Tray DRAM

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Typ
Speichergröße
Datenbus-Weite
Maximale Taktfrequenz
Verpackung/Gehäuse
Organisation
Zugangszeit
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
Intelligent Memory DRAM DDR3 8Gb, 1.35V/1.5V, 1Gx8 (1CS), 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-78
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 220
Mult.: 220

SDRAM - DDR3L 8 Gbit 8 bit 933 MHz FBGA-78 1 G x 8 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IM8G08D3 Tray
Intelligent Memory DRAM DDR3 8Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx16 (2CS), 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-96
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR3L 8 Gbit 16 bit 933 MHz FBGA-96 512 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IM8G16D3 Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 256Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - LPDDR4X 8 Gbit 32 bit 2.133 GHz FBGA-200 256 M x 32 600 mV 1.8 V - 20 C + 85 C LPDDR4x Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 24Gb 768Mx32 2133MHz FBGA200 -40C to 85C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 120
Mult.: 120

SDRAM - LPDDR4X 24 Gbit 32 bit 2.133 GHz FBGA-200 768 M x 32 600 mV 1.8 V - 40 C + 95 C LPDDR4x Tray
GSI Technology DRAM 8M x 36 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 36
Mult.: 36

LLDRAM II 288 Mbit 36 bit 533 MHz uBGA-144 8 M x 36 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C GS4288C36GL Tray
GSI Technology DRAM 8M x 36 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 36
Mult.: 36

LLDRAM II 288 Mbit 36 bit 533 MHz uBGA-144 8 M x 36 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C GS4288C36GL Tray
SMARTsemi DRAM DRAM DDR3(L) 4GB 512MX8 1866Mbps 1.35V/1.5V 78-FBGA Industrial
Datenblatt
N/A
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 8 bit 933 MHz FBGA-78 512 M x 8 1.283 V 1.575 V - 40 C + 85 C KTDM Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

FBGA-24 Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

FBGA-24 Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

FBGA-24 Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

FBGA-24 Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

HyperRAM 256 Mbit 200 MHz FBGA-24 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
Intelligent Memory DRAM DDR2 2Gb, 1.8V, 512Mx4, 400MHz (800Mbps), 0C to +95C, FBGA-60
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 264
Mult.: 264

SDRAM - DDR2 2 Gbit 4 bit 400 MHz FBGA-60 512 M x 4 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 95 C IM2G04D2 Tray
Intelligent Memory DRAM DDR2 2Gb, 1.8V, 128Mx16, 400MHz (800Mbps), -40C to +95C, FBGA-84
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR2 2 Gbit 16 bit 400 MHz FBGA-84 128 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IM2G16D2 Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 256Mx16 2133MHz FBGA200 -40C to 85C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - LPDDR4X 4 Gbit 16 bit 2.133 GHz FBGA-200 256 M x 16 600 mV 1.8 V - 40 C + 95 C LPDDR4x Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 16Gb 1024Mx16 2133MHz FBGA200 -40C to 85C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - LPDDR4X 16 Gbit 16 bit 2.133 GHz FBGA-200 1 G x 16 570 mV 1.95 V - 40 C + 95 C LPDDR4x Tray
Intelligent Memory DRAM ECC DDR3, 1Gb, 1.5V, 128Mx8, 667MHz (1333Mbps), -40C to +95C, FBGA-78
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR3 1 Gbit 8 bit 667 MHz FBGA-78 128 M x 8 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IME1G08D3 Tray
Intelligent Memory DRAM ECC LPDDR4, 4Gb, 1.1V, 128Mx32, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-200
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - LPDDR4 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz FBGA-200 128 M x 32 1.06 V 1.17 V - 40 C + 95 C IME4G32L4 Tray
Intelligent Memory DRAM ECC LPDDR4, 8Gb, 1.1V, 256Mx32, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-200
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - LPDDR4 8 Gbit 32 bit 1.6 GHz FBGA-200 256 M x 32 1.06 V 1.17 V - 40 C + 95 C IME8G32L4 Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC)
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 4.800
Mult.: 4.800

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 32 M x 8 6.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ext. Temp., BGA24
Datenblatt
Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 8 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 105 C IoT RAM Tray
GSI Technology DRAM 16M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

LLDRAM II 288 Mbit 18 bit 533 MHz uBGA-144 16 M x 18 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C Tray
GSI Technology DRAM 16M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

LLDRAM II 288 Mbit 18 bit 533 MHz uBGA-144 16 M x 18 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C Tray
GSI Technology DRAM 32M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR 576 Mbit 18 bit 400 MHz uBGA-144 32 M x 18 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C Tray
GSI Technology DRAM 32M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR 576 Mbit 18 bit 400 MHz uBGA-144 32 M x 18 20 ns 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C Tray