Reel DRAM

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Typ
Speichergröße
Datenbus-Weite
Maximale Taktfrequenz
Verpackung/Gehäuse
Organisation
Zugangszeit
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
Infineon Technologies DRAM SPCM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

FBGA-24 Reel
Infineon Technologies DRAM SPCM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

Reel
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, HS, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

PSRAM (Pseudo SRAM) 128 Mbit 4 bit 144 MHz WLCSP-15 16 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C Reel
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8,x16) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Suggested Alt APS12808O-OBR-WB same density NRND Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

PSRAM (Pseudo SRAM) 128 Mbit 8 bit / 16 bit 200 MHz WLCSP-24 16 M x 8/8 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel
AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x1,x4) SDR 144MHz, 1.8V, USON8
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 10.000
Mult.: 10.000
: 10.000

PSRAM (Pseudo SRAM) 16 Mbit 4 bit / 1 bit 144 MHz USON-8 2 M x 8 1.62 V 1.98 V - 25 C + 85 C IoT RAM Reel
AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x4) SDR 144/84MHz, QCC51xx SoC, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

PSRAM (Pseudo SRAM) 16 Mbit 4 bit 84 MHz/144 MHz WLCSP-8 2 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel

AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x4) SDR 144/84MHz, QCC51xx SoC, 1.8V, Ind. Temp., SOP8
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

PSRAM (Pseudo SRAM) 16 Mbit 4 bit 84 MHz/144 MHz SOP-8 2 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel
AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, RBX, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

PSRAM (Pseudo SRAM) 16 Mbit 4 bit / 1 bit 84 MHz/144 MHz WLCSP-8 2 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Suggested Alt APS256XXN-OB9-WA same density NRND Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit / 16 bit 200 MHz WLCSP-24 32 M x 8/16 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb QSPI (x1,x4) SDR 144MHz, HS, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 4 bit / 1 bit 144 MHz WLCSP-8 8 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz WLCSP-13 8 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel
Amphenol FCI 10162416-004RHLF
Amphenol FCI DRAM DDR5 SODIMM 4.0H-262P STD 15U'' AU Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 7 Wochen
Min.: 3.680
Mult.: 920
: 920
Reel
Winbond W638GU6RB-09 TR
Winbond DRAM 8Gb DDR3L 1.35V SDRAM, x16, 1066MHz, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

Reel
Winbond W638GU6RB-11 TR
Winbond DRAM 8Gb DDR3L 1.35V SDRAM, x16, 933MHz, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

Reel
Winbond W638GU6RB09I TR
Winbond DRAM 8Gb DDR3L 1.35V SDRAM, x16, 1066MHz, Industrial Temp, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

Reel
Winbond W638GU6RB11I TR
Winbond DRAM 8Gb DDR3L 1.35V SDRAM, x16, 933MHz, Industrial Temp, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

Reel
Winbond W639H6RBVABI TR
Winbond DRAM 512Mb LPDDR3, x32, 800MHz, -40C-85C, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

Reel
Winbond W639H6RBVACI TR
Winbond DRAM 512Mb LPDDR3, x32, 933MHz, -40C-85C, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

Reel
Winbond W639H6RBVADI TR
Winbond DRAM 512Mb LPDDR3, x32, 1066MHz, -40C-85C, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

Reel
Winbond W668GG6TB06I TR
Winbond DRAM 8Gb DDR4-3200, X16, -40-95C Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

Reel
Winbond W668GG8TB06I TR
Winbond DRAM 8Gb DDR4-3200, X8, -40-95C Nicht auf Lager
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

Reel
Infineon Technologies S80KS2564GACHA043
Infineon Technologies DRAM SPCM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

HyperRAM 256 Mbit 32 bit 200 MHz FBGA-49 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Reel
Infineon Technologies S80KS2564GACHB043
Infineon Technologies DRAM SPCM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

HyperRAM 256 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-49 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Reel
Infineon Technologies S27KS0643GABHA023
Infineon Technologies DRAM SPCM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

Reel
Infineon Technologies S27KS0643GABHI023
Infineon Technologies DRAM SPCM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

Reel