SRAM

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Speichergröße
Organisation
Zugangszeit
Maximale Taktfrequenz
Schnittstellen-Typ
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsstrom - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Qualifikation
Verpackung
ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
Datenblatt
551erwartet ab 20.01.2027
Min.: 1
Mult.: 1

8 Mbit 512 k x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 28 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
480erwartet ab 18.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

32 Mbit 2 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48

ISSI SRAM 256Mb, OctalRAM, 32Mbx8, 3.0V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS, Automotive
Datenblatt
380erwartet ab 20.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

256 Mb 32 M x 8 200 MHz OPI 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 105 C SMD/SMT TFBGA-24
ISSI SRAM 18Mb 512Kx36 200Mhz Sync SRAM 3.3v
Datenblatt
144erwartet ab 09.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1

18 Mbit 512 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 475 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Alliance Memory SRAM LP SRAM, 8Mb, 512K x 16, 2.7 3.6V, 48ball TFBGA (6x8mm) (two chip select pins:B5 and A6), 45ns, Industrial Temp, B Die
Datenblatt
475erwartet ab 27.11.2026
Min.: 1
Mult.: 1

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray
ISSI IS62C5128EL-45TLI
ISSI SRAM 4Mb,Low Power,Async,512K x 8,45ns,5v,32 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
351erwartet ab 20.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 512 k x 8 45 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 22 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-32
Alliance Memory AS7C256C-15PCN
Alliance Memory SRAM SRAM, 256Kb, 32K x 8, 5V, 28pin PDIP, 15ns, Commercial Temp, C Die
Datenblatt
296erwartet ab 27.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

256 kbit 32 k x 8 15 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 140 mA 0 C + 70 C Through Hole PDIP-28 Tube
ISSI SRAM 1Mb 128Kx8 45MHz Serial SRAM IT
Datenblatt
100erwartet ab 31.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

1 Mbit 128 k x 8 15 ns 45 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 2.7 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Tray

ISSI SRAM 16Mb 10ns 1Mbx16 Async SRAM 2.4V-3.6V
Datenblatt
1erwartet ab 14.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1

16 Mbit 1 M x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Tray
Alliance Memory SRAM SRAM, 256K, 32K x 8, 5V, 28pin SOJ, 10ns, Commercial Temp - Tube
Datenblatt
250erwartet ab 21.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1

256 kbit 32 k x 8 10 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 75 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOJ-28 Tube
Alliance Memory SRAM SRAM, 256K, 32K x 8, 5V, 28pin SOJ, 12ns, Industrial Temp - Tube
Datenblatt
161erwartet ab 27.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

256 kbit 32 k x 8 12 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 70 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-28 Tube
Alliance Memory SRAM SRAM, 256K, 32K x 8, 5V, 28pin SOJ, 15ns, Industrial Temp - Tube
Datenblatt
363erwartet ab 21.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1

256 kbit 32 k x 8 15 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 65 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-28 Tube
Alliance Memory SRAM SRAM, 256K, 32K x 8, 5V, 28pin SOJ, 20ns, Commercial Temp - Tube
Datenblatt
240erwartet ab 21.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1

256 kbit 32 k x 8 20 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 60 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOJ-28 Tube
Alliance Memory SRAM 1M, 3.3V, 12ns, FAST 128K x 8 Asynch SRA
Datenblatt
260Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

1 Mbit 128 k x 8 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 65 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-32 Tube
Alliance Memory SRAM SRAM, 1Mb, 64K x 16, 3.3V, 44pin SOJ(400mil), 12ns, Commercial Temp - Tube
Datenblatt
160erwartet ab 21.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

1 Mbit 64 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 75 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOJ-44 Tube
Alliance Memory SRAM SRAM, 4Mb, 512K x 8, 5V, 44pin TSOP II, 15ns, Industrial Temp - Tray
Datenblatt
135erwartet ab 06.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 512 k x 8 15 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 120 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-44 Tray
ISSI IS66WVE4M16EALL-70BLI
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM Asynch/Pg 4Mx16 55ns
Datenblatt
956Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
270erwartet ab 16.11.2026
Min.: 1
Mult.: 1

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-44
ISSI SRAM 1Mb (128Kx8) 10ns Async SRAM 3.3v
Datenblatt
213erwartet ab 16.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1

1 Mbit 128 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 55 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray
GSI Technology SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 10
Mult.: 10
144 Mbit 8 M x 18 450 ps 550 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.02 A - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-165
GSI Technology SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 10
Mult.: 10

144 Mbit 8 M x 18 714 MHz Parallel 1.35 V 1.2 V 1.3 A 0 C + 85 C SMD/SMT BGA-260
GSI Technology SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 10
Mult.: 10

144 Mbit 8 M x 18 714 MHz Parallel 1.35 V 1.2 V 1.3 A - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-260
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 36 144M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

144 Mbit 4 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 340 mA, 410 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 8M x 18 144M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 10
Mult.: 10

144 Mbit 8 M x 18 833 MHz Parallel 1.35 V 1.25 V 1.9 A - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-260 Tray
GSI Technology SRAM 1.5/1.8V 16M x 18 288M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 10
Mult.: 10

288 Mbit 16 M x 18 550 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.15 A - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray