4 Gbit Speicher-ICs

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS Produkt
Produkt-Typ
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Speichergröße
Schnittstellen-Typ
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

DRAM SMD/SMT FBGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

DRAM SMD/SMT FBGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.5V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s at 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.5V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s at 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

DRAM SMD/SMT FBGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.5V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s at 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

DRAM SMD/SMT FBGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit

ISSI NAND-Flash 4Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, T&R, Auto Grade
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

NAND Flash SMD/SMT TFBGA-24 4 Gbit SPI
ISSI NAND-Flash 4Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, T&R, Auto Grade
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 4.000
Mult.: 4.000
: 4.000

NAND Flash SMD/SMT WSON-8 4 Gbit SPI
ISSI DRAM 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit
ISSI NAND-Flash 4G 3V x8 1-bit NAND-Flash
Datenblatt
Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

NAND Flash SMD/SMT TSOP-I-48 4 Gbit Parallel
ISSI NAND-Flash 4G 3.3V x8 NAND-Flash Q100
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

NAND Flash SMD/SMT TSOP-I-48 4 Gbit Parallel
ISSI NAND-Flash SLC NAND,4Gb (x8, 8bit ECC) 3V,63-ball VFBGA 9x11x1.0mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

NAND Flash SMD/SMT VFBGA-63 4 Gbit SPI
ISSI NAND-Flash SLC NAND,4Gb (x8, 8bit ECC) 3V,48-pin TSOP (Type I) 12x20mm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

NAND Flash SMD/SMT TSOP-I-48 4 Gbit SPI
ISSI NAND-Flash 4Gb (x8, 8bit ECC), TSOP-48, 3V, RoHS, IT, , AutoGrade
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

NAND Flash SMD/SMT VFBGA-63 4 Gbit Parallel
ISSI NAND-Flash 4Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 3V, RoHS, IT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

NAND Flash SMD/SMT WSON-8 4 Gbit SPI
ISSI DRAM SUGGESTED ALTERNATE IS43LQ32128A-062TBLI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

DRAM SMD/SMT 4 Gbit