Auf 1 γ DRAM-Knoten basierender DDR5-Speicher

Der auf 1 γ DRAM-Knoten basierende DDR5-Speicher von Micron ist ein auf 1 γ (1 Gamma) DRAM-Knoten basierender DDR5-Speicher der sechsten Generation (10 nm-Klasse), der für CPUs der nächsten Generation entwickelt wurde. Diese Komponente bietet überlegene Leistung und Energieeffizienz durch den Aufbau auf Microns vorherigen 1α (1 Alpha) und 1β (1 Beta) DRAM-Knoten. Der 1 γ DRAM verbessert die Leistung, um die Skalierung der Rechenleistung über eine Palette von Speicherangeboten hinweg zu unterstützen und den Anforderungen zukünftiger KI-Workloads gerecht zu werden. Das Modul bietet zudem Energieeinsparungen durch High-K-Metal-Gate-CMOS-Technologie der nächsten Generation und Designoptimierungen. Diese Kombination bietet eine um mehr als 20 % geringere Leistung, was die thermischen Profile verbessert. Der auf 1 γ DRAM-Knoten basierende DDR5-Speicher von Micron bietet auch >30 % mehr Bits pro Wafer als die vorherige Generation. Geeignete Anwendungen umfassen Mobilgeräte, Rechenzentren, Automotive, Edge-KI und KI-PCs.