Asynchronous SRAMs

ISSI Asynchronous SRAMs are offered in x8, x16, and x32 configurations. These devices are available in high-speed, low-power, high-speed/low-power, PowerSaver lower power, and automotive versions with long-term support offered by ISSI's commitment to the continued development of these products. ISSI Asynchronous SRAMs feature a wide offering of densities (64K to 16M), speeds (8ns to 55ns), supply voltages (1.65V to 5V), and temperature ranges (commercial, industrial, and automotive). These devices are available in a variety of packages (BGA, SOJ, SOP, sTSOP, and TSOP) to fit a variety of design needs.

Ergebnisse: 232
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Speichergröße Organisation Zugangszeit Maximale Taktfrequenz Schnittstellen-Typ Versorgungsspannung - Max. Versorgungsspannung - Min. Versorgungsstrom - Max. Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Montageart Verpackung/Gehäuse Verpackung
ISSI SRAM 8Mb 1Mb x 8 10ns Async SRAM 3.3v Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

8 Mbit 1 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 100 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel

ISSI SRAM 8Mb 1Mb x 8 10ns Async SRAM 3.3v Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

8 Mbit 1 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 100 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async,128K x 16,8ns/3.3v, or 10ns/2.4V-3.6V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

2 Mbit 128 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 65 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel

ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async,128K x 16,8ns/3.3v, or 10ns/2.4V-3.6V, 44 Pin TSOP II, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

2 Mbit 128 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 65 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel, Cut Tape, MouseReel

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,2Mbx8,8ns/3.3v,or 10ns/2.4v-3.6v, 44 Pin TSOP II, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

16 Mbit 2 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 100 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed,Async,256K x 32,8ns/3.3V,or 10ns/2.4V-3.6V,90 Ball mBGA(8x13 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

8 Mbit 256 k x 32 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-90 Reel
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v-2.2v,48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

16 Mbit 35 ns 2.2 V 1.65 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v-2.2v,48 Pin TSOP I, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

Reel

ISSI SRAM 1Mb,High-Speed,Async,128K x 8,12ns,5v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

1 Mbit 128 k x 8 12 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 40 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Reel
ISSI SRAM 256K,Low Power/Power Saver,Async,32K x 8,45ns,3.3v,28 Pin TSOP I, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

256 kbit 32 k x 8 45 ns Parallel 3.63 V 2.97 V 5 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-28 Reel

ISSI SRAM 1M, 2.4V-3.6V, 10ns LP Async SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

1 Mbit 64 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel

ISSI SRAM 1M, 2.4V-3.6V, 10ns LP Async SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 135
Mult.: 135

1 Mbit 64 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

4 Mbit 256 k x 16 10 ns 3.6 V 2.4 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed,Low Power,Async,512K x 8,25ns,5v,32 Pin TSOP II, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

4 Mbit 512 k x 8 25 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Reel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

8 Mbit 1 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

8 Mbit 1 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

8 Mbit 512 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

8 Mbit 516 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI SRAM 16M (1Mx16) 25ns Async SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 210
Mult.: 210

16 Mbit 1 M x 16 25 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,2Mb x 8,2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 210
Mult.: 210

16 Mbit 25 ns 3.6 V 2.4 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Tray
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,2Mb x 8,2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

16 Mbit 25 ns 3.6 V 2.4 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,2Mb x 8,2.4v-3.6v, 44 Pin TSOP II, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

16 Mbit 25 ns 3.6 V 2.4 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,2Mb x 8,2.4v-3.6v, 44 Pin TSOP II, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

16 Mbit 25 ns 3.6 V 2.4 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,55ns,1.65v-2.2v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 312
Mult.: 312

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,55ns,1.65v-2.2v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

Reel