qorvo QPD1426/QPD1426L GaN-HF-Leistungstransistoren
10.06.2026
10.06.2026
220 W diskrete GaN-on-SiC HEMT, die im Frequenzbereich von 1,2 GHz bis 1,4 GHz arbeiten.
DFRobot SEN0670 Gravity AI Pose/Gesture Recognition Sensor
10.05.2026
10.05.2026
An offline AI vision module that enables custom pose and hand-gesture recognition.
DFRobot DFR1287 FireBeetle 2 ESP32-C5-U (N4) IoT Dev Board
10.05.2026
10.05.2026
Compact, low-power platform built around the ESP32-C5-WROOM-1U-N4 module.
DFRobot Fermion SEN0697 Compact 10DOF IMU Sensor
10.05.2026
10.05.2026
Combines a 6-axis motion sensor, a 3-axis magnetometer, and a barometric pressure sensor.
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